半导体装置及制造半导体装置的方法制造方法及图纸

半导体装置及制造半导体装置的方法。在一个实例中，一种半导体结构包括：重新分布结构，所述重新分布结构包括导电结构；腔衬底，所述腔衬底位于所述重新分布结构的顶侧上并且具有腔和接触所述重新分布结构的柱；电子组件，所述电子组件位于所述重新分布结构的顶表面上和所述腔中，其中所述电子组件与所述导电结构电耦合；以及包封件，所述包封件位于所述腔中和所述重新分布结构的所述顶侧上，所述包封件接触所述电子组件的侧面、所述腔的侧面以及所述柱的侧面。本文还公开了其它实例和相关方法。法。法。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及制造半导体装置的方法


[0001]本公开总体上涉及电子装置，并且更具体地涉及半导体装置及用于制造半导体装置的方法。

技术介绍

[0002]现有半导体封装和用于形成半导体封装的方法存在不足之处，例如造成成本过多、可靠性降低、性能相对较低或封装尺寸太大。对于本领域的技术人员来说，通过将常规和传统方法与本公开进行比较并且参考附图，此类方法的另外的局限性和缺点将变得明显。

技术实现思路

[0003]本揭露的各种态样提供一种半导体结构，其包括：重新分布结构，所述重新分布结构包括导电结构；腔衬底，所述腔衬底位于所述重新分布结构的顶侧上并且具有腔和与所述重新分布结构接触的柱；电子组件，所述电子组件位于所述重新分布结构的顶表面上和所述腔中，其中所述电子组件与所述导电结构电耦合；以及包封件，所述包封件位于所述腔中和所述重新分布结构的所述顶侧上，所述包封件接触所述电子组件的侧面、所述腔的侧面以及所述柱的侧面。在所述半导体结构中，所述重新分布结构的所述顶侧与所述腔衬底的底侧之间的第一距离不同于所述重新分布结构的所述顶侧与所述电子组件的底侧之间的第二距离。在所述半导体结构中，所述腔衬底在至少两个侧面上形成电子装置的边界。在所述半导体结构中，所述包封件位于所述腔衬底与所述重新分布结构之间。在所述半导体结构中，所述包封件位于所述电子组件与所述重新分布结构之间。所述半导体结构进一步包括组件互连件，所述组件互连件将所述电子装置与所述重新分布结构的所述导电结构耦合，其中所述组件互连件的宽度小于所述柱的宽度。在所述半导体结构中，所述包封件的顶侧与所述电子组件的顶侧共面。在所述半导体结构中，所述重新分布结构包括重新分布层(RDL)衬底。在所述半导体结构中，所述重新分布结构包括重新分布层衬底，并且所述腔衬底包括预形成的衬底。在所述半导体结构中，所述腔衬底的厚度大于所述重新分布结构的厚度。
[0004]本揭露的各种态样提供一种用于制造半导体结构的方法，所述方法包括：提供具有腔和衬底互连件的腔衬底；将具有组件互连件的电子组件放置在所述腔衬底的所述腔中；在所述腔衬底的顶侧上在所述腔中提供包封件，所述包封件接触所述电子组件的侧面、所述衬底互连件和所述组件互连件；以及在所述腔衬底的所述顶侧上提供重新分布结构，其中所述重新分布结构具有与所述衬底互连件耦合的导电结构。所述方法进一步包括在提供所述重新分布结构之前研磨所述包封件和所述衬底互连件的一部分。在所述方法中，所述研磨包含研磨所述组件互连件的一部分。在所述方法中，提供所述重新分布结构包括：在所述包封件、所述腔衬底和所述电子组件之上形成所述重新分布结构的介电层；并且然后在所述介电层之上形成所述重新分布结构的导电层，所述导电层通过所述介电层耦合到所
述腔衬底和所述电子组件。
[0005]本揭露的各种态样提供一种半导体结构，其包括：第一半导体装置，所述第一半导体装置包括：重新分布结构，所述重新分布结构包括导电结构；第一衬底，所述第一衬底位于所述重新分布结构的顶侧上并且具有腔和接触所述重新分布结构的柱；电子组件，所述电子组件位于所述重新分布结构的顶表面上和所述腔中，其中所述电子组件通过组件互连件与所述导电结构电耦合；以及包封件，所述包封件位于所述腔中和所述重新分布结构的所述顶侧上，所述包封件形成所述电子组件和所述柱的侧面的边界；以及第二半导体装置，所述第二半导体装置位于所述第一半导体装置的顶侧上，其中所述第二半导体装置与所述第一衬底的顶侧上的衬底焊盘电耦合。在所述半导体结构中，所述第二半导体装置包括第二衬底、第二电子组件以及第二包封件，所述第二电子组件位于所述第二衬底的顶侧上，所述第二包封件位于所述第二衬底的所述顶侧上，所述第二包封件接触所述第二电子组件的侧面。在所述半导体结构中，所述重新分布结构包括重新分布层衬底，并且所述第一衬底包括预形成的衬底。在所述半导体结构中，所述第一半导体装置的所述柱包括导电桩，所述导电桩与所述重新分布结构的所述导电结构和所述衬底焊盘电耦合。在所述半导体结构中，所述第一衬底在至少两个侧面上形成电子装置的边界。在所述半导体结构中，所述包封件位于所述电子组件与所述重新分布结构之间并且位于所述第一衬底与所述重新分布结构之间。
附图说明
[0006]图1示出了示例半导体装置的横截面视图。
[0007]图2A到图2G示出了用于制造示例半导体装置的示例方法的横截面视图。
[0008]图3A到图3C示出了用于形成衬底的示例方法的透视图。
[0009]图4A和图4B示出了用于形成电子组件的示例方法的透视图。
[0010]图5示出了示例半导体装置的横截面视图。
