连三吡咯并吡咯二酮聚合物及其合成方法与应用技术

本发明专利技术公开了一种连三吡咯并吡咯二酮聚合物及其合成方法与应用。该聚合物的结构如式Ⅰ所示，其中，R为C

Three pyrrole two ketone polymer and synthetic method and application thereof

The invention discloses a polymer with three pyrrole pyrrole two ketone and a synthetic method and application thereof. The structure of the polymer is shown in equation 1, in which R is C

【技术实现步骤摘要】
连三吡咯并吡咯二酮聚合物及其合成方法与应用
本专利技术属于材料领域，涉及一种连三吡咯并吡咯二酮聚合物及其合成方法与应用。
技术介绍
有机场效应晶体管(Organicfield-effecttransistors,简称OFETs)是一种电压控制器件，它通过栅极电压调控源-漏电极间电流大小，有机半导体活性层是该器件的核心部分。其半导体层可以选用有机共轭小分子和共轭聚合物。与无机场效应晶体管(半导体层是无机物，如单晶硅)相比，有机场效应晶体管具有器件制备工艺简单，可大面积溶液法打印加工，可制备柔性器件等优点。因此，有机场效应晶体管受到了人们的广泛关注，被期望能够应用于各种显示装置以及存储器方面，例如电子商标、传感器、存储器、大规模集成电路和有源矩阵显示器等。有机场效应晶体管作为有机光电电路的关键单元器件，有望取代传统的无机场效应晶体管器件，将带来全新的商业机遇。在OFETs器件中起关键作用的半导体层材料按其载流子传输特性可分为p型，n型和双极性半导体材料，其载流子分别为空穴，电子，空穴和电子。目前的研究表明，有三个体系的聚合物材料表现出优异的OFETs性能，它们分别为吡咯并吡咯二酮(dik本文档来自技高网...

【技术保护点】
式I所示聚合物：

【技术特征摘要】
1.式I所示聚合物：所述式I中，R为碳原子总数为1-60的直链或支链烷基；Ar基团选自如下基团中的任意一种；所述Ar基团中，均表示取代位；n为5-100。2.根据权利要求1所述的聚合物，其特征在于：所述式I中R为碳原子总数为1-30的直链或支链烷基或2-癸基十四烷基。3.一种制备权利要求1或2任一所述式I所示聚合物的方法，包括如下步骤：将式V所示化合物与双甲基锡化合物在催化剂和配体的作用下进行聚合反应，反应完成后得到所述式I所示聚合物；所述式V中，R的定义与权利要求1中式I中R的定义相同。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：所述双甲基锡化合物选自如下化合物中的任意一种：所述催化剂选自四(三苯基膦)钯、二(三苯基膦)二氯化钯和三(二亚苄基丙酮)二钯中的至少一种；所述配体选自三苯基膦、三(邻甲苯基)膦和三苯基胂中的至少一种。5.根据权利要求3或4所述的方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘云圻，杨杰，王翰林，姜莹莹，陈金佯，郭云龙，王帅，
申请(专利权)人：中国科学院化学研究所，
类型：发明
国别省市：北京,11