冷阱装置以及扩散炉设备制造方法及图纸

技术编号:27568441 阅读:15 留言:0更新日期:2021-03-09 22:14
本发明专利技术实施例涉及一种冷阱装置及扩散炉设备,包括:外壳体,所述外壳体包括第一进气口和第一出气口;内壳体,所述内壳体位于所述外壳体内,且所述内壳体相对于所述外壳体可拆卸,所述内壳体包括第二进气口和第二出气口,所述第二进气口与所述第一进气口相贯通,所述第二出气口与所述第一出气口相贯通;冷却管路,所述冷却管路位于所述内壳体内。本发明专利技术能够缩短冷阱装置保养耗时,提高机台产能。提高机台产能。提高机台产能。

【技术实现步骤摘要】
冷阱装置以及扩散炉设备


[0001]本专利技术涉及半导体
,特别涉及一种冷阱装置以及扩散炉设备。

技术介绍

[0002]随着半导体制造技术的进步,以及人们对电子器件的需求不断提高,半导体器件的产能成为各大厂商的关注重点,而半导体器件的产能与生产线机台上的工艺设备运行效率有关,其中包括扩散炉设备。冷阱装置是扩散炉设备的重要组成部分,其运行时间一定程度上决定了半导体器件的产能。
[0003]目前,冷阱装置多利用装置金属壳本身的低温特性捕获反应副产物,反应副产物蒸汽冷却后在金属壳内壁沉积。随着冷阱装置工作时间增加,金属壳内壁沉积的副产物越来越多,金属壳本身的低温特性难以发挥,捕获反应副产物的能力降低。未被捕获的副产物进入下级设备——真空泵,将缩短真空泵寿命。因此,工作人员需要定期对冷阱装置进行保养,利用无尘布及其它物件对冷阱装置进行清洗等保养操作。
[0004]然而,现有技术中冷阱装置的保养过程耗时较长,会对半导体器件的产能造成影响。因此,如何缩短冷阱装置的保养耗时已经成为半导体生产工艺中的一个关键问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术实施例提供一种冷阱装置以及扩散炉设备,缩短冷阱装置保养耗时,提高机台产能。
[0006]为解决上述技术问题,本专利技术实施例提供一种冷阱装置,包括:外壳体,所述外壳体包括第一进气口和第一出气口;内壳体,所述内壳体位于所述外壳体内,且所述内壳体相对于所述外壳体可拆卸,所述内壳体包括第二进气口和第二出气口,所述第二进气口与所述第一进气口相贯通,所述第二出气口与所述第一出气口相贯通;冷却管路,所述冷却管路位于所述内壳体内。
[0007]另外,所述内壳体外壁与所述外壳体内壁贴合。
[0008]另外,所述内壳体外壁与所述外壳体内壁之间具有间隙。
[0009]另外,所述冷阱装置还包括:设置在所述内壳体外壁与所述外壳体内壁之间的第一连接通道,所述第一连接通道包绕所述第一进气口,所述第一进气口与所述第二进气口通过所述第一连接通道连通;设置在所述内壳体外壁与所述外壳体内壁之间的第二连接通道,所述第二连接通道包绕所述第二一出气口,所述第一出气口与所述第二出气口通过所述第二连接通道连通。
[0010]另外,所述第一连接通道第一端固定设置在所述内壳体外壁,与所述第一端相对的第二端与所述外壳体内壁相接触;或者,所述第一连接通道第一端固定设置在所述外壳体内壁,与所述第一端相对的第二端与所述内壳体外壁相接触。
[0011]另外,所述第二连接通道第一端固定设置在所述内壳体外壁,与所述第一端相对的第二端与所述外壳体内壁相接触;或者,所述第二连接通道第一端固定设置在所述外壳
体内壁,与所述第一端相对的第二端与所述内壳体外壁相接触。
[0012]另外,所述第二进气口与所述第二出气口在垂直于所述进气口方向上的投影区域错位。
[0013]另外,所述第二进气口与所述第二出气口在垂直于所述第二进气口方向上的投影区域部分或完全重合。
[0014]另外,所述冷阱装置还包括:位于所述内壳体内的导流片,所述导流片设置在所述第二进气口与所述第二出口气之间。
[0015]另外,所述内壳体与所述外壳体固定连接,所述固定连接方式包括卡扣式连接、磁吸式连接及螺纹连接。
[0016]另外,所述外壳体与所述内壳体中的一者还具有凹陷部,另一者具有适于与所述凹陷部相对准的凸起部。
[0017]另外,所述内壳体的形状包括长方体。
[0018]本专利技术实施例还提供一种扩散炉设备,所述扩散炉设备包括上述任一项冷阱装置。
[0019]与现有技术相比,本专利技术实施例提供的技术方案具有以下优点:
[0020]本专利技术实施例提供一种冷阱装置,在外壳体内还设置内壳体,所述内壳体与外壳体分别具有进气口和出气口,用于提供低温环境的冷却管路位于内壳体内,使得反应副产物凝结在内壳体内壁上。当内壳体捕获反应副产物的速率低于预设水平时,可以直接将整个内壳体及位于内壳体内的冷却管路取出,替换上新的内壳体及冷却管路,从而缩短冷阱装置的保养耗时,提高机台产能。
