硅片清洗方法及硅片清洗设备技术

本发明专利技术涉及一种硅片清洗方法，包括以下步骤：S1：采用含氟离子的酸性清洗溶液对硅片进行清洗，以去除硅片中的金属铝离子，其中氟离子的浓度大于6

【技术实现步骤摘要】
硅片清洗方法及硅片清洗设备


[0001]本专利技术涉及硅片产品制作
，尤其涉及一种硅片清洗方法及硅片清洗设备。

技术介绍

[0002]随着超大规模集成电路的发展，集成度不断提高，期间的特征尺寸不断减小，对半导体晶片硅衬底表面洁净度的要求也更佳严格，硅片清洗在半导体工业的重要性早已引起人们的高度重视。硅衬底表面的污染物将会严重影响硅衬底局部的物理性质和电学性质，如果清洗效果不好会直接影响到集成电路、器件的成品率、性能和可靠性。硅片表面的金属离子更是对硅片的品质有着重大的影响。
[0003]Al为一种两性金属，在碱性条件和酸性条件下都可以溶解，但是碱性条件时，强碱对硅片本身有腐蚀性，会造成硅片的粗糙度变差，所以在酸性条件下去除金属Al优于碱性条件。在酸性条件时，Al
3+
的标准氧化还原电位(E0＝—1.662V)比H
+
的氧化还原电位(E0＝0.000V)低，呈稳定的离子状态，几乎不会附着在硅表面。但由于溶液浓度、溶液PH和杂质的影响，导致Al
3+
的条件氧化还原电位变化，不易呈现本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅片清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：采用含氟离子的酸性清洗溶液对硅片进行清洗，以去除硅片中的金属铝离子，其中氟离子的浓度大于6
E-9
mol/L，清洗溶液的PH值小于4。2.根据权利要求1所述的硅片清洗方法，其特征在于，氟离子的浓度为6
E-6
mol/L～6
E-9
mol/L。3.根据权利要求1所述的硅片清洗方法，其特征在于，所述清洗溶液的PH值为3～4。4.根据权利要求1所述的硅片清洗方法，其特征在于，所述清洗溶液中包括HF、NH4F、BOE中的至少一种。5.根据权利要求1所述的硅片清洗方法，其特征在于，所述清洗溶液中包含一元酸或二元酸。6.根据权利要求1所述的硅片清洗方法，其特征在于，步骤S1之前还包括：S00：采用SC1清洗液对硅片进行清洗，以去除硅片表面的颗粒污染、有机杂质及金属离子，所述SC1清洗液包括NH4OH，H2O2，H2O；S01：采用DHF清洗液对硅片进行清洗，以腐蚀在步骤S00中在硅片表面形成的氧化膜，所述DHF清洗液包括HF，H2O。7.根据权利要求1所述的硅片清洗方法，其特征在于，步骤S1之前还包括：S00：采用SC1清洗液对硅片...

【专利技术属性】
技术研发人员：衡鹏，李阳，
申请(专利权)人：西安奕斯伟材料技术有限公司，
类型：发明
国别省市：