一种利用金属层缩小π位相偏移光刻特征尺寸的方法技术

一种利用金属层缩小π位相偏移光刻特征尺寸的方法：依据ＰＤＭＳ的折射率计算产生π位相光程差需要的深度Ｈ；制作浮雕深度为Ｈ的高陡直度结构；将ＰＤＭＳ倾倒于高陡直度结构表面，在３０－９０℃的环境中固化，冷却后，剥离已经固化的ＰＤＭＳ膜，形成π位相相移光刻模板；将基底表面涂覆光刻胶，并在光刻胶表面蒸镀金属层；将π位相相移光刻模板的图形面与基底表面的金属层紧密贴合；采用ＴＭ偏振的偏振光垂直照射ＰＤＭＳ材质的π位相相移光刻模板，进行曝光；然后掀掉ＰＤＭＳ模板，并去掉抗蚀剂表面的金属层；对抗蚀剂进行显影，最后形成需要的光刻线条。本发明专利技术采用金属层对从π位相突变结构出射的光场进行二次调制，将出射的线条宽度缩小为原来的１／２，为制备亚百纳米的结构提供了很好的技术途径。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种利用金属层缩小π位相偏移光刻特征尺寸的方法，包括以下步骤：（１）依据ＰＤＭＳ的折射率计算产生π位相光程差需要的深度Ｈ；（２）制作浮雕深度为Ｈ的高陡直度结构；（３）将ＰＤＭＳ倾倒于高陡直度结构表面，并在３０－９０℃的环境中固化，取出冷却后，剥离已经固化的ＰＤＭＳ膜，形成π位相相移光刻模板；（４）将基底表面涂覆光刻胶，并在光刻胶表面蒸镀金属层；（５）将π位相相移光刻模板的图形面与基底表面的金属层紧密贴合；（６）采用ＴＭ偏振的偏振光垂直照射ＰＤＭＳ材质的π位相相移光刻模板，进行曝光；（７）曝光完成后，掀掉ＰＤＭＳ模板，并去掉抗蚀剂表面的金属层；（８）对抗蚀剂进行显影，最后形成需要的光刻线条。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：董小春，史立芳，杜春雷，
申请(专利权)人：中国科学院光电技术研究所，
类型：发明
国别省市：51[中国|四川]