[0011]图6A和图6B示出了用于制造示例半导体装置的示例方法的横截面视图。
具体实施方式
[0012]以下讨论提供了半导体装置及制造半导体装置的方法的各种实例。此类实例是非限制性的，并且所附权利要求的范围不应限于所公开的特定实例。在以下讨论中，术语“实例”和“例如”是非限制性的。
[0013]附图展示了一般的构造方式，并且可以省略公知特征和技术的描述和细节，以避免不必要地模糊本公开。另外，附图中的元件不一定按比例绘制。例如，图中元件中的一些元件的尺寸可能相对于其它元件而被放大以有助于改善对本公开所讨论的实例的理解。不同附图中的相同附图标记指示相同的元件。
[0014]术语“或”意味着由“或”连接的列表中的项目的任何一个或多个项目。作为实例，“x或y”意味着三元素集合{(x),(y),(x,y)}中的任何元素。作为另一个实例，“x、y或z”意味着七元素集合{(x),(y),(z),(x,y),(x,z),(y,z),(x,y,z)}中的任何元素。
[0015]术语“包括(comprises)”、“包括(comprising)”、“包含(includes)”和/或“包含(including)”是“开放式”术语并且指定存在所陈述的特征，但不排除存在或增加一个或多
个其它特征。在本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，并且这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅是用来将一个元件与另一个元件进行区分。因此，例如，在不背离本公开的教导的情况下，本公开中所讨论的第一元件可以被称为第二元件。
[0016]除非另外指明，否则术语“耦合”可以用于描述彼此直接接触的两个元件或描述通过一个或多个其它元件间接连接的两个元件。例如，如果元件A耦合到元件B，则元件A可以直接接触元件B或通过中间元件C间接连接到元件B。类似地，术语“之上”或“上”可以用于描述彼此直接接触的两个元件或描述通过一个或多个其它元件间接连接的两个元件。如共面、平面、垂直、竖直、水平等几何描述性术语不仅涵盖此类确切术语，还涵盖此类术语的例如，在制造公差范围内的基本上近似情况。
[0017]在一个实例中，一种半导体结构包括：重新分布结构，所述重新分布结构包括导电结构；腔衬底，所述腔衬底位于所述重新分布结构的顶侧上并且具有腔和接触所述重新分布结构的柱；电子组件，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其包括：重新分布结构，所述重新分布结构包括导电结构；腔衬底，所述腔衬底位于所述重新分布结构的顶侧上并且具有腔和与所述重新分布结构接触的柱；电子组件，所述电子组件位于所述重新分布结构的顶表面上和所述腔中，其中所述电子组件与所述导电结构电耦合；以及包封件，所述包封件位于所述腔中和所述重新分布结构的所述顶侧上，所述包封件接触所述电子组件的侧面、所述腔的侧面以及所述柱的侧面。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中：所述重新分布结构的所述顶侧与所述腔衬底的底侧之间的第一距离不同于所述重新分布结构的所述顶侧与所述电子组件的底侧之间的第二距离。3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述腔衬底在至少两个侧面上形成所述电子装置的边界。4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述包封件位于所述腔衬底与所述重新分布结构之间。5.根据权利要求4所述的半导体结构，其中所述包封件位于所述电子组件与所述重新分布结构之间。6.根据权利要求1所述的半导体结构，其进一步包括组件互连件，所述组件互连件将所述电子装置与所述重新分布结构的所述导电结构耦合，其中所述组件互连件的宽度小于所述柱的宽度。7.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述包封件的顶侧与所述电子组件的顶侧共面。8.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述重新分布结构包括重新分布层衬底。9.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述重新分布结构包括重新分布层衬底，并且所述腔衬底包括预形成的衬底。10.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述腔衬底的厚度大于所述重新分布结构的厚度。11.一种用于制造半导体结构的方法，所述方法包括：提供具有腔和衬底互连件的腔衬底；将具有组件互连件的电子组件放置在所述腔衬底的所述腔中；在所述腔衬底的顶侧上在所述腔中提供包封件，所述包封件接触所述电子组件的侧面、所述衬底互连件和所述组件互连件；以及在所述腔衬底的所述顶侧上提供重新分布结构，其中所述重新分布结构具有与所述衬底互连件耦合的导电结构。12.根据权利要求11所述的方...

【专利技术属性】
技术研发人员：林基泰，金杰云，周名佳，
申请(专利权)人：安靠科技新加坡控股私人有限公司，
类型：发明
国别省市：