执行失效转移的存储器系统技术方案

一种存储器系统，包括：多个存储器设备，多个存储器设备中的每一个存储器设备包括多个存储器单元，并且多个存储器设备中的至少一个存储器设备包括备份区域；以及，存储器控制器，被配置为：响应于多个选定的存储器单元中的至少一个选定的存储器单元中出现可纠正纠错码(CECC)，将要被存储在多个选定的存储器单元中的数据存储在多个选定的存储器单元和备份区域中，多个选定的存储器单元连接到多个存储器设备之中的选定的存储器设备的选定的字线，以及，用与多个存储器单元之中的多个冗余存储器单元连接的冗余字线来替换选定的字线。单元连接的冗余字线来替换选定的字线。单元连接的冗余字线来替换选定的字线。

【技术实现步骤摘要】
执行失效转移的存储器系统
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2019年7月24日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2019-0089434的优先权，其公开内容通过引用整体并入本文中。


[0003]本专利技术构思涉及存储器系统。

技术介绍

[0004]即使当外部电源中断时，非易失性存储器设备也可以保留被存储在非易失性存储器设备中的数据。例如，闪存设备是可以电执行编程操作和擦除操作的非易失性存储器设备。闪存设备可以被分类为NAND型闪存或NOR型闪存。
[0005]易失性存储器使用恒定电源来保持所存储的信息。通用的大多数随机存取存储器(RAM)(包括动态RAM(DRAM)和静态RAM(SRAM))都是易失性存储器。
[0006]由于用于诸如DRAM、SRAM和闪存之类的存储器设备的微加工工艺，存储器设备中包括的有缺陷的存储器单元的数量呈指数增长。

