使能管芯平铺应用的具有原位制造的扇出层的玻璃芯贴片制造技术

本发明专利技术涉及使能管芯平铺应用的具有原位制造的扇出层的玻璃芯贴片。本文公开的实施例包括电子封装和形成这样的电子封装的方法。在实施例中，电子封装包括：玻璃基板，其具有在玻璃基板的第一表面上的多个第一焊盘、在玻璃基板的与第一表面相对的第二表面上的多个第二焊盘、多个穿玻璃通孔（TGV），其中每个TGV将第一焊盘电联接到第二焊盘，其中多个第一焊盘具有第一节距，并且其中多个第二焊盘具有大于第一节距的第二节距；在玻璃基板之上的桥接基板；电联接到第一焊盘和桥接基板的第一管芯；以及电联接到第一焊盘和桥接基板的第二管芯，其中桥接基板将第一管芯电联接到第二管芯。其中桥接基板将第一管芯电联接到第二管芯。其中桥接基板将第一管芯电联接到第二管芯。

【技术实现步骤摘要】
使能管芯平铺应用的具有原位制造的扇出层的玻璃芯贴片


[0001]本公开的实施例涉及半导体器件，并且更特别地涉及具有包括原位制造的扇出层的玻璃芯贴片（glass core patch）的多管芯封装。

技术介绍

[0002]对形状因子的小型化和更高集成水平以实现高性能的需求迫使半导体行业中越来越复杂的封装方法。一种这样的方法是使用管芯分割来使得能够实现小形状因子的小型化和高性能。这样的架构依赖于精细的管芯到管芯的互连，以将分割后的管芯联接在一起。已使用了嵌入式多管芯互连桥（EMIB）来提供该精细的管芯到管芯的互连。然而，EMIB也有其自身的集成难点。
[0003]一个难点在于EMIB具有累积凸块厚度变化（BTV）较高的困扰。随着封装中包括越来越多的EMIB并且随着EMIB尺寸的增大，BTV正在成为越来越大的工程障碍。已提出了将EMIB置于玻璃贴片（glass patch）上以降低BTV并改善翘曲。然而，玻璃贴片是具有较低导热率的厚基板。因此，热压接合（TCB）不适用于中级互连（MLI）。因此需要增大MLI的节距（pitch），以适应于备选的接合技术，诸如传统的芯片附接模块（CAM）工艺。增大MLI的节距需要使用布置在玻璃贴片之上的一个或多个重分布层。重分布层会抵消玻璃所提供的BTV益处，于是不是合期望的解决方案。
附图说明
[0004]图1A是根据实施例的具有玻璃贴片的电子封装的截面图示，该玻璃贴片具有集成扇出层。
[0005]图1B是根据实施例的具有多个管芯和玻璃贴片的电子封装的截面图示，该玻璃贴片具有集成扇出层。
[0006]图2A是根据实施例的附接到玻璃贴片的多个嵌入式多管芯互连桥（EMIB）的平面图图示。
[0007]图2B是根据实施例的附接到玻璃贴片的多个有源EMIB的平面图图示。
[0008]图3A是根据实施例的具有多个穿玻璃通孔（TGV）开口的玻璃贴片的截面图示。
[0009]图3B是根据实施例的在将集成扇出层图案化到玻璃贴片中之后的玻璃贴片的截面图示。
[0010]图3C是根据实施例的在将传导材料（conductive material）布置到玻璃贴片的开口中之后的玻璃贴片的截面图示。
[0011]图4A是根据实施例的具有粘合剂的载体基板的平面图图示。
[0012]图4B是根据实施例的图4A中的载体基板的截面图示。
[0013]图4C是根据实施例的布置在载体基板之上的多个玻璃贴片的平面图图示。
[0014]图4D是根据实施例的图4C中的载体的截面图示。
[0015]图4E是根据实施例的在将模制层（mold layer）布置在玻璃贴片周围之后的载体
的平面图图示。
[0016]图4F是根据实施例的图4E中的载体的截面图示。
[0017]图5A是根据实施例的在载体上的玻璃贴片的截面图示。
[0018]图5B是根据实施例的在将柱布置在玻璃贴片的暴露的焊盘（pad）之上之后的玻璃贴片的截面图示。
[0019]图5C是根据实施例的在将EMIB附接到玻璃贴片之后的玻璃贴片的截面图示。
[0020]图5D是根据实施例的在将电介质层布置在玻璃贴片和EMIB之上之后的玻璃贴片的截面图示。
[0021]图5E是根据实施例的在形成电介质层之上的焊盘之后的玻璃贴片的截面图示。
[0022]图5F是根据实施例的在将阻焊剂层布置在电介质层之上之后的截面图示。
[0023]图5G是根据实施例的在将多个管芯附接到玻璃贴片之后的截面图示。
[0024]图5H是根据实施例的在去除了载体基板之后的玻璃贴片的截面图示。
[0025]图5I是根据实施例的在将阻焊剂层布置在玻璃贴片的底表面之上之后的玻璃贴片的截面图示。
[0026]图5J是根据实施例的在穿过阻焊剂布置传导层之后的截面图示。
[0027]图6是根据实施例的包括具有集成扇出层的玻璃贴片的电子系统的截面图示。
[0028]图7是根据实施例构建的计算设备的示意图。
具体实施方式
[0029]根据各种实施例，本文描述的是具有玻璃芯贴片的多管芯封装，该玻璃芯贴片包括原位制造的扇出层。在下面的描述中，将使用本领域技术人员普遍采用的术语来描述例证性实现的各种方面，以向本领域其他技术人员传达他们的工作的实质。然而，对于本领域技术人员将显然的是，本专利技术可以仅利用所描述的方面中的一些来实践。出于解释的目的，阐述了具体的数量、材料和构造以便提供对例证性实现的透彻理解。然而，对于本领域技术人员将显然的是，本专利技术可以在没有所述具体细节的情况下实践。在其他情况下，省略或简化了熟知的特征，以免使例证性实现模糊不清。
