【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种用于剥离金属布线形成中所使用的光阻剂的剥离液组合物,特别是一种对包含环形胺(cyclic amine)、溶剂等的双组份以上的剥离液、或者对上述组份中再包含有防腐剂而防止因贾凡尼效应(galvanic effect)产生腐蚀等的三组份以上的剥离液,添加剥离促进剂,从而可提高剥离性能的光阻剂剥离液组合物(Compositionfor removing a photoresist)。
技术介绍
在集成电路(IC)、大规模集成电路(LSI)、超大规模集成电路(VLSI)等半导体装置和液晶显示装置(LCD)等的制造中,为金属布线的形成,采用照相平版印刷术(Photo-lithography)工程。为去除这种用于光刻过程中的光阻剂,在产业初期采用了由苯酚及其衍生物和烷基苯磺酸(alkylbenzenesulfonic acid)及氯化物系列有机溶剂所构成的溶液。但是这种剥离剂含有苯酚系列化合物及氯系列有机溶剂,因此具有毒性,会腐蚀其下的金属层,且其废液难以处理,而且由于非水溶性而难免使剥离后清洗工程变得复杂。并且,随着所加工金属布线的细微化倾向,增加了金 ...
【技术保护点】
一种光阻剂剥离液组合物,其特征在于:包含环形胺、溶剂及剥离促进剂。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员:尹锡壹,金圣培,金玮溶,郑宗铉,许舜范,金柄郁,
申请(专利权)人:株式会社东进世美肯,
类型:发明
国别省市:KR[韩国]
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