【技术实现步骤摘要】
一种缓冲腔、晶圆传送系统及其工作方法
[0001]本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种缓冲腔、晶圆传送系统及其工作方法。
技术介绍
[0002]在半导体制造中，在某些高温半导体工艺中，如某些CVD或者去胶工艺，完成加工工艺后的晶圆温度较高，无法直接传至晶圆盒中。通常的做法是将晶圆经由下述路径进行冷却操作：工艺腔
→
传送腔
→
缓冲腔（真空转大气）
→
冷却平台
→
晶圆盒，其中，真空传送机器人完成“工艺腔
→
传送腔
→
缓冲腔”，大气传送机器人完成“缓冲腔（真空转大气）
→
冷却平台
→
晶圆盒”。
[0003]上述对晶圆的传送过程中，相对于常温晶圆传送平台多了一层传送操作，即由“缓冲腔（真空转大气）
→
晶圆盒”变成“缓冲腔（真空转大气）
→
冷却平台
→
晶圆盒”，大大降低了设备前端模块的大气机器人的传送效率。对于短工艺特别是超短...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种缓冲腔，其特征在于，包括：第一缓冲腔室主体；位于所述第一缓冲腔室主体中的若干层第一冷却盘，所述第一冷却盘包括第一晶圆接触区；位于所述第一晶圆接触区侧部且贯穿所述第一冷却盘的第一位移口；第一升降单元，所述第一升降单元包括位于所述第一缓冲腔室主体中的第一支撑组件，所述第一支撑组件适于支撑晶圆的边缘，所述第一支撑组件适于在所述第一位移口的上方、第一位移口中、以及所述第一位移口的下方做往复运动；贯穿底层的第一冷却盘的第一探测通道；第一温度探测装置，所述第一温度探测装置朝向所述第一探测通道或者延伸至所述第一探测通道中。2.根据权利要求1所述的缓冲腔，其特征在于，所述第一探测通道贯穿底层的第一冷却盘的第一晶圆接触区以及所述第一缓冲腔主体的底壁；所述第一温度探测装置位于所述第一缓冲腔主体的下方，所述第一温度探测装置朝向所述第一探测通道，所述第一温度探测装置为光学无接触式探测装置。3.根据权利要求1所述的缓冲腔，其特征在于，所述第一缓冲腔主体的底壁中具有贯穿所述第一缓冲腔主体的底壁的第一腔体开口；部分第一腔体开口和与部分第一腔体开口贯通的相邻的第一位移口构成了所述第一探测通道；所述第一温度探测装置适于穿过所述第一探测通道并延所述第一探测通道上下位移；所述第一温度探测装置为热电偶或电阻式温度传感器，所述第一温度探测装置的探头适于通过所述第一探测通道延伸至所述第一缓冲腔主体中；所述第一温度探测装置嵌入在所述第一升降单元中，所述第一温度探测装置的探头构成了底层的部分第一支撑组件。4.根据权利要求1所述的缓冲腔，其特征在于，还包括：与所述第一温度探测装置连接的第一温度监控反馈单元；第一温度监控反馈单元适于将第一温度探测装置监测到的第一温度信号传送至控制系统，所述控制系统适于对第一温度信号进行阈值判断。5.根据权利要求1所述的缓冲腔，其特征在于，还包括：所述第一升降单元还包括: 第一升降杆，部分所述第一升降杆位于所述第一缓冲腔室主体内部且与所述第一支撑组件连接，且所述第一支撑组件与所述第一升降杆垂直，所述第一支撑组件与所述第一升降杆呈“L”形，所述第一升降杆穿过所述第一位移口且适于相对于所述第一位移口进行升降移动。6.根据权利要求1所述的缓冲腔，其特征在于，还包括：位于所述第一缓冲腔室主体上方的第二缓冲腔室主体；第二冷却盘，所述第二冷却盘位于所述第二缓冲腔室主体中，所述第二冷却盘包括第二晶圆接触区，所述第二冷却盘中具有位于所述第二晶圆接触区的侧部且贯穿所述第二冷却盘的第二位移口；第二升降单元，所述第二升降单元包括位于所述第二缓冲腔室主体中的第二支撑组件，所述第二支撑组件适于支撑晶圆的边缘，所述第二支撑组件适于在所述第二位移口的上方、第二位移口中、以及所述第二位移口的下方做往复运动；贯穿顶层的第二冷却盘的第二探测通道；
第二温度探测装置，所述第二温度探测装置朝向所述第二探测通道或者延伸至所述第二探测通道中。7.根据权利要求6所述的缓冲腔，其特征在于，所述第二探测通道贯穿所述第二缓冲腔主体的顶壁；所述第二温度探测装置位于所述第二缓冲腔主体的上方，所述第二温度探测装置朝向所述第二探测通道，所述第二温度探测装置为光学无接触式探测装置。8.根据权利要求6所述的缓冲腔，其特征在于，所述第二缓冲腔主体的顶壁中具有贯穿所述第二缓冲腔主体的顶壁的第二腔体开口；部分第二腔体开口和与部分第二腔体开口贯通的相邻的第二位移口构成了所述第二探测通道；所述第二温度探测装置适于穿过所述第二探测通道并延所述第二探测通道上下位移；所述第二温度探测装置为热电偶或电阻式温度传感器，所述第二温度探测装置的探头适于通过所述第二探测通道延伸至所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：邱勇，孙晓东，
申请(专利权)人：上海讯颖电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。