[0030]将作为多个分立的操作、进而以对理解本专利技术最有帮助的方式来描述各种操作，然而，描述的次序不应被解读为暗示这些操作必然是次序相关的。特别地，不需要按呈现的次序来执行这些操作。
[0031]如上所述，分割后的管芯架构至少部分地受到用于将分割后的管芯联接在一起的互连架构的限制。例如，嵌入式多管芯互连桥（EMIB）架构的使用受到凸块厚度变化（BTV）考量的限制。迄今为止，通过使用玻璃贴片来改善EMIB架构中的BTV的尝试尚未成功。特别地，玻璃贴片需要将CAM技术用于中级互连（MLI）。由于CAM需要较大的凸块节距，因此必须将重分布层（RDL）添加到玻璃贴片，以适应于节距平移。RDL对厚度均匀性产生负面影响，这抵消了使用玻璃贴片的益处。
[0032]因此，本文公开的实施例包括一种电子封装，其包括具有集成扇出层的玻璃贴片。该集成扇出层完全在贴片的玻璃基板内。这样，扇出层不会导致厚度不均匀。在实施例中，可以使用直接对玻璃基板进行图案化的光刻工艺来形成扇出层。例如，玻璃贴片可以是光可限定的（photo-definable）玻璃基板。
[0033]这样的玻璃贴片的使用允许实现玻璃基板的BTV益处而又不经历RDL的负面影响。即，根据本文公开的实施例的玻璃贴片提供了集成扇出结构，其允许节距平移，以便适应于针对与厚玻璃贴片结合所需的CAM处理所需要的较大的MLI节距。特别地，电子封装的BTV的降低允许将多个EMIB集成到电子封装中和/或允许使用更大的EMIB。例如，所述更大的EMIB可以包括有源EMIB器件（即，包括无源互连和具有晶体管等的有源区的EMIB）。
[0034]现在参考图1A，示出了根据实施例的电子封装100的截面图示。在实施例中，电子封装100包括玻璃贴片110。玻璃贴片110用作支撑多个管芯140的基部。在实施例中，多个管芯140可以通过一个或多个桥130彼此电联接。桥130可以附接到玻璃贴片110的表面。在所示实施例中，桥130直接附接到玻璃贴片110，但是要领会到，在一些实施例中，粘合剂可以使桥130附接到玻璃贴片110。在实施例中，多个管芯140可以是任何类型的管芯。例如，管芯140可以是处理器管芯、存储器管芯、图形装置管芯等。在实施例中，管芯1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子封装，包括：玻璃基板，其包括：在所述玻璃基板的第一表面上的多个第一焊盘；在所述玻璃基板的第二表面上的多个第二焊盘，第二表面与第一表面相对；多个穿玻璃通孔（TGV），其中每个TGV将第一焊盘电联接到第二焊盘，其中所述多个第一焊盘具有第一节距，并且其中所述多个第二焊盘具有大于第一节距的第二节距；在所述玻璃基板之上的桥接基板；电联接到第一焊盘和所述桥接基板的第一管芯；以及电联接到第一焊盘和所述桥接基板的第二管芯，其中所述桥接基板将第一管芯电联接到第二管芯。2.根据权利要求1所述的电子封装，其中，第二焊盘是直接图案化到所述玻璃基板的第二表面中的扇出层的一部分。3.根据权利要求1或2所述的电子封装，其中，第一节距小于约100μm，并且第二节距大于约100μm。4.根据权利要求1或2所述的电子封装，其中，第二节距为160μm或更大。5.根据权利要求1或2所述的电子封装，其中，所述玻璃基板的厚度为约50μm或更大。6.根据权利要求1或2所述的电子封装，其中，所述桥接基板是有源器件。7.根据权利要求1或2所述的电子封装，还包括：多个桥接基板。8.根据权利要求1或2所述的电子封装，还包括：在所述玻璃基板的侧壁表面之上的模制层。9.根据权利要求1或2所述的电子封装，其中，所述玻璃基板是光可限定的玻璃材料。10.根据权利要求1或2所述的电子封装，还包括：联接到第一管芯的顶表面的多个第三管芯；以及联接到第二管芯的顶表面的多个第四管芯。11.根据权利要求10所述的电子封装，其中第一管芯和第二管芯包括在第一工艺节点处的晶体管，并且其中所述多个第三管芯和所述多个第四管芯包括在第二工艺节点处的晶体管，第二工艺节点比第一工艺节点更加先进。12.一种贴片基板，包括：玻璃基板，其具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，其中所述玻璃基板是光可限定的玻璃材料；在第一表面上的多个第一焊盘，其中所述多个第一焊盘包括第一节距；在第二表面上的多个第二焊盘，其中所述多个第二焊盘包括大于第一节距的第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：S皮坦巴拉姆，RL桑曼，R马内帕利，段刚，D马利克，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：