【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
种用于从基片上剥离光致抗蚀剂的组合物,其含有: 大约5wt%到大约50wt%的烷基取代的吡咯烷酮、烷基取代的哌啶酮、或它们的混合物; 大约0.2%到大约20%的一种或多种链烷醇胺;以及 大约50%到大约94%的亚砜、亚磺氨苯砜、或它们的混合物, 其中,当基片浸泡在温度保持在70℃的组合物中30分钟,并以大约每分钟200转的速度相对于组合物旋转时,所述组合物以小于大约每分钟10*的速度从铜基片上除去铜。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员:DL周,RJ斯莫,
申请(专利权)人:EKC技术公司,
类型:发明
国别省市:US[美国]
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