本发明专利技术公开了一种层膜裁切方法。提供一层膜，包括堆叠设置的一第一膜层以及一第二膜层。以一第一刀具裁切第一膜层，而得到贴附于第二膜层上的一图案化第一膜层部分以及一废料第一膜层部分。自第二膜层移除废料第一膜层部分。以一第二刀具沿着一裁切路径裁切第二膜层，而使被裁切的第二膜层贴附有图案化第一膜层部分。裁切路径围绕图案化第一膜层部分并且与图案化第一膜层部分的边缘彼此间隔。本发明专利技术还公开了层膜裁切装置、晶圆贴膜方法以及晶圆贴膜机。贴膜机。贴膜机。
【技术实现步骤摘要】
层膜裁切装置及其方法、晶圆贴膜方法及其贴膜机
[0001]本专利技术涉及一种层膜裁切装置以及层膜裁切方法，特别是包括两个不同刀具的层膜裁切装置以及利用所述两个刀具的层膜裁切方法。本专利技术还涉及搭载层膜裁切装置的晶圆贴膜机以及包括层膜裁切方法的晶圆贴膜方法。
技术介绍
[0002]在半导体集成电路和各种微机电的制造过程中，其中一道步骤是在晶圆(Wafer)表面或背面贴上薄膜，以便进行后续相关的晶圆制程。用于贴附于晶圆的薄膜包括但不限于切割蓝膜、切割白膜、减薄保护膜、UV膜以及DAF(Die Attach Film)导电膜等。将薄膜贴附于晶圆可黏着晶圆表面或背面的制程微粒，并且薄膜被移除而将制程微粒带离晶圆表面或背面。一般而言，贴附于晶圆的薄膜为多层膜结构，至少包括了干膜(Dry film)与麦拉(Mylar)膜。干膜被加热后具有流动性与黏着性，因而能够稳固地附着于晶圆表面。
[0003]目前在裁切薄膜时，通常是以刀具在单一制程步骤中完全切割干膜与麦拉膜，因此干膜与麦拉膜的尺寸相同，并且两者的尺寸均与晶圆的尺寸相近。当将薄膜贴附于晶圆时，被加热的干膜由于具有流动性，因此容易从晶圆与麦拉膜之间的间隙溢出，导致执行贴膜程序的机台或是晶圆表面的微结构被干膜污染。此外，干膜被加热时溢出固化而容易包覆麦拉膜边缘。在完成贴膜程序后执行的撕除麦拉膜程序中，位于麦拉膜边缘的固化干膜导致麦拉膜难以被掀离而不易产生剥离破口，因此撕除麦拉膜的效率将受到影响。
技术实现思路
[0004]鉴于以上的问题，本专利技术公开一种层膜裁切方法以及层膜裁切装置，有助于解决被加热的干膜会溢出而污染机台或晶圆的问题。本专利技术还公开一种晶圆贴膜方法以及晶圆贴膜机。
[0005]本专利技术公开的层膜裁切方法包括：提供一层膜，包括堆叠设置的一第一膜层以及一第二膜层；以一第一刀具裁切第一膜层，而得到贴附于第二膜层上的一图案化第一膜层部分以及一废料第一膜层部分；自第二膜层移除废料第一膜层部分；以及以一第二刀具沿着一裁切路径裁切第二膜层，而使被裁切的第二膜层贴附有图案化第一膜层部分。裁切路径围绕图案化第一膜层部分并且与图案化第一膜层部分的边缘彼此间隔。
[0006]本专利技术公开的层膜裁切装置包括一层膜输送机构、一层膜吸附平台、一滚刀以及一刀具。层膜输送机构用以输送一层膜进入或离开一裁切工作区。层膜吸附平台设置于裁切工作区。滚刀设置以半切割层膜，且刀具设置以完全切割层膜。刀具可相对层膜吸附平台移动。
[0007]本专利技术公开的晶圆贴膜方法包括：提供一层膜，包括堆叠设置的一第一膜层以及一第二膜层；以一第一刀具裁切该第一膜层，而得到贴附于第二膜层上的一图案化第一膜层部分以及一废料第一膜层部分；自第二膜层移除废料第一膜层部分；以一第二刀具沿着一裁切路径裁切第二膜层，而使被裁切的该第二膜层贴附有图案化第一膜层部分，其中裁
切路径围绕图案化第一膜层部分并且与图案化第一膜层部分的边缘彼此间隔；以一贴膜装置拾取被裁切的第二膜层至一晶圆上方；以及将贴附于第二膜层上的图案化第一膜层贴附于晶圆上。
[0008]本专利技术公开的晶圆贴膜机包括前述的层膜裁切装置以及一贴膜装置。贴膜装置包括一下腔体以及一上腔体。下腔体设置有一晶圆载台。上腔体设置有一吸盘。上腔体于一贴膜位置时位于晶圆载台上方，于一吸膜位置时位于层膜吸附平台上方，且上腔体可在贴膜位置与吸膜位置之间往复移动。
[0009]根据本专利技术所公开的层膜裁切方法以及层膜裁切装置，以不同的刀具分别裁切层膜的两个膜层，而让裁切后的第一膜层与第二膜层具有不同尺寸。层膜裁切装置还可搭载于晶圆贴膜机，以便晶圆贴膜机执行晶圆贴膜方法。采用本专利技术所公开的层膜裁切方法裁切的层膜具有尺寸比晶圆小的第一膜层以及尺寸比晶圆大或跟晶圆相等的第二膜层。借此，当层膜贴附于晶圆时，能防止被加热的第一膜层从晶圆与第二膜层之间的间隙溢出，有助于避免膜层污染晶圆的边缘或背面。
[0010]此外，因第一膜层的直径尺寸小于第二膜层的直径尺寸，纵使第一膜层被加热后会在第二膜层边缘处固化，却不会包覆第二膜层边缘处。借此，第二膜层不会因为固化第一膜层的阻碍而有难以被掀离的问题，有助于提升后续撕除第二膜层的效率。
[0011]以上的关于本
技术实现思路
的说明及以下的实施方式的说明用以示范与解释本专利技术的精神与原理，并且提供本专利技术的专利申请权利要求保护范围更进一步的解释。
附图说明
[0012]图1为根据本专利技术一实施例的层膜裁切装置的示意图。
[0013]图2为根据本专利技术一实施例的层膜裁切方法的流程示意图。
[0014]图3至图9为图1的层膜裁切装置执行层膜裁切方法的示意图。
[0015]图10为根据本专利技术一实施例的晶圆贴膜机的示意图。
[0016]图11和图12为图10的晶圆贴膜机执行晶圆贴膜方法的示意图。
[0017]其中，附图标记：
[0018]层膜裁切装置
ꢀꢀꢀꢀ1[0019]层膜输送机构
ꢀꢀꢀꢀ
10
[0020]第一输送轮
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110