技术实现思路

[0007]本专利技术构思的一个方面是提供能够在出现不可纠正纠错码(UECC)之前执行失效转移(failover)功能的存储器系统。
[0008]根据本专利技术构思的一个方面，存储器系统包括：多个存储器设备，多个存储器设备中的每一个存储器设备包括多个存储器单元，并且多个存储器设备中的至少一个存储器设备包括备份区域；以及，存储器控制器，被配置为：响应于多个选定的存储器单元中的至少一个选定的存储器单元中出现可纠正纠错码(CECC)，将要被存储在多个选定的存储器单元中的数据存储在多个选定的存储器单元和备份区域中，多个选定的存储器单元连接到多个存储器设备之中的选定的存储器设备的选定的字线，以及，用与多个存储器单元之中的多个冗余存储器单元连接的冗余字线来替换选定的字线。
[0009]根据本专利技术构思的一个方面，存储器系统包括：多个存储器设备，多个存储器设备中的每一个存储器设备包括多个存储器单元，并且多个存储器设备中的至少一个存储器设备包括备份区域；以及，存储器控制器，被配置为：响应于多个存储器设备之中的选定的存储器设备的第一区域具有高访问计数，将要被存储在多个选定的存储器单元中的数据存储在选定的字线和备份区域中的每一个中，多个选定的存储器单元连接到选定的字线，选定的字线包括在第一区域中，以及，用与多个存储器单元中的多个冗余存储器单元连接的冗余字线来替换选定的字线。
[0010]根据本专利技术构思的一个方面，存储器系统包括：存储器模块，包括：被分类为第一等级的存储器设备的多个第一存储器设备；以及，被分类为第二等级的存储器设备的多个第二存储器设备；以及存储器控制器，被配置为：同时激活第一芯片选择信号和第二芯片选
择信号以将数据写入到存储器模块，第一芯片选择信号被配置为选择和控制第一等级的存储器设备，并且第二芯片选择信号被配置为选择和控制第二等级的存储器设备。
附图说明
[0011]根据结合附图给出的以下详细描述，将更清楚地理解本公开的上述和其他方面、特征和其他优点，在附图中：
[0012]图1是示出了根据本公开的示例实施例的存储器系统的示意框图；
[0013]图2是示出了根据本公开的示例实施例的包括第一存储器模块110和存储器控制器130的存储器系统的示意框图；
[0014]图3是示出了根据本公开的示例实施例的存储器设备的结构的示意图；
[0015]图4是示出了根据本公开的示例实施例的存储体的示意框图；
[0016]图5是示出了根据本公开的示例实施例的存储器设备中包括的存储体阵列的图；
[0017]图6是示出了根据本公开的示例实施例的基于命中计数将数据存储在备份区域BR中的存储器系统的操作的流程图；
[0018]图7A至图7C是示出了根据本公开的示例实施例的执行图6的操作的存储器系统的示意图，该存储器系统具有在单个存储体中的激活区域AR和备份区域BR；
[0019]图8A至图8C是示出了根据本公开的示例实施例的执行图6的操作的存储器系统的示意图，该存储器系统具有在不同存储体中的激活区域AR和备份区域BR；
[0020]图9是示出了根据本公开的示例实施例的基于CECC出现计数将数据存储在备份区域BR中的存储器系统的操作的流程图；
[0021]图10A至图10C是示出了根据本公开的示例实施例的执行图9的操作的存储器系统的示意图，该存储器系统具有在单个存储体中的被连接到有缺陷的存储器单元的字线EWL和备份区域BR；
[0022]图11A至图11C是示出了根据本公开的示例实施例的执行图9的操作的存储器系统的示意图，该存储器系统具有在不同存储体中的被连接到有缺陷的存储器单元的字线EWL和备份区域BR；
[0023]图12是示出了根据本公开的示例实施例的具有不同等级的存储器设备的存储器系统的操作的流程图；
[0024]图13A至图13C是示出了根据本公开的示例实施例的执行图12的操作的存储器系统的示意图；以及
[0025]图14是示出了包括根据示例实施例的存储器设备的电子设备的示意框图。
具体实施方式
[0026]在下文中，将参考附图详细描述本专利技术构思的一些示例实施例。
[0027]图1是示出了根据本公开的示例实施例的存储器系统的示意框图。
[0028]参考图1，存储器系统100包括第一存储器模块110、存储器控制器200和/或第二存储器模块300。第一存储器模块110、存储器控制器200和第二存储器模块300可以被集成到单个半导体设备中。例如，第一存储器模块110、存储器控制器200和第二存储器模块300可以被集成到单个半导体设备中以形成固态驱动器(SSD)。
[0029]第一存储器模块110可以包括易失性存储器(例如，动态随机存取存储器(DRAM)、同步DRAM(SDRAM)、双倍数据速率(DDR)SDRAM、低功率DDR(LPDDR)SDRAM、SRAM等)和/或非易失性存储器(例如，FRAM、ReRAM、STT-MRAM、PRAM等)。第一存储器模块110可以用作缓冲存储器，用于临时存储从主机接收的数据和/或从第二存储器模块300接收的数据。根据实施例，第一存储器模块110可以用于存储映射表，该映射表用于将由主机查看的逻辑地址转换成闪存的物理地址。
[0030]第二存储器模块300可以被实现为非易失性存储器，例如电可擦除可编程ROM(EEPROM)、NAND闪存、NOR闪存、相变RAM(PRAM)、电阻式RAM(ReRAM)、铁电式RAM(FRAM)、自旋扭矩磁性RAM(STT-MRAM)等。
[0031]存储器控制器200可以包括DRAM控制器210、主机控制器220、非易失性存储器(NVM)控制器230、纠错码(ECC)引擎240、中央处理单元(CPU)250和/或SRAM 260。根据一些示例实施例，DRAM控制器210、主机控制器220、非易失性存储器控制器230、ECC引擎240和/或CPU 250可以彼此通信和/或与SRAM 本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器系统，包括：多个存储器设备，所述多个存储器设备中的每一个存储器设备包括多个存储器单元，并且所述多个存储器设备中的至少一个存储器设备包括备份区域；以及存储器控制器，被配置为响应于多个选定的存储器单元中的至少一个选定的存储器单元中出现可纠正纠错码CECC，执行如下操作：将要被存储在所述多个选定的存储器单元中的数据存储在所述多个选定的存储器单元和所述备份区域中，所述多个选定的存储器单元连接到所述多个存储器设备之中的选定的存储器设备的选定的字线；以及用与所述多个存储器单元之中的多个冗余存储器单元连接的冗余字线来替换所述选定的字线。2.根据权利要求1所述的存储器系统，其中，所述存储器控制器被配置为将存储在所述备份区域中的数据存储在所述多个冗余存储器单元中。3.根据权利要求1所述的存储器系统，其中，所述备份区域与所述选定的字线包括在相同的存储体中。4.根据权利要求1所述的存储器系统，其中，所述备份区域和所述选定的字线包括在不同的存储体中。5.根据权利要求1所述的存储器系统，其中，所述存储器控制器被配置为：存储其中已经出现所述CECC的区域的地址和所述区域的访问计数；以及响应于确定所述访问计数大于参考计数，将要被存储在所述选定的存储器单元中的数据存储在所述选定的存储器单元和所述备份区域中。6.根据权利要求5所述的存储器系统，其中，所述地址包括存储体地址、行地址和列地址。7.根据权利要求5所述的存储器系统，其中，所述地址指示所述多个选定的存储器单元之中的已经出现所述CECC的有缺陷的存储器单元，并且所述选定的字线连接到所述有缺陷的存储器单元。8.一种存储器系统，包括：多个存储器设备，所述多个存储器设备中的每一个存储器设备包括多个存储器单元，并且所述多个存储器设备中的至少一个存储器设备包括备份区域；以及存储器控制器，被配置为响应于所述多个存储器设备之中的选定的存储器设备的第一区域具有高访问计数，执行如下操作：将要被存储在多个选定的存储器单元中的数据存储在选定的字线和所述备份区域中的每一个中，所述多个选定的存储器单元连接到所述选定的字线，所述选定的字线包括在所述第一区域中；以及用与所述多个存储器单元之中的多个冗余存储器单元连接的冗余字线来替换所述选定的字线。9.根据权利要求8所述的存储器系统，其中，所述存储器控制器被配置为将存储在所述备份区域中的数据存储在所述冗余字线中。10.根据权利要求8所述的存...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴仁勋，金东，殷亨来，林铁昇，郑元瑛，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：