【技术实现步骤摘要】
一种单开关IGBT模块的芯片布局结构
本专利技术属于可控功率半导体器件
,具体涉及一种单开关IGBT模块的芯片布局结构。
技术介绍
传统单开关IGBT模块的芯片布局如图1所示,由三组IGBT芯片组构成,每组IGBT芯片组由8颗IGBT芯片和反并联的4颗续流二极管FRD构成,第一组IGBT芯片1-1、1-2、1-3、1-4、1-5、1-6、1-7、1-8与反并联的FRD芯片1-9、1-10、1-11、1-12背面焊接在DBC衬板1、2上,各芯片正面通过键合线组10-1、10-2实现连接;第二组IGBT芯片2-1、2-2、2-3、2-4、2-5、2-6、2-7、2-8与反并联的FRD芯片2-9、2-10、2-11、2-12背面焊接在DBC衬板3、4上,各芯片正面通过键合线组10-3、10-4实现连接;第三组IGBT芯片3-1、3-2、3-3、3-4、3-5、3-6、3-7、3-8与反并联的FRD芯片3-9、3-10、3-11、3-12背面焊接在DBC衬板5、6上,各芯片正面通过键合线组10-5、10-6实现连接;DBC衬板 ...
【技术保护点】
1.一种单开关IGBT模块的芯片布局结构,其特征在于,由三组IGBT芯片组构成;每组IGBT芯片组由8颗IGBT芯片和反并联的4颗续流二极管FRD芯片构成;所述每组IGBT芯片组均焊接在上下两个DBC衬板上;DBC衬板焊接在基板上;所述每组IGBT芯片组配置正极端子与负极端子,三组IGBT芯片组通过正极端子与负极端子与外电路相连;DBC衬板上各芯片正面通过键合线组连接;/n所述上下两个DBC衬板上,位于左上和右上位置的IGBT芯片的栅极位于IGBT芯片的下部中间位置;位于左下和右下位置的IGBT芯片的栅极位于IGBT芯片的上部中间位置;反并联的续流二极管FRD芯片位于同一个 ...
【技术特征摘要】
1.一种单开关IGBT模块的芯片布局结构,其特征在于,由三组IGBT芯片组构成;每组IGBT芯片组由8颗IGBT芯片和反并联的4颗续流二极管FRD芯片构成;所述每组IGBT芯片组均焊接在上下两个DBC衬板上;DBC衬板焊接在基板上;所述每组IGBT芯片组配置正极端子与负极端子,三组IGBT芯片组通过正极端子与负极端子与外电路相连;DBC衬板上各芯片正面通过键合线组连接;
所述上下两个DBC衬板上,位于左上和右上位置的IGBT芯片的栅极位于IGBT芯片的下部中间位置;位于左下和右下位置的IGBT芯片的栅极位于IGBT芯片的上部中间位置;反并联的续流二极管FRD芯片位于同一个DBC衬板的上下两颗IGBT芯片之间。
2.根据权利要求1所述的一种单开关IGBT模块的芯片布局结构,其特征在于,所述每组IGBT芯片组中,每4颗IGBT芯片和反并联的2颗续流二极管FRD芯片背面焊接在一个DBC衬板上。...
【专利技术属性】
技术研发人员:潘政薇,姚二现,董长城,骆健,
申请(专利权)人:南瑞联研半导体有限责任公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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