半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术实施方式的半导体装置具备与设置于绝缘基板上的布线电连接的衬垫。布线基板具有设置于衬垫之间的第1绝缘材。第1半导体芯片在与该布线基板对置的第1面具有与布线基板的衬垫连接的金属凸块。第1粘接层设置于第1绝缘材与第1半导体芯片之间，将布线基板与第1半导体芯片粘接。绝缘树脂在布线基板与第1半导体芯片之间按照将第1粘接层及金属凸块的周围和布线基板上的结构体覆盖的方式设置。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制造方法关联申请的引用本申请以2019年9月12日申请的在先日本专利申请第2019-166283号的优先权的利益为基础，并且要求该利益，其内容整体通过引用而包含于此。
这里说明的多个形态的实施方式总体而言涉及半导体装置及其制造方法。
技术介绍
半导体芯片有时具有金属凸块，且被倒装片连接于布线基板上的端子上。另外，半导体芯片有时被薄膜化，在经由半导体元件的制造工序时发生翘曲。若将这样的具有翘曲的半导体芯片倒装片连接于布线基板上，则有时半导体芯片缺损、或者产生金属凸块与布线基板的端子的连接不良。另外，在半导体芯片与布线基板间填充底部填充树脂的情况下，若半导体芯片变薄则底部填充树脂蔓延到半导体芯片上，在其上部进一步层叠半导体芯片的情况下，有可能半导体芯片开裂。
技术实现思路
基于本实施方式的半导体装置具备与设置于绝缘基板上的布线电连接的衬垫。布线基板具有设置于衬垫之间的第1绝缘材。第1半导体芯片在与该布线基板对置的第1面具有与布线基板的衬垫连接的金属凸块。第1粘接层设置于第1绝缘材与第1半导体芯片之间本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其具备：/n布线基板，所述布线基板具有与设置于绝缘基板上的布线电连接的衬垫和设置于所述衬垫之间的第1绝缘材；/n第1半导体芯片，所述第1半导体芯片在与所述布线基板对置的第1面具有与所述布线基板的衬垫连接的金属凸块(31)；/n第1粘接层，所述第1粘接层设置于所述第1绝缘材与所述第1半导体芯片之间，将所述布线基板与所述第1半导体芯片粘接；以及/n绝缘树脂(90)，所述绝缘树脂(90)在所述布线基板与所述第1半导体芯片之间将所述第1粘接层及所述金属凸块(31)的周围和所述布线基板上的结构体覆盖。/n

【技术特征摘要】
20190912 JP 2019-1662831.一种半导体装置，其具备：
布线基板，所述布线基板具有与设置于绝缘基板上的布线电连接的衬垫和设置于所述衬垫之间的第1绝缘材；
第1半导体芯片，所述第1半导体芯片在与所述布线基板对置的第1面具有与所述布线基板的衬垫连接的金属凸块(31)；
第1粘接层，所述第1粘接层设置于所述第1绝缘材与所述第1半导体芯片之间，将所述布线基板与所述第1半导体芯片粘接；以及
绝缘树脂(90)，所述绝缘树脂(90)在所述布线基板与所述第1半导体芯片之间将所述第1粘接层及所述金属凸块(31)的周围和所述布线基板上的结构体覆盖。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第1粘接层的热膨胀系数大于所述布线基板及所述第1半导体芯片的热膨胀系数。


3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第1粘接层的弹性模量低于所述第1绝缘材及所述金属凸块的弹性模量。


4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第1粘接层的弹性模量低于所述第1绝缘材及所述金属凸块的弹性模量。


5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第1粘接层与所述金属凸块分开而配置。


6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第1粘接层的粘接面积大于所述金属凸块与所述衬垫的接触面积。


7.根据权利要求1所述的半导体装置，其进一步具备：
第2粘接层，所述第2粘接层设置于处于所述第1面的相反侧的所述第1半导体芯片的第2面；以及
第2半导体芯片，所述第2半导体芯片设置于所述第2粘接层上。


8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述第1半导体芯片为控制所述第2半导体芯片的控制器芯片，
所述第2半导体芯片为存储器芯片。


9.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，多个所述第2半导体芯片及多个所述第2粘接层交替地层叠于所述第1半导体芯片上方。


10.根据权利要求7所述的半导体装置，其具备支撑构件(50)，所述支撑构件(50)设置于...

【专利技术属性】
技术研发人员：本间庄一，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP