液浸曝光用抗蚀剂组合物及用其生产半导体器件的方法技术

本发明专利技术涉及一种用于液浸曝光的抗蚀剂组合物，该抗蚀剂组合物包括基体树脂，该基体树脂通过酸转化为碱溶性，根据发明专利技术实施例的一个方面。抗蚀剂组合物进一步包含具有含硅侧链树脂，该树脂能通过酸转化为碱溶性的，其中硅含量与基体树脂与该树脂的总量相比，为１ｗｔ％或更低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种抗蚀图案用抗蚀剂组合物，该抗蚀图案形成于采用液 浸曝光技术的半导体器件生产工艺中，上述技术是通过将晶片和曝光器件 的物镜之间充满介质(液体)而进行的，该介质具有高于1 (空气折射率)的折射率n，同时可以提供更高的分辨率。本专利技术还涉及一种采用抗蚀剂 组合物生产半导体器件的方法。
技术介绍
随着半导体集成电路的封装密度逐渐增加，最小图案的尺寸被微型到 100nm或更小。例如，为了形成精细图案，抗蚀膜在具有薄膜的工件衬底 的表面上形成，然后进行选择性曝光，并随后显影，由此形成抗蚀图案。 通过使用该抗蚀图案作为掩模，对衬底进行干法蚀刻处理，随后，去除抗 蚀图案，从而形成所需图案。为了形成更精细的图案，曝光光源的波长需要减小，同时根据光源的 性质抗蚀剂材料需要具有更高的分辨率。为了能使曝光源具有更短的波 长，需要改良曝光器件，但这需要巨大的成本。当作为下一代曝光光线和 KrF (氟化氪)准分子激光替代品的ArF (氟化氩)准分子激光(波长 193nm)进行实际应用并且开始商业化运作时，ArF准分子激光依然是昂 贵的。而且，开发适用于短波长光曝光的抗蚀剂材料并非易事，同时本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于液浸曝光的抗蚀剂组合物，其包括：　基体树脂，该基体树脂通过酸转化为碱溶性的，和　具有含硅侧链的树脂，该树脂能通过酸转化为碱溶性的，　其中硅的含量相对于基体树脂和具有含硅侧链的树脂的总量为１ｗｔ％或更低。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：野崎耕司，小泽美和，
申请(专利权)人：富士通株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]