一种高导热率碳化硅器件封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高导热率碳化硅器件封装结构。所述高导热率碳化硅器件封装结构包括绝缘基板、电路层、金属层及热沉，所述绝缘基板位于所述电路层及所述金属层之间，所述金属层的下表面形成有若干导热窗口，并覆盖于所述热沉上。所述电路层的厚度在0.1mm～3.0mm的范围内，用于通过刻蚀形成所需的电路图案。所述绝缘基板用于防止所述电路层与所述金属层电性接触。所述金属层的厚度在0.1mm～4.0mm的范围内，用于减少所述绝缘基板与所述热沉之间线性膨胀差，且所述金属层与所述电路层的厚度之比大于或等于1.4且小于或等于12。如此，能够有效减少封装结构翘曲，提高碳化硅器件结构的导热率和可靠性。导热率和可靠性。导热率和可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种高导热率碳化硅器件封装结构


[0001]本技术涉及碳化硅器件封装领域，尤其涉及一种高导热率碳化硅器件封装结构。

技术介绍

[0002]碳化硅功率半导体器件通常包括硅芯片，半导体电路、电路基板及热沉。碳化硅半导体器件可以在250℃～300℃的温度下稳定地操作，可以显着增加功率器件的输出。电路基板具有绝缘性，由导热率较高的氮化铝等组成。热沉具有较高导热率并确保更容易大面积制造的散热器件，例如Cu，Al，Cu-Mo或Cu-W。使用粘接剂和焊料等将各部件粘接。金属层位于芯片和热沉之间，承担着散热过渡和应力过渡的双重作用，铜的线性热膨胀系数与半导体衬底的热膨胀系数相差较大，封装时热应力施加于衬底。基板由于温度的变化导致反复弯曲，易使陶瓷板及软钎料结合位置产生裂缝，导致封装基板翘曲，粘接部位脱开，可靠性降低。
[0003]常规减少功率模块基板的翘曲是通过提高热沉热量散失量，从而降低功率模块基板温度水平，进而减小线性膨胀差。随着碳化硅器件功率的增大，热量产生量增加，基板与热沉的散热量以及功率模块基板间温差以及材料翘曲量需进一步的改进。

