液浸曝光处理用抗蚀剂组合物及使用该抗蚀剂组合物的抗蚀剂图形形成方法技术

本发明专利技术涉及含有（Ａ）含有碱可溶性结构单元（ａ１），并且在酸的作用下碱可溶性发生变化的聚合物，其中结构单元（ａ１）含有同时具有（ｉ）氟原子或氟代烷基和（ｉｉ）醇羟基的脂环基，以及（Ｂ）通过光照产生酸的酸发生剂的液浸曝光处理用抗蚀剂组合物，以及使用该组合物的抗蚀剂图形形成方法。由此不仅能实现高分辨率和焦点深度，还可回避浸渍液的不良影响。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及适宜得到用于液浸曝光(Liquid ImmersionLithography)处理的尤其是下述液浸曝光的抗蚀剂膜的抗蚀剂组合物(resist composition)以及使用该抗蚀剂组合物的抗蚀剂图形形成方法，该液浸曝光处理是在光刻曝光光(リソグラフィ-露光光)到达抗蚀剂膜的路径中的至少上述抗蚀剂膜上存在折射率比空气大的预定厚度的液体的状态下，透过该液体曝光上述抗蚀剂膜，由此与常规光刻法相比，能提高抗蚀剂图形的分辨率。
技术介绍
在半导体装置、液晶装置等各种电子装置的微细结构的制造中，多使用光刻法，但伴随装置结构的微细化，要求光刻工序中的抗蚀剂图形也微细化。目前，例如在最尖端的领域中利用光刻法能形成线宽为90nm左右的微细抗蚀剂图形，但今后要求形成更微细的图形。为了能形成比90nm更微细的图形，曝光装置和与其相对应的抗蚀剂的开发最重要。在曝光装置中，通常以F2激光、EUV(超紫外光)、电子射线、X射线等光源波长的短波长化和透镜的数值孔径(開口数)(NA)的增大等作为开发重点。但是，光源波长的短波长化需要昂贵的新曝光装置，而且，由于在高NA化中，分辨率和焦点深度具有平本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种液浸曝光处理用抗蚀剂组合物，其用于通过液体曝光抗蚀剂膜的液浸曝光处理，其特征在于，将使用该抗蚀剂组合物形成的涂膜曝光后或以未曝光的状态浸渍在氟系液体中，接下来在该浸渍状态下利用石英晶体振子法测定该涂膜膜厚度的变化时，曝光后的涂膜和未曝光的涂膜两者从测定开始１０秒钟内的最大膜厚增加量均小于或等于３．０ｎｍ。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：远藤浩太朗，吉田正昭，平山拓，辻裕光，绪方寿幸，佐藤充，
申请(专利权)人：东京応化工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]