一种氧化物发光场效应晶体管制造技术

一种氧化物发光场效应晶体管，设置有基板、栅极、绝缘层、有源层、源极和漏极，以掺有稀土元素的氧化物半导体材料作为有源层。所述稀土元素为Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm或者Yb中的至少一种。本发明专利技术的氧化物发光场效应晶体管，在具有加栅压和漏压时能够实现紫外、可见和红外区域的电致发光。而且本发明专利技术的氧化物发光场效应晶体管因为稀土元素的掺杂，从而具有迁移率较高，工艺温度低，良好的电学性能及良好的光学透过性等优势。性能及良好的光学透过性等优势。性能及良好的光学透过性等优势。

【技术实现步骤摘要】
一种氧化物发光场效应晶体管


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种氧化物发光场效应晶体管。

技术介绍

[0002]发光场效应晶体管是集成了场效应晶体管的开关控制能力和发光二极管电致发光能力的新型光电子器件。发光场效应晶体管作为一种新兴的多功能光电器件，发光场效应晶体管在平板显示、集成光电子、电泵浦激光及新型光耦领域具有重要的应用前景。基于发光场效应晶体管的显示技术相比于基于场效应晶体管驱动OLED的显示技术，具有更简单的制备工艺和更高的集成度，被视为下一代显示技术的有力竞争者。
[0003]同时由于发光场效应晶体管具有高电流密度、低金属电极吸收损耗等特点，可用来构筑电泵浦激光器。在过去的几十年里，有机发光场效应晶体管、量子点发光场效应晶体管和钙钛矿基发光场效应晶体管等发光场效应在外量子效率(EQE)、亮度、器件结构和电荷载流子迁移率方面取得了很大进步。但是现有技术中的发光场效应晶体管的发光效果还并不是十分理想。
[0004]因此针对现有技术不足，提供一种氧化物发光场效应晶体管以解决现有技术不足甚为必要。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氧化物发光场效应晶体管，设置有基板、栅极、绝缘层、有源层、源极和漏极，其特征在于：以掺有稀土元素的氧化物半导体材料作为有源层。2.根据权利要求1所述的氧化物发光场效应晶体管，其特征在于：所述稀土元素为Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm或者Yb中的至少一种。3.根据权利要求2所述的氧化物发光场效应晶体管，其特征在于：以摩尔百分比计，稀土元素在有源层中的含量为0.2％～60％。4.根据权利要求3所述的氧化物发光场效应晶体管，其特征在于：所述氧化物半导体材料为氧化锌、氧化铟、氧化镓、氧化锡或者氧化钛中的至少一种。5.根据权利要求4所述的氧化物发光场效应晶体管，其特征在于：所述有源层的厚度为5nm～600nm。6.根据权利要求5所述的氧化物发光场效应晶体管，其特征在于：所述有源层的制备方法为真空法，所述有源层的热处理温度为500℃以上。7.根据权利要求6所述的氧化物发光场效应晶体管，其特征在于：所述有源层的制备方法为使用稀土掺杂氧化物半导体材料陶瓷靶在绝缘层表面行射频溅射，制备得到图形化的有源层；其中射频溅...

【专利技术属性】
技术研发人员：兰林锋，吴永波，林奕龙，彭俊彪，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：发明
国别省市：