在一个激励RF脉冲之后，照射多个重聚焦RF脉冲的序列中，为了无论切片厚度、FOV等摄影条件如何，都能够抑制已知的磁场变形发生位置中的尖状伪影，通过在激励RF脉冲与最初的重聚焦RF脉冲之间，在相位编码方向及/或切片编码方向上施加在该位置上使横向磁化发生相位偏移的、微小的失相梯度磁场，从而对该位置上的NMR信号(回波信号)的信号值进行抑制，使尖状伪影降低。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】磁共振成像装置及磁共振成像方法
本专利技术涉及磁共振成像(以下，称为MRI)技术，特别是涉及一种对因静磁场不均匀及梯度磁场非线性而产生的伪影(Artifact)进行抑制的技术。
技术介绍
在水平磁场MRI装置中，主流的是为了重视被检体的开放感而缩短了门架的Z轴(磁场方向)长度的短门架型MRI装置。但是，在短门架型MRI装置中，由于静磁场均匀空间和梯度磁场线性区域狭窄，因此，门架端部的磁场会产生变形。因为摄影FOV以外的磁场变形的影响，会在摄影FOV内产生高亮度的亮点或者月牙形伪影。将其称为尖状伪影(CuspArtifact)。在将Z轴设定在相位编码方向上的矢状(SAG)及冠状(COR)截面的自旋回波(SpinEcho)系的摄影中，多会产生尖状伪影，其有时会成为诊断的妨碍。有一种通过使激励RF脉冲(ExcitationRF脉冲)和重聚焦RF脉冲(RefocusRF脉冲)两种RF脉冲引起的激励截面的角度偏移，以使激励截面不在磁场变形区域内重叠，从而对尖状伪影进行抑制的方法(例如，参照专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：美国专利技术专利申请公开2012/0025826号说明书
技术实现思路
专利技术要解决的课题但是，专利文献1所述的方法例如在如FSE(FastSpinEcho，快速自旋回波)序列那样的、在一个激励RF脉冲之后照射多个重聚焦RF脉冲的序列中无法应对。另外，由于在切片厚度较厚的情况下需要增大两者的激励角度差，因此，会产生相邻切片间的干扰引起的切片间亮度差、FOV内的信号降低。本专利技术鉴于上述情况而研发，其目的在于提供一种在一个激励RF脉冲之后照射多个重聚焦RF脉冲的序列中，无论切片厚度等摄影条件如何，都能避免尖状伪影的技术。用于解决课题的手段为了实现上述目的，本专利技术的磁共振成像装置通过使已知的磁场变形发生位置上的NMR信号(回波信号)的信号值降低，从而抑制尖状伪影。通过在磁场变形发生位置发生横向磁化的相位偏移，从而使该位置上的回波信号降低。相位偏移通过在任一RF脉冲间施加微小的失相梯度磁场来实现。该失相梯度磁场在相位编码方向及/或切片编码方向上施加。具体来说，本专利技术的磁共振成像装置具有以下所示的特征。特征在于：具备：摄像部，其具备静磁场发生部、梯度磁场发生部、高频磁场发生部及高频磁场检测部；和测量部，其按照摄影序列使各部动作，执行测量，所述摄影序列是自旋回波系序列，在所述自旋回波系序列的高频磁场脉冲间施加失相梯度磁场，以使发生磁场变形的磁场变形位置的回波信号降低。特征在于：所述摄影序列是快速自旋回波序列。另外，特征在于：以在所述磁场变形位置使横向磁化的相位旋转规定量的方式施加所述失相梯度磁场。另外，特征在于：还具备图像重构部，其根据所述测量部所测量到的回波信号对图像进行重构，所述测量部偶数次执行所述摄影序列，每次执行所述摄影序列都交替使极性反转地来施加所述失相梯度磁场，所述图像重构部对通过各摄像序列得到的重构图像进行相加。另外，特征在于：还具备施加量调整部，其对所述失相梯度磁场的施加量进行调整。特征在于：所述施加量调整部按照来自用户的指示对所述施加量进行调整。另外，特征在于：所述施加量调整部根据被指定为摄像条件的视野尺寸对所述施加量进行调整。另外，特征在于：所述施加量调整部以通过所述摄影序列得到的图像的像素值的总和成为最小的方式对所述施加量进行优化。特征在于：还具备图像校正部，其对因施加所述失相梯度磁场而降低的所述回波信号进行校正。特征在于：所述规定量为±1/4·π[rad]或±1/2·π[rad]。特征在于：与相位编码梯度磁场的施加轴同轴地施加所述失相梯度磁场。另外，特征在于：与切片编码梯度磁场的施加轴同轴地施加所述失相梯度磁场。另外，本专利技术的磁共振成像方法具有以下所示的特征。特征在于：在自旋回波系的序列的高频磁场脉冲间，以使发生磁场变形的磁场变形位置的回波信号降低的方式施加失相梯度磁场，并收集回波信号，得到重构图像。或者，特征在于：在自旋回波系的序列的高频磁场脉冲间，以使发生磁场变形的磁场变形位置的回波信号降低的方式施加失相梯度磁场，收集回波信号，得到第一重构图像，在与施加了所述自旋回波系的序列的所述失相梯度磁场的时刻相同的时刻，仅使极性反转来施加所述失相梯度磁场，收集回波信号，得到第二重构图像，使所述第一重构图像与所述第二重构图像相加，得到图像。专利技术效果根据本专利技术，无论切片厚度、FOV这样的摄影条件如何，都能够抑制尖状伪影。附图说明图1是表示第一实施方式的MRI装置的整体概要的框图。