使曝光和测量人工痕迹最小的参考校准片布置制造技术

按照曝光量序列在照相材料上产生的参考校准片，把呈现主要方向上的线状缺陷的照相材料安排成二维阵列，并向所述阵列中的参考校准片指定曝光量，使得在主要方向上最靠近的相邻者在所述曝光量序列中不是最靠近的，从而减少小线状缺陷的影响；并且参考校准片和在任何方向上与其最靠近的相邻者之间在所述曝光量序列中的最大级数少于预定数量，从而降低闪光的影响。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及照相，更具体地说，涉及供照相加工使用的照相材料上参考校准片的布置。
技术介绍
在本技术中已知的是，利用在胶卷上曝光的参考校准片序列，使在光学印刷时能更好地控制曝光量；参见例如于1998年6月16日授予Terashita的美国专利第5,767,983号。参考校准片的运用还被证明在确定数字印刷中所用的扫描胶片数据的校正值方面是有用的。参见例如1997年9月16日授予Reem等人的美国专利第5,667,944号和1997年7月15日授予Wheeler等人的美国专利第5,649,260号。这些参考校准片所遇到的问题包括将参考校准片曝光到胶片上时自然产生的人工痕迹的出现、在随后测量冲洗过的胶片上的小片时所遇到的困难、以及由缺陷如冲印好的片的影像中的划痕或条痕引起的数据丢失。为了限制参考校准片所占的胶片面积，最好在胶片的最小面积上曝光尽可能多的参考校准片。在曝光过程中，来自高曝光量的参考校准片的闪光可能会影响附近片的曝光，从而影响附近片的预期曝光量。在测量过程中，尤其是在高密度片的情况下，闪光可能会使片密度的精确读数产生偏差。专利技术概述因此，需要一种改进的参考校准片布置，以使上述问题减至最少。根据本专利技术，通过提供一种由在照相材料上的曝光量序列得出的参考校准片的布置来满足上述需要，其中所述照相材料呈现主要方向上的线状缺陷，把所述片安排在二维阵列中，并对所述阵列中的参考校准片指定曝光量，以使在主要方向上最近的相邻者不是曝光量序列中最近的相邻者，从而减少线状缺陷的影响；并且参考校准片和在任何方向上与其最近的相邻者之间在曝光量序列上最大阶数少于预定数量，从而降低闪光的影响。本专利技术的参考校准片布置具有以下优点减小在曝光片时曝光闪光的影响、用于读取所述片的扫描仪中的闪光的影响、以及对伸直线型缺陷的数据丢失的影响，同时使照相材料上参考校准片布置所占据的矩形区域减至最小。最佳实施例描述我们发现，通过测量曝光到胶卷上的参考校准片的序列来确定用于校准胶片数据的校正值是困难的，除非以特定的方式做出这些片的布置，以使曝光和测量过程中的人工痕迹减至最少。另外，我们还发现可以设置参考校准片序列，以有效利用胶片上的空间。根据本专利技术的参考校准片的布置还可实现对伸直线型缺陷(如条痕，划痕等)的存在而引起的数据丢失的最终参考校准的更好健壮性。本专利技术中所采用参考校准片序列可以是多个中性片、彩色片、或者其任何组合。当将一序列的参考校准片置于照相材料上时，在曝光步骤，在测量步骤，或者在确定最佳布置和曝光量分配的设计选择中均可能会产生问题。照相材料至少包括具有感光层的基底，所述感光层对光敏感而产生可显影的潜像。该感光层可包括常规的卤化银化学成分或其他感光材料，如可热显影或可加压显影的化学成分。它可具有透明基底、反射基底、或带有磁敏感涂层的基底。照相材料可以通过标准化学方法来处理，包括但不限于Kodak方法C-41及其变体，ECN-2，VNF-1，ECP-2及其变体，D-96，D-97，E-4，E-6，K-14，R-3，以及RA-2SM，或者RA-4；Fuji方法CN-16及其变体，CR-6，CP-43FA，CP-47L，CP-48S，RP-305，RA-4RT；Agfa MSC 100/101/200胶片和相纸处理方法，Agfacolor方法70、71、72和94，Agfachrome方法44NP和63；以及Konica方法CNK-4，CPK-2-22，DP和CRK-2，和Konica ECOJET HQA-N，HQA-F和HQA-P方法。可以采用替代处理方法来处理照相材料，诸如可在照相材料中保留一些或全部显影的银或卤化银的表观干法，或者可包括分层和使照相材料膨胀而添加的适量水的表观干法。