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液浸曝光用抗蚀剂组合物及用其生产半导体器件的方法技术
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文档序号:4319882
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本发明涉及一种用于液浸曝光的抗蚀剂组合物,该抗蚀剂组合物包括基体树脂,该基体树脂通过酸转化为碱溶性,根据发明实施例的一个方面。抗蚀剂组合物进一步包含具有含硅侧链树脂,该树脂能通过酸转化为碱溶性的,其中硅含量与基体树脂与该树脂的总量相比,为1...
该专利属于富士通株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过富士通株式会社授权不得商用。
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