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一种高导热率碳化硅器件封装结构制造技术
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文档序号:27332098
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本实用新型公开了一种高导热率碳化硅器件封装结构。所述高导热率碳化硅器件封装结构包括绝缘基板、电路层、金属层及热沉,所述绝缘基板位于所述电路层及所述金属层之间,所述金属层的下表面形成有若干导热窗口,并覆盖于所述热沉上。所述电路层的厚度在0.1...
该专利属于深圳基本半导体有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过深圳基本半导体有限公司授权不得商用。
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