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半导体装置的形成方法，包括提供结构，其包括基板、第一鳍状物与第二鳍状物、接合第一鳍状物的第一栅极结构、与接合第二鳍状物的第二栅极结构；沉积介电层于第一栅极结构与第二栅极结构上；蚀刻介电层，以形成第一栅极接点开口露出第一栅极结构，并形成第二栅...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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