半导体基板及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体基板及其制造方法，该半导体基板包括：第一介电层，具有位于所述第一介电层中的第一通孔；第一电镀层，具有位于所述第一通孔内的第一通道层以及从所述第一通道层延伸至位于所述第一介电层上表面上的第一焊盘层；其中，所述第一焊盘层的厚度与所述第一通孔的开口宽度之间的比值大于或等于1。本发明专利技术的技术方案，至少至少能够避免通孔电镀表面的凹陷问题。孔电镀表面的凹陷问题。孔电镀表面的凹陷问题。

【技术实现步骤摘要】
半导体基板及其制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，更具体的，涉及一种半导体基板及制造半导体基板的方法。

技术介绍

[0002]在半导体基板设计中，例如当介电层厚度越厚(绝缘)时，通孔(via，也称为盲孔)12的电镀表面凹陷14(dimple)程度将提升，如图1A所示。由于电镀表面凹陷，进而在镭射钻孔制程时，镭射20射击表面的凹陷14时发生散射，导致上方的通孔16的侧壁18被侵蚀而开孔异常、通孔开孔产生孔破30，如图1B所示。因此，目前遇到的瓶颈是对于通孔堆叠的位置处都会产生孔破现象，这会使通孔的电性大幅降低，对产量产生大约50～60％的影响。
[0003]在目前技术中，在电镀通孔时会产生凹陷是由于电镀药水基本的特性所导致，除非变更新类型的电镀液，否则无法避免产生凹陷的问题。若要变更新电镀药水则有成本及可靠度的疑虑，无法及时满足需求。另外，虽然凹陷表面可通过研磨来使电镀表面平坦化，但由于基板本身表面的不平整性，因此研磨后会产生总厚度变化(TTV)扩大的问题。虽然还可以通过提高电镀电流密度来改善凹陷状况，但是这须耗费较高成本。

