【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制造方法相关申请案本申请案享有以日本专利申请案2019-170519号(申请日：2019年9月19日)为基础申请案的优先权。本申请案通过参照该基础申请案而包含基础申请案的所有内容。
此处公开的实施方式涉及一种半导体装置及其制造方法。
技术介绍
为了谋求半导体装置的高密度化或装置面积的有效利用等，例如应用贴合工艺，该贴合工艺中，针对具有存储单元的半导体衬底与具有CMOS(complementarymetaloxidesemiconductor，互补金属氧化物半导体)等周边电路的半导体衬底，将分别设置在各半导体衬底的金属焊垫彼此接合且进行贴合。在应用了贴合工艺的半导体装置及其制造方法中，要求抑制至少一个半导体衬底在薄化时的碎屑或剥离等，提高半导体装置的品质或制造良率。
技术实现思路
实施方式提供一种能够抑制由贴合工艺引起的特性、品质、制造良率等降低的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置实施方式的半导体装置具备：贴合衬底，具备第1芯片构成部以及贴合于所述第1芯片构成...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，具备：/n贴合衬底，具备第1芯片构成部以及贴合于所述第1芯片构成部的第2芯片构成部，所述第1芯片构成部具有设置在半导体衬底的第1金属焊垫、以及连接于所述第1金属焊垫的至少一部分的第1电路，所述第2芯片构成部具有与所述第1金属焊垫接合的第2金属焊垫、以及连接于所述第2金属焊垫的至少一部分的第2电路；以及/n绝缘膜，填充在所述贴合衬底的外周部中的所述第1芯片构成部与所述第2芯片构成部的未贴合区域，且至少一部分包含选自由氮化硅及含氮碳化硅组成的群中的至少一种。/n
【技术特征摘要】
20190919 JP 2019-1705191.一种半导体装置，具备：
贴合衬底，具备第1芯片构成部以及贴合于所述第1芯片构成部的第2芯片构成部，所述第1芯片构成部具有设置在半导体衬底的第1金属焊垫、以及连接于所述第1金属焊垫的至少一部分的第1电路，所述第2芯片构成部具有与所述第1金属焊垫接合的第2金属焊垫、以及连接于所述第2金属焊垫的至少一部分的第2电路；以及
绝缘膜，填充在所述贴合衬底的外周部中的所述第1芯片构成部与所述第2芯片构成部的未贴合区域，且至少一部分包含选自由氮化硅及含氮碳化硅组成的群中的至少一种。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述绝缘膜具有：第1绝缘膜，填充在沿着露出在所述未贴合区域的所述第1及第2芯片构成部的表面的所述未贴合区域的第1部分，且包含选自由氮化硅及含氮碳化硅组成的群中的至少一种；以及第2绝缘膜，填充在所述第1部分以外的所述未贴合区域的第2部分，且包含选自由氧化硅及氮氧化硅组成的群中的至少一种。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述第2绝缘膜包含掺杂着选自由硼、磷、氟、及碳组成的群中的至少一种的所述氧化硅。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述贴合衬底具有以将所述外周部中的所述未贴合区域的一部分切除的方式设置的切口部，
所述绝缘膜至少填充在一部分被切除的所述未贴合区域的剩余部。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中所述切口部具有阶差形状，
所述绝缘膜进而沿着所述切口部的阶差形状设置。
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中所述绝缘膜具有：第1绝缘膜，沿着所述切口部的所述阶差形状及所述切口部的表面设置，且包含选自由氮化硅及含氮碳化硅组成的群中的至少一种；以及第2绝缘膜，沿着所述阶差部的阶差形状设置在所述第1绝缘膜上，且包含选自由氧化硅及氮氧化硅组成的群中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第2芯片构成部为具有所述第2电路的存储单元阵列芯片，所述第2电路具备多个存储单元、以及将所述多个存储单元连接于所述第2金属焊垫的至少一部分的第2配线层，
所述第1芯片构成部为具有所述第1电路且控制所述存储单元阵列芯片的控制电路芯片，所述第1电路具备多个晶体管、以及将所述多个晶体管连接于所述第1金属焊垫的至少一部分的第1配线层。
8.一种半导体装置，具备：
贴合衬底，具备第1芯片构成部以及贴合于所述第1芯片构成部的第2芯片构成部，所述第1芯片构成部具有设置在半导体衬底的第1金属焊垫、以及连接于所述第1金属焊垫的至少一部分的第1电路，所述第2芯片构成部具有与所述第1金属焊垫接合的第2金属焊垫、以及连接于所述第2金属焊垫的至少一部分的第2电路，所述贴合衬底具有其外周部中的所述第1芯片构成部与所述第2芯片构成部的未贴合区域、以及以将至少所述第2芯片构成部的所述未贴合区域的一部分切除的方式设置的切口部；以及
绝缘膜，至少填充在一部分被切除的所述未贴合区域的剩余部。
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中所述绝缘膜进而以覆盖所述未贴合区域的一部分被切除的所述贴合衬底的残存部分的表面的方式设置。
10.根据权利要求8所述的半导体装置，其中所述贴合衬底中，进而与设置在所述第2芯片构成部的所述切口部对向地切除所述第1芯片构成部的未贴合区域的一部分。...
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