一种半导体材料的清洗装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种半导体材料的清洗装置，包括：清洗箱，清洗箱能够对半导体材料在高度方向上分层次清洗；清洗箱的底部设有振动板；振动板弹性设于清洗箱的底部；储液箱，用于存储清洗液，并通过泵体将清洗液泵入清洗箱内，实现圆周阵列分层次对半导体材料进行冲洗；循环拨料筒体，呈薄板状圆筒状，其顶部、底部呈敞开状，其周向内侧壁上开设有多个拨料杆；清洗管路组件，呈环形阵列分布于清洗箱内侧壁上；清洁辊组件，位于清洗箱底部，对半导体材料实现滚动清洗；驱动部件，能够同时控制循环拨料筒体和清洁辊组件同步旋转；振动组件，对振动板产生周期性振动；并配合拨料杆实现对半导体材料的翻转和位置替换；使得半导体材料冲洗的更加干净，清洗更加更加彻底，提高清洗效率和效果。效果。效果。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体材料的清洗装置


[0001]本专利技术涉及清洗装置领域，特别是涉及一种半导体材料的清洗装置。

技术介绍

[0002]现在的半导体材料制造过程中，半导体材料表面会附着各种有机化合物、金属杂质和微粒等，而半导体材料表面的清洁度是影响半导体器件可靠性的重要因素之一，如果不对其清洗会大大降低半导体器件的性能和合格率，所以在半导体器件制造过程中，有20％的步骤为对半导体材料的清洗，去除依附于半导体材料表面上的有机化合物、金属杂质和微粒等污染物，提高半导体器件的性能和合格率。
[0003]但本申请专利技术人在实现本申请实施例中专利技术技术方案的过程中，发现上述技术至少存在如下技术问题：
[0004]现有的清洗工艺通常采用将晶圆利用酸碱有机物等液体化学品等进行浸泡或冲洗，用以达到清洗表面颗粒、去除反应聚合物、刻蚀表面膜层等目的，在化学液体清洗晶圆表面颗粒后，通常使用去离子水将化学液体冲洗去除。
[0005]但是目前的清洗容器，结构相对简单，现有的很多清洗装置的清洗质量不高，清洗效率底下，增大成本。单纯依靠循环水进行冲洗的方式本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体材料的清洗装置，其特征在于：包括：清洗箱(1)，所述清洗箱(1)能够对半导体材料在高度方向上分层次清洗；所述清洗箱(1)的底部设有振动板(11)；所述振动板(11)弹性设于所述清洗箱(1)的底部；储液箱(2)，用于存储清洗液，并通过泵体(3)将清洗液泵入所述清洗箱(1)内，实现圆周阵列分层次对半导体材料进行冲洗；循环拨料筒体(4)，呈薄板状圆筒状，其顶部、底部呈敞开状，其周向内侧壁上开设有多个拨料杆(41)；清洗管路组件(5)，呈环形阵列分布于所述清洗箱(1)内侧壁上；清洁辊组件(6)，位于所述清洗箱(1)底部，对半导体材料实现滚动清洗；驱动部件(7)，能够同时控制所述循环拨料筒体(4)和所述清洁辊组件(6)同步旋转；振动组件(8)，对所述振动板(11)产生周期性振动；并配合所述拨料杆(41)实现对半导体材料的翻转和位置替换；清洗液体经过所述储液箱(2)并经过所述清洗管路组件(5)实现对循环拨料筒体(4)中的半导体材料进行全面覆盖清洗，同时高压水流通过与半导体材料接触的表面起到冲击和刷洗的作用，并配合所述清洁辊组件(6)以及所述振动组件(8)使得所述循环拨料筒体(4)中的半导体材料也随之进行抖动，在冲洗的同时，利用水的循环撞击结合所述振动组件(8)的有规律的振动，使得内部的半导体材料能够产生一定的翻转和滑移，进而完成半导体材料的高速清洗。2.如权利要求1所述一种半导体材料的清洗装置，其特征在于：所述清洗箱(1)与所述储液箱(2)之间设有所述泵体(3)；所述储液箱(2)的底部且靠近所述泵体(3)的一端设有出水管(21)，所述出水管(21)的一端通过法兰固定在所述储液箱(2)的外壁上，所述出水管(21)的另一端与所述泵体(3)的进水端固定连接，所述泵体(3)的出水端的管路与所述清洗箱(1)内部的所述清洗管路组件(5)相贯通。3.如权利要求1所述一种半导体材料的清洗装置，其特征在于：所述清洗管路组件(5)包括进水管(51)、和等间距设于所述进水管(51)上的高压喷头(52)；所述进水管(51)的内径为沿其出水方向呈阶梯式分布；各段所述进水管(51)的出水孔处设有所述高压喷头(52)。...

【专利技术属性】
技术研发人员：李超，
申请(专利权)人：江西舜源电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：