根据照相材料的设计，还可以采用可包括热处理或高压处理的干法来处理所述照相材料。所述处理还可以包括表观干法、干法以及常规湿法的组合。适用的替代法和干法的实例包括在下列专利申请中公开的方法Levy等人于2000年6月3日登记的序列号为60/211,058的美国专利申请；Irving等人于2000年6月3日登记的序列号为60/211,446的美国专利申请；Irving等人于2000年6月3日登记的序列号为60/211,065的美国专利申请；Irving等人于2000年6月3日登记的序列号为60/211,079的美国专利申请；Ishikawa等人于1997年3月12日公开的EP专利第0762201A1号；1wai等人于1998年12月12日公开的EP专利第0926550A1号；1998年11月3日授予Ueda的美国专利第5,832,328号；1998年5月26日授予Kobayashi等人的美国专利第5,758,223号；1997年12月16日授予Nakahanada等人的美国专利第5,698,382号；1996年5月21日授予Edgar的美国专利第5,519,510号；以及1999年11月23日授予Edgar的美国专利第5,988,896号。参照图5，在曝光步骤中，当两个参考校准片512和514被曝光到照相材料510上时，预定使片512曝光的光可能照射在覆盖了为片514所设计的区域的更大区域516上。几种自然过程，包括闪光和光散射，可能导致曝光影响到更大区域516。相反，参照图6，预定使片514曝光的光同样可能照射到覆盖为片512所设计的区域的更大区域518上。在下列表1的第1和第2栏中表示出为片512和514指定的各对预定曝光量的示例。在此示例中，片512的曝光导致整个周围区域516的闪光，假定后者在为片512预定的曝光量的1％的等级。由此，给了区域516所覆盖的片514增加的曝光量。类似地，片5 14的曝光导致整个周围区域518的闪光，假定后者在为片514预定的曝光量的1％的等级。由此，给了区域518所覆盖的片512增加的曝光量。作为这种曝光交叉污染的结果，片的局部实际会接收到表1的第3和第4栏中所示的曝光量。在第5和第6栏中表示得出的对数曝光量误差。表1 这些示例表明，在各种情况下，在被指定接收较高等级的曝光量的片512中，对数曝光量误差都比被指定接收较低等级的曝光量的片514的低。而且，正如在该表的第4和第5行中看到的，相对误差只取决于各种等级之比。另外，曝光量之比越接近于1，对数曝光量误差就变得越低，正如在该表的前四行中所看到的，其中来自片512的污染的绝对量保持10个单位的常量。在宽的曝光量范围上，照相材料如彩色负片对于对数曝光量的响应一般是线性的。在这种情况下，如果附近片的曝光量等级在曝光量之比上接近或在对数曝光量上相等，明显减小了具有互相接近的不同曝光量的参考校准片的交叉污染的影响。在一般应用中，由于诸如来自照明系统的光闪烁或胶片内的光散射这样的作用过程，杂散光的强度随距离持续减小。对于预定曝光量的失误的给定可接受率，两个片的预定照度级越接近，完全在发生不可接受的曝光之前可把它们放置得越近，且片内不可接受的污染的任何区域将会越小。相反，在给定片间距下，两个片的预定照度级越接近，在任何点的预定曝光量的失误率变得越低。可以使用在具有显著杂散光的系统中产生的参考校准片，只要它们大或宽到足以与其他、一般仅仅相邻的片分开，以容许在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种照相材料，所述照相材料在主要方向上呈现线状缺陷，它包括：ａ）基底；ｂ）所述基底上的感光层；以及ｃ）在所述感光层上按照曝光序列产生的多个参考校准片的潜像，所述参考校准片被安排成二维阵列，其中在所述主要方向上最靠近的相邻者不是在 所述曝光量序列中最靠近的相邻者，并且参考校准片和在任何方向上与其最靠近的相邻者之间在所述曝光量序列中的最大级数少于预定数量。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：JT基奇，DO比格罗，ND卡希尔，TF鲍尔斯，JP斯彭斯，
申请(专利权)人：伊斯曼柯达公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]