技术实现思路

[0004]针对相关技术中的上述问题，本专利技术提出一种半导体基板及制造半导体基板的方法，至少能够避免通孔电镀表面的凹陷问题。
[0005]本专利技术的实施例提供了一种半导体基板，包括：第一介电层，具有位于第一介电层中的第一通孔；第一电镀层，具有位于第一通孔内的第一通道层以及从第一通道层延伸至位于第一介电层上表面上的第一焊盘层。其中，第一焊盘层的厚度与第一通孔的开口宽度之间的比值大于或等于1。
[0006]根据本专利技术的实施例，半导体基板还包括：第二介电层，位于第一介电层上，并且具有位于第二介电层中且位于第一通孔上方的第二通孔；第二电镀层，具有位于第二通孔内的第二通道层以及从第二通道层延伸至位于第二介电层上表面上的第二焊盘层。其中，第二焊盘层的厚度大于第一焊盘层的厚度。
[0007]根据本专利技术的实施例，半导体基板还包括第二介电层，第二介电层位于第一介电层上并且具有位于第二介电层中且位于第一通孔上方的第二通孔。其中，第二通孔的开口宽度大于第一通孔的开口宽度。
[0008]根据本专利技术的实施例，第二通孔的开口宽度与第一通孔的开口宽度之间的比值为1.25。
[0009]根据本专利技术的实施例，第一通孔的开口宽度大于20μm，第二通孔的侧壁相比于第一通孔的侧壁横向偏移，并且横向偏移的距离大于或等于2.5μm。
[0010]根据本专利技术的实施例，第二通孔具有倾斜的侧壁，其中，侧壁的倾斜程度在第二通孔的各个周向位置处相同。
[0011]根据本专利技术的实施例，半导体基板还包括第三介电层，第三介电层位于第二介电层上并且具有位于第三介电层中且位于第二通孔上方的第三通孔。其中，第三通孔的开口宽度大于第二通孔的开口宽度。
[0012]根据本专利技术的实施例，第一通孔的开口宽度小于20μm，第一焊盘层的厚度在7μm至10μm的范围内。
[0013]根据本专利技术的实施例，第一电镀层的第一通道层的上表面和第一焊盘层的上表面齐平并且是平坦的。
[0014]根据本专利技术的实施例，半导体基板为天线基板，并且第一电镀层电性连接天线基板中的天线。
[0015]本专利技术的实施例提供了一种制造半导体基板的方法，包括：提供第一介电层；在第一介电层中形成第一通孔；在第一通孔上方电镀第一电镀层，第一电镀层具有位于第一通孔内的第一通道层以及从第一通道层延伸至位于第一介电层上表面上的第一焊盘层。其中，第一焊盘层的厚度与第一通孔的开口宽度之间的比值大于或等于1。
[0016]根据本专利技术的实施例，方法还包括：在第一介电层上形成第二介电层；使用镭射射击在第二介电层中且在第一通孔上方形成第二通孔；在第二通孔上方电镀第二电镀层，第二电镀层具有位于第二通孔内的第二通道层以及从第二通道层延伸至位于第二介电层上表面上的第二焊盘层，其中，第二焊盘层的厚度大于第一焊盘层的厚度。
[0017]根据本专利技术的实施例，方法还包括：在第一介电层上形成第二介电层；使用镭射射击在第二介电层中且在第一通孔上方形成第二通孔，其中，第二通孔的开口宽度大于第一通孔的开口宽度，并且镭射射击的镭射被限定在第二通孔的范围内。
[0018]根据本专利技术的实施例，第二通孔的开口宽度与第一通孔的开口宽度之间的比值为1.25。
[0019]根据本专利技术的实施例，第一通孔的开口宽度大于20μm，第二通孔的侧壁相比于第一通孔的侧壁横向偏移，并且横向偏移的距离大于或等于2.5μm。
[0020]根据本专利技术的实施例，第二通孔具有倾斜的侧壁，其中，侧壁的倾斜程度在第一通孔的各个周向位置处相同。
[0021]根据本专利技术的实施例，方法还包括：在位于第二介电层上形成第三介电层；在第三介电层中且在第二通孔上方形成第三通孔，其中，第三通孔的开口宽度大于第二通孔的开口宽度。
[0022]根据本专利技术的实施例，第一通孔的开口宽度小于20μm，第一焊盘层的厚度在7μm至10μm的范围内。
[0023]根据本专利技术的实施例，第一电镀层的第一通道层的上表面和第一焊盘层的上表面齐平并且是平坦的。
[0024]根据本专利技术的实施例，半导体基板为天线基板，并且第一电镀层电性连接天线基板中的天线。
附图说明
[0025]当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本专利技术的各个方面。应该强调，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制并且仅用于说明的目的。实际上，为了
清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。
[0026]图1A和图1B是现有技术中形成通孔具有的凹陷和破孔问题的示意图。
[0027]图2A和图2B是根据本专利技术实施例的半导体基板的示意图。
[0028]图3是根据本专利技术实施例的焊盘层和电镀层的厚度分别随通孔的开口宽度变化的曲线图。
[0029]图4是根据本专利技术实施例的半导体基板的示意图。
[0030]图5是根据本专利技术实施例的制造半导体基板的方法的流程图。
[0031]图6是根据本专利技术实施例的半导体基板的示意图。
[0032]图7是图6的实施例的镭射射击的示意图。
[0033]图8是根据本专利技术实施例的制造半导体基板的方法的流程图。
具体实施方式
[0034]下列公开提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的不同实施例或实例。下面将描述元件和布置的特定实例以简化本专利技术。当然这些仅仅是实例并不旨在限定本专利技术。例如，在以下描述中，在第二部件上方或上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触的实施例，也可以包括在第一部件和第二部件之间形成额外的部件使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。而且，本专利技术在各个实例中可重复参考数字和/或字母。这种重复仅是为了简明和清楚，其自身并不表示所论述的各个实施例和/或配置之间的关系。
[0035]根据本专利技术的实施例，提供了一种形成有通孔的半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体基板，其特征在于，包括：第一介电层，具有位于所述第一介电层中的第一通孔；第一电镀层，具有位于所述第一通孔内的第一通道层以及从所述第一通道层延伸至位于所述第一介电层上表面上的第一焊盘层；其中，所述第一焊盘层的厚度与所述第一通孔的开口宽度之间的比值大于或等于1。2.根据权利要求1所述的半导体基板，其特征在于，还包括：第二介电层，位于所述第一介电层上，并且具有位于所述第二介电层中且位于所述第一通孔上方的第二通孔；其中，所述第二通孔的开口宽度大于所述第一通孔的开口宽度。3.根据权利要求2所述的半导体基板，其特征在于，所述第二通孔的开口宽度与所述第一通孔的开口宽度之间的比值为1.25。4.根据权利要求1所述的半导体基板，其特征在于，所述第一通孔的所述开口宽度小于20μm，所述第一焊盘层的厚度在7μm至10μm的范围内。5.根据权利要求1所述的半导体基板，其特征在于，所述半导体基板为天线基板，并且所述第一电镀层电性连接所述天线基板中的天线。6.一种制造半导体基板的方法，其特征在于，包括：提供第一介电层；在所述第一介电层中形成第一通孔；在所述第一通孔上方电镀第一电镀层，所述第一电镀层具有位于所述第一通孔内的第一通道层以及从所述第一通...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄文宏，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：