一种处理LED芯片多金异常的方法技术

本发明专利技术涉及一种处理LED芯片多金异常的方法，其步骤包括：使用光阻覆盖芯片，并通过黄光制程得到图形以保护电极；将电极已被保护的芯片放入至含碘的碘化钾溶液中腐蚀；将芯片取出，清洗并吹干；所述芯片吹干后放入去光阻液中去除光阻；光阻去除后将芯片放入去离子水中进行清洗并吹干。由于本发明专利技术在处理多金异常时对芯片结构未有影响，因而可以提高产品良率、节省物料、提高生产效率。

【技术实现步骤摘要】
一种处理LED芯片多金异常的方法
本专利技术属于LED芯片制造领域，尤其涉及一种处理LED芯片多金异常的方法。
技术介绍
发光二极管(LED)可将电能转化为光能，目前用于制作LED芯片的衬底的材料大抵分为蓝宝石、硅、碳化硅三种。以蓝宝石为衬底制作的发光二极管，由磊晶通过气相沉积使GaN材料在蓝宝石衬底上形成外延层。本文中的发光二极管芯片包括:N型半导体层、形成于N型半导体层上的发光层、形成于发光层上的P型半导体层、形成于P型半导体层上的透明导电层、形成于透明导电层上的P电极和形成于N型半导体层上的N电极。在传统生产中的，电极经由蒸镀完成。为降低生产成本与改善电极表面状况，可引入化镀金制程，即:进行电极的制作时，通过蒸镀形成P、N两个薄电极，在薄电极的基础上通过化镀形成满足厚度需求的进电极层，图1示出了电极的形成方式。在实际生产中，由于化镀金制程中的异常，造成芯片表面除电极外的其他区域生成金层或金颗粒，即本文中所述的多金异常。所述的金层或金颗粒在芯片表面吸收芯片所发出的光，造成出光效率降低；若所述金层或金颗粒形成于芯片边缘，由于存在尖端放电效应，可能造成芯片在使用过程中被击穿，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种处理LED芯片多金异常的方法，其特征在于包括如下步骤：（a）、使用光阻覆盖芯片，并通过黄光制程得到图形以保护电极；（b）、将电极已被保护的芯片放入至含碘的碘化钾溶液中腐蚀；（c）、等多金异常被腐蚀完后将芯片取出，清洗并吹干；（d）、芯片吹干后放入去光阻液中去除光阻;

【技术特征摘要】
1.一种处理LED芯片多金异常的方法，其特征在于包括如下步骤: (a)、使用光阻覆盖芯片，并通过黄光制程得到图形以保护电极； (b )、将电极已被保护的芯片放入至含碘的碘化钾溶液中腐蚀； (C)、等多金异常被腐蚀完后将芯片取出，清洗并吹干； (d)、芯片吹干后放入去光阻液中去除光阻；2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于:碘化钾溶液中主要成份为K+、1-、I2和水。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于:所述碘化钾溶液中不含其它...

【专利技术属性】
技术研发人员：樊邦扬，
申请(专利权)人：鹤山丽得电子实业有限公司，
类型：发明
国别省市：