半导体器件制造技术

本发明专利技术公开了一种半导体器件，包括半导体管芯、基部构件、侧壁、第一导电膜和第二导电膜以及第一导电引线和第二导电引线。基部构件具有导电主表面，该导电主表面包括安装半导体管芯的区域。侧壁包围该区域并且由介电体制成。侧壁包括第一部分和第二部分。第一导电膜和第二导电膜分别设置在第一部分和第二部分上，并且电连接到半导体管芯。第一导电引线和第二导电引线分别导电结合到第一导电膜和第二导电膜。第一部分和第二部分中的至少一个在其面对基部构件的后表面上包括凹部，并且该凹部在对应的导电膜下方的第一部分和第二部分中的所述至少一个与基部构件之间限定间隙。述至少一个与基部构件之间限定间隙。述至少一个与基部构件之间限定间隙。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请基于2019年8月2日提交的日本专利申请号2019-142839并要求其优先权，其全部内容通过引用合并于此。


[0003]本公开涉及一种半导体器件。

技术介绍

[0004]JP2012-038837A公开了一种用于例如将半导体管芯气密密封在用于高频率使用的半导体器件中的封装。该封装包括：基部(base)，该基部具有金属主表面；介电侧壁，该介电侧壁的底表面结合到基部的主表面；以及金属引线，该金属引线结合到与侧壁的底表面相反的一侧上的上表面。为了在用于半导体器件的外部电路和半导体管芯之间进行电连接，金属引线从封装中的侧壁的上表面横向延伸。

技术实现思路

[0005]本公开提供了一种半导体器件。该半导体器件包括半导体管芯、基部构件、侧壁、第一导电膜、第二导电膜、第一导电引线和第二导电引线。基部构件具有导电主表面，该导电主表面包括在其上安装半导体管芯的区域。侧壁设置在基部构件的导电主表面上，并且包围导电主表面的区域。侧壁由介电体制成。侧壁包括将所述区域夹在其间本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：半导体管芯；基部构件，所述基部构件具有导电主表面，所述导电主表面包括在其上安装所述半导体管芯的区域；侧壁，所述侧壁被设置在所述基部构件的导电主表面上，并且包围所述导电主表面的所述区域，所述侧壁由介电体制成，其中，所述侧壁包括第一部分和第二部分，所述第一部分和第二部分将所述区域夹在中间；第一导电膜，所述第一导电膜被设置在所述侧壁的所述第一部分上，所述第一导电膜被电连接到所述半导体管芯；第二导电膜，所述第二导电膜被设置在所述侧壁的所述第二部分上，所述第二导电膜被电连接到所述半导体管芯；第一导电引线，所述第一导电引线在所述侧壁的所述第一部分上被导电结合到所述第一导电膜；第二导电引线，所述第二导电引线在所述侧壁的所述第二部分上被导电结合到所述第二导电膜；其中，所述基部构件的所述第一部分和所述第二部分中的至少一个在其面对所述基部构件的后表面上包括凹部，并且所述凹部被构造成在位于对应的导电膜的下方的所述侧壁的所述第一部分和所述第二部分中的至少一个与所述基部构件之间限定间隙。2.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：第三导电膜，所述第三导电膜被设置在所述凹部的内表面上，所述第三导电膜被电连接到所述基部构件的所述主表面。3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中，所述第一导电膜、所述侧壁的第一部分和所述基部构件的所述主表面的一部分构成第一微带线，并且当所述第二部分包括凹部时，所述第二导电膜、所述侧壁的第二部分和所述基部构件的所述主表面的一部分构成第二微带线，并且其中，当从相对于所述主表面的法线方向观察时，所述第二微带线的与所述凹部相重叠的部分中的特征阻抗比所述第一微带线或所述第二微带线的在所述法线上不与所述凹部相重叠的不同部分中的特征阻抗小至少10％。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，位于所述侧壁与所述基部构件之间的所述凹部的内表面上不设置导电膜。5.根据权利要求1或4所述的半导体器件，其中，所述第一导电膜、所述侧壁的第一部分和所述基部构件的所述主表面的一部分构成第一微带线，并且当所述第二部分包括凹部时，所述第二导电膜、所述侧壁的第二部分和所述基部构件的所述主表面的一部分构成第二微带线，并且其中，当从相对于所述主表面的法线方向观察时，所述第二微带线的与所述凹部相重叠的部分中的特征阻抗比所述第一微带线或所述第二微带线的在所述法线上不与所述凹部相重叠的不同部分中的特征阻抗高至少10％。6.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：中岛郁夫，井上真吾，
申请(专利权)人：住友电工光电子器件创新株式会社，
类型：发明
国别省市：