图2是第一实施方式的整体控制部的功能模块图。图3中的(a)和(b)是用于对第一实施方式的磁场变形引起的尖状伪影发生进行说明的说明图。图4是用于对FSE序列进行说明的说明图。图5是用于对作为第一实施方式的摄影序列的CAS序列310进行说明的说明图，(a)表示第奇数次执行的CAS序列310odd，(b)表示第偶数次执行的CAS序列310evn。图6是用于对通过第一实施方式的失相梯度磁场产生的空间上的相位分布进行说明的说明图，(a)表示第奇数次测量时的相位分布，(b)表示第偶数次测量时的相位分布。图7是第一实施方式的摄影处理的流程图。图8是表示第一实施方式的失相梯度磁场引起的相位偏移为0时的横向磁化的时间方向的变化和重聚焦RF脉冲的FA依赖的情形的图表，(a)是表示第一数据的强度变化的情形的图表，(b)是表示第二数据的强度变化的情形的图表，(c)是表示第三数据的强度变化的情形的图表，(d)是表示第一数据的相位变化的情形的图表，(e)是表示第二数据的相位变化的情形的图表，(f)是表示第三数据的相位变化的情形的图表。图9是表示第一实施方式的失相梯度磁场引起的相位偏移为1/12·π[rad]的区域的横向磁化的时间方向的变化和重聚焦RF脉冲的FA依赖的情形的图表，(a)是表示第一数据的强度变化的情形的图表，(b)是表示第二数据的强度变化的情形的图表，(c)是表示第三数据的强度变化的情形的图表，(d)是表示第一数据的相位变化的情形的图表，(e)是表示第二数据的相位变化的情形的图表，(f)是表示第三数据的相位变化的情形的图表。图10是表示第一实施方式的失相梯度磁场引起的相位偏移为2/12·π[rad]的区域的横向磁化的时间方向的变化和重聚焦RF脉冲的FA依赖的情形的图表，(a)是表示第一数据的强度变化的情形的图表，(b)是表示第二数据的强度变化的情形的图表，(c)是表示第三数据的强度变化的情形的图表，(d)是表示第一数据的相位变化的情形的图表，(e)是表示第二数据的相位变化的情形的图表，(f)是表示第三数据的相位变化的情形的图表。图11是表示第一实施方式的失相梯度磁场引起的相位偏移为3/12·π[rad]的区域的横向磁化的时间方向的变化和重聚焦RF脉冲的FA依赖的情形的图表，(a)是表示第一数据的强度变化的情形的图表，(b)是表示第二数据的强度变化的情形的图表，(c)是表示第三数据的强度变化的情形的图表，(d)是表示第一数据的相位变化的情形的图表，(e)是表示第二数据的相位变化的情形的图表，(f)是表示第三数据的相位变化的情形的图表。图12是表示第一实施方式的失相梯度磁场引起的相位偏移为4/12·π[rad]的区域的横向磁本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种磁共振成像装置，其特征在于具备：摄像部，其具备静磁场发生部、梯度磁场发生部、高频磁场发生部及高频磁场检测部；和测量部，其按照摄影序列使各部动作并执行测量，所述摄影序列是自旋回波系序列，在所述自旋回波系序列的高频磁场脉冲间施加失相梯度磁场，以使发生磁场变形的磁场变形位置的回波信号降低。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.08.05 JP 2014-1592901.一种磁共振成像装置，其特征在于具备：摄像部，其具备静磁场发生部、梯度磁场发生部、高频磁场发生部及高频磁场检测部；和测量部，其按照摄影序列使各部动作并执行测量，所述摄影序列是自旋回波系序列，在所述自旋回波系序列的高频磁场脉冲间施加失相梯度磁场，以使发生磁场变形的磁场变形位置的回波信号降低。2.根据权利要求1所述的磁共振成像装置，其特征在于，所述摄影序列是快速自旋回波序列。3.根据权利要求1所述的磁共振成像装置，其特征在于，施加所述失相梯度磁场，使得在所述磁场变形位置使横向磁化的相位旋转规定量。4.根据权利要求1所述的磁共振成像装置，其特征在于，所述磁共振成像装置还具备图像重构部，所述图像重构部根据所述测量部所测量到的回波信号对图像进行重构，所述测量部偶数次执行所述摄影序列，以每次执行所述摄影序列都交替地使极性反转的方式施加所述失相梯度磁场，所述图像重构部对通过各摄像序列得到的重构图像进行相加。5.根据权利要求1所述的磁共振成像装置，其特征在于，所述磁共振成像装置还具备对所述失相梯度磁场的施加量进行调整的施加量调整部。6.根据权利要求5所述的磁共振成像装置，其特征在于，所述施加量调整部按照来自用户的指示，对所述施加量进行调整。7.根据权利要求5所述的磁共振成像装置，其特征在于，所述施加量调整部根据被指定为摄像条件的视野尺寸对所述施加量进行调整。8.根据权利要求5所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：平井甲亮，
申请(专利权)人：株式会社日立制作所，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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