[0021]另外,当内壳体外壁与外壳体内壁之间具有空隙时,设置在内壳体外壁与外壳体内壁之间的第一连接通道包绕第一进气口、第二连接通道包绕第二出气口,从而避免反应副产物蒸汽进入内壳体外壁与外壳体内壁之间的空隙。
[0022]另外,将第一连接通道固定在外壳体内壁或内壳体外壁上,能够保证内壳体的正常拆卸。
[0023]另外,将第二连接通道固定在外壳体内壁或内壳体外壁上,能够保证内壳体的正常拆卸。
[0024]另外,当第二进气口与第二出气口在内壳体至少一面上的投影区域部分或完全重合时,在第二进气口与第二出气口之间设置导流片,调整副产物蒸汽的流动路径,避免副产物蒸汽从第二进气口径直流向第二出气口。
[0025]另外,外壳体与内壳体中的一者具有凹陷部,另一者具有与凹陷部相对准的凸起部,进而保证了内壳体安装时方向的准确性。
[0026]另外,内壳体的形状包括长方体,在体积相同且壁厚相同的情况下,长方体的内表面积大于圆柱体,从而提高内壳体的保养周期,提高机台产能。
附图说明
[0027]一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明,这些示例性说明并不构成对实施例的限定,附图中具有相同参考数字标号的部件表示为类似的部件,除非有特别申明,附图中的图不构成比例限制。
[0028]图1为本专利技术一实施例提供的一种冷阱装置的结构示意图;
[0029]图2为图1所示冷阱装置的内部结构示意图;
[0030]图3为本专利技术另一实施例提供的一种冷阱装置的结构示意图;
[0031]图4为本专利技术又一实施例提供的一种冷阱装置的局部结构左剖视图;
[0032]图5为图4所示冷阱装置局部结构的仰剖视图;
[0033]图6为本专利技术又一实施例提供的一种冷阱装置的局部结构示意图。
具体实施方式
[0034]由
技术介绍
可知,现有冷阱装置存在保养过程耗时较长的问题。
[0035]为解决上述问题,本专利技术实施例提供一种冷阱装置,在外壳体内还设置内壳体,所述内壳体与外壳体分别具有进气口和出气口,用于提供低温环境的冷却管路位于内壳体内,使得副产物凝结在内壳体内壁上。当内壳体捕获反应副产物的速率低于预设水平时,可以直接将整个内壳体及位于内壳体内的冷却管路取出,替换上新的内壳体及冷却管路,从而缩短冷阱装置的保养耗时,提高机台产能。
[0036]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本专利技术的各实施例进行详细的阐述。然而,本领域的普通技术人员可以理解,在本专利技术各实施例中,为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但是,即使没有这些技术细节和基于以下各实施例的种种变化和修改,也可以实现本申请所要求保护的技术方案。图1为本专利技术一实施例提供的一种冷阱装置的结构示意图。为了便于说明,图1中所示冷阱装置为进行内壳体拆本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种冷阱装置,其特征在于,包括:外壳体,所述外壳体包括第一进气口和第一出气口;内壳体,所述内壳体位于所述外壳体内,且所述内壳体相对于所述外壳体可拆卸,所述内壳体包括第二进气口和第二出气口,所述第二进气口与所述第一进气口相贯通,所述第二出气口与所述第一出气口相贯通;冷却管路,所述冷却管路位于所述内壳体内。2.根据权利要求1所述的冷阱装置,其特征在于,所述内壳体外壁与所述外壳体内壁贴合。3.根据权利要求1所述的冷阱装置,其特征在于,所述内壳体外壁与所述外壳体内壁之间具有间隙。4.根据权利要求3所述的冷阱装置,其特征在于,还包括:设置在所述内壳体外壁与所述外壳体内壁之间的第一连接通道,所述第一连接通道包绕所述第一进气口,所述第一进气口与所述第二进气口通过所述第一连接通道连通;设置在所述内壳体外壁与所述外壳体内壁之间的第二连接通道,所述第二连接通道包绕所述第二出气口,所述第一出气口与所述第二出气口通过所述第二连接通道连通。5.根据权利要求4所述的冷阱装置,其特征在于,所述第一连接通道第一端固定设置在所述内壳体外壁,与所述第一端相对的第二端与所述外壳体内壁相接触;或者,所述第一连接通道第一端固定设置在所述外壳体内壁,与所述第一端相对的第二端与所述内壳体外壁相接触。6.根据权利要求4所...

【专利技术属性】
技术研发人员:ꢀ七四专利代理机构
申请(专利权)人:长鑫存储技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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