[0021]第二输送轮
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
120
[0022]导膜轮
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
130
[0023]废膜回收轮
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
140
[0024]层膜吸附平台
ꢀꢀꢀꢀ
20
[0025]第一刀具
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
30
[0026]本体
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
310
[0027]刀刃部
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
320
[0028]第二刀具
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
40
[0029]拉膜机构
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
50
[0030]从动滚轮
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
60
[0031]层膜
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ2[0032]保护膜
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
2a
[0033]第一膜层
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
21
[0034]图案化第一膜层部分 21a
[0035]边缘
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
211
[0036]废料第一膜层部分 21b
[0037]第二膜层
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
22
[0038]晶圆贴膜机
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ3[0039]贴膜装置
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
1a
[0040]下腔体
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
80
[0041]晶圆载台
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
810
[0042]上腔体
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
90
[0043]吸盘
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
910
[0044]晶圆
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ4[0045]裁切路径本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种层膜裁切方法，其特征在于，包括：提供一层膜，包括堆叠设置的一第一膜层以及一第二膜层；以一第一刀具裁切该第一膜层，而得到贴附于该第二膜层上的一图案化第一膜层部分以及一废料第一膜层部分；自该第二膜层移除该废料第一膜层部分；以及以一第二刀具沿着一裁切路径裁切该第二膜层，而使被裁切的该第二膜层贴附有该图案化第一膜层部分，其中该裁切路径围绕该图案化第一膜层部分并且与该图案化第一膜层部分的边缘彼此间隔。2.根据权利要求1所述的层膜裁切方法，其特征在于，当该第一刀具裁切该第一膜层时，该第一刀具不会完全切割该第二膜层。3.根据权利要求1所述的层膜裁切方法，其特征在于，该第一刀具为滚刀。4.根据权利要求1所述的层膜裁切方法，其特征在于，该第一膜层为干膜，且该第二膜层为麦拉膜。5.根据权利要求1所述的层膜裁切方法，其特征在于，同时进行以该第一刀具裁切该第一膜层以及自该第二膜层移除该废料第一膜层部分。6.根据权利要求1所述的层膜裁切方法，其特征在于，还包括：于该第一刀具裁切该第一膜层前，以一拉膜机构夹持并且撑开该层膜。7.一种层膜裁切装置，其特征在于，包括：一层膜输送机构，用以输送一层膜进入或离开一裁切工作区；一层膜吸附平台，设置于该裁切工作区；一滚刀，设置以半切割该层膜；以及一刀具，设置以完全切割该层膜，且该刀具可相对该层膜吸附平台移动。8.根据权利要求7所述的层膜裁切装置，其特征在于，该层膜输送机构包括一第一输送轮以及一第二输送轮，该裁切工作区介于该第一输送轮与该第二输送轮之间，该层膜被该层膜输送机构输送而自该第一输送轮进入该裁切工作区，且该第一输送轮较该第二输送轮更靠近该滚刀。...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈明宗，曾永村，杨佳裕，赖家伟，
申请(专利权)人：志圣科技广州有限公司，
类型：发明
国别省市：
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