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本发明公开了一种单开关IGBT模块的芯片布局结构，由三组IGBT芯片组构成；每组IGBT芯片组由8颗IGBT芯片和反并联的4颗续流二极管FRD芯片构成；所述每组IGBT芯片组均焊接在上下两个DBC衬板上；上下两个DBC衬板上，位于左上和右上...
该专利属于南瑞联研半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过南瑞联研半导体有限责任公司授权不得商用。

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