技术实现思路

[0004]鉴于此，有必要提供一种高导热率碳化硅器件封装结构，能够有效减少封装结构翘曲，提高碳化硅器件结构的导热率和可靠性。
[0005]本技术为达上述目的所提出的技术方案如下：
[0006]一种高导热率碳化硅器件封装结构，包括热沉，所述高导热率碳化硅器件封装结构还包括绝缘基板、电路层及金属层，所述绝缘基板位于所述电路层及所述金属层之间，所述金属层的下表面形成有若干导热窗口，并覆盖于所述热沉上，所述电路层的厚度在0.1mm～3.0mm的范围内，用于通过刻蚀形成所需的电路图案，所述绝缘基板用于防止所述电路层与所述金属层电性接触，所述金属层的厚度在0.1mm～4.0mm的范围内，用于减少所述绝缘基板与所述热沉之间线性膨胀差，且所述金属层与所述电路层的厚度之比大于或等于1.4且小于或等于12。
[0007]进一步地，所述若干导热窗口呈阵列分布，所述若干导热窗口的形状均为圆柱体、长方体或三菱柱体中的一种。
[0008]进一步地，所述绝缘基板为氮化铝陶瓷材料、氧化铝陶瓷材料或者碳化硅陶瓷材料中一种。
[0009]进一步地，所述电路层、所述绝缘基板、所述金属层及所述热沉之间每相邻的叠层之间设有粘接层，所述粘接层为活性金属钎焊材料。
[0010]进一步地，所述热沉为Al-SiC多孔复合材料。
[0011]上述技术提供的高导热率碳化硅器件封装结构通过将电路层的厚度设计在
0.1mm～3.0mm的范围内，还通过将金属层的厚度设计在0.1mm～4.0mm的范围内，并使得所述金属层与所述电路层的厚度之比大于或等于1.4且小于或等于12。如此，可有效减少器件封装结构翘曲，提高碳化硅器件的可靠性。
附图说明
[0012]图1为本技术的高导热率碳化硅器件封装结构的一较佳实施方式的剖面示意图。
[0013]图2为图1中金属层及金属层下表面的一较佳实施方式的结构示意图。
[0014]图3为图1中金属层下表面的另一较佳实施方式的结构示意图。
[0015]图4为本技术的高导热率碳化硅器件封装结构的翘曲测量示意图。
[0016]主要元件符号说明
[0017]碳化硅封装结构
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10
[0018]电路层
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32
[0022]热沉
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具体实施方式
[0025]为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，下面结合附图和具体实施例对本技术作进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
[0026]本技术提供了一种高导热率碳化硅器件封装结构10。请参考图1，图1 为本技术的一较佳实施方式的剖面示意图。所述高导热率碳化硅器件封装结构10包括电路层1、绝缘基板2、金属层3及热沉4。所述绝缘基板2位于所述电路层1及所述金属层3之间，所述金属层3的下表面覆盖于所述热沉4上。
[0027]所述电路层1由铜或铜合金构成的铜板形成，用于通过刻蚀形成所需的电路图案。所述电路层1的厚度在0.1mm～3.0mm的范围内。所述绝缘基板2为氮化铝陶瓷材料、氧化铝陶瓷材料或者碳化硅陶瓷材料中一种，用于防止所述电路层1与所述金属层3电性接触。所述绝缘基板2的厚度在0.3mm～1.0mm的范围内。所述金属层3由铜或铜合金构成的铜板形成，用于减少所述绝缘基板2 与所述热沉4之间线性膨胀差，承担着散热过度和应力过度的双重作用。所述金属层3的厚度在0.1mm～4.0mm的范围内。所述金属层3的厚度与所述电路层1的厚度之比大于或等于1.4且小于或等于12。
[0028]进一步地，所述电路层1、所述绝缘基板2、所述金属层3及所述热沉4之间每相邻的叠层之间均设有粘接层5。所述粘接层5为活性金属钎焊材料，如金锡焊料。所述粘接层5的厚度在0.015mm～0.3mm的范围内。
[0029]具体而言，当所述金属层3厚度L3太大时，所述金属层3热膨胀将导致所述绝缘基
板2破裂；当所述金属层的厚度L3太小时，所述金属层3强度不够，所述绝缘基板2与所述热沉4之间将产生翘曲。当所述电路层1的厚度L1太小时，所述电路层1与所述绝缘基板2之间的粘接层5中的粘合材料可能通过加热而渗出所述电路层1的表面；当所述电路层1的厚度L1过大时，由于金属膨胀系数大于陶瓷的膨胀系数，所述绝缘基板2在受热后可能会破裂。而当所述电路层1的厚度L1大于所述金属层3的厚度L3时，所述电路层1的热膨胀影响将增加，从而产生翘曲。
[0030]如此一来，通过合理设置所述电路层1与所述金属层3的厚度比例关系，可有效减少所述电路层1、所述绝缘基板2、所述金属层3与所述热沉4之间产生的翘曲。
[0031]请参考图2及图3，所述金属层3的下表面形成有若干导热窗口32。所述若干导热窗口32埋设于所述金属层3与所述热沉4之间的粘接层5中。所述若干导热窗口32呈阵列分布。所述若干导热窗口32的形状均为圆柱体、长方体或三菱柱体中的一种。所述若干导热窗口32的厚度小于或等于所述粘接层5的厚度，以保证粘接可靠性。所述若干导热窗口32的厚度在0.005mm～0.2mm的范围内。如此，可在热导率相对较低的粘结层5中设置本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高导热率碳化硅器件封装结构，包括热沉，其特征在于，所述高导热率碳化硅器件封装结构还包括绝缘基板、电路层及金属层，所述绝缘基板位于所述电路层及所述金属层之间，所述金属层的下表面形成有若干导热窗口，并覆盖于所述热沉上，所述电路层的厚度在0.1mm～3.0mm的范围内，用于通过刻蚀形成所需的电路图案，所述绝缘基板用于防止所述电路层与所述金属层电性接触，所述金属层的厚度在0.1mm～4.0mm的范围内，用于减少所述绝缘基板与所述热沉之间线性膨胀差，且所述金属层与所述电路层的厚度之比大于或等于1.4且小于或等于12。2.如权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜蕾，和巍巍，汪之涵，
申请(专利权)人：深圳基本半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：