发光组件制造技术

发光组件包括堆叠结构及覆盖堆叠结构的至少多个侧面的第一绝缘层。堆叠结构包括P型及N型半导体层、位于P型及N型半导体层之间的发光层、位于N型半导体层上的N型电极、位于N型半导体层及N型电极之间的N型接触层、位于P型半导体层上的P型电极、位于N型电极上的N型接触垫、位于P型电极上的P型接触垫、以及位于发光层与N型接触层之间的半导体反射器。半导体反射器包括多个周期，各周期包括至少一第一层及至少一第二层，第一层的折射率不同于第二层的折射率，可以提升发光组件的发光效率。发光组件可应用于广色域背光模块或超薄背光模块。组件可应用于广色域背光模块或超薄背光模块。组件可应用于广色域背光模块或超薄背光模块。

【技术实现步骤摘要】
发光组件


[0001]本揭露是关于一种发光组件。

技术介绍

[0002]近年来，发光二极管(LED)由于具有高指向性、节能等优点，已被应用在各种照明元件及显示元件。微型发光二极管(Micro-LED)呈巨集型的排列，其可个别地被处理以例如应用在微型显示器上，相较于标准的大尺寸发光二极管，其可提升光输出量。
[0003]传统的发光二极管组件可具有N掺杂层及以多重量子井层(MQW)所隔开的P掺杂层，可凭借电极施加电压在N掺杂层及P掺杂层之间，电极与N掺杂层、P掺杂层之间的介面被期望是欧姆接触，以降低接触电阻。发光二极管组件通常具有位于它们之间的欧姆接触层以降低接触电阻，为了有效的取光，欧姆接触层的面积会尽可能的缩减，以最小化其吸光量。然而，在微型发光二极管中，制造小面积的欧姆接触层具有困难度。

技术实现思路

[0004]本揭露的一些实施例提供一种发光组件。发光组件包括位于发光层及N型接触层之间的半导体反射器，以避免N型接触层吸收发光层所发出的光线，因此，可以提升发光组件的发光效率。发光组件还包括第一绝缘层，第一绝缘层的折射率不同于P型半导体层的折射率，因此，可增进发光组件的发光效率。
[0005]其中的一个优点是，由于半导体反射器可避免N型接触层吸收发光层所发出的光线，因此，可提升发光组件的发光效率。另一个优点是，由于第一绝缘层的折射率小于P型半导体层的折射率，发光组件的发光效率同样可因此而提升。再另一个优点是，由于空气和P型半导体层的顶面之间的全反射所造成的损耗可被降低，因此，可提高发光组件的光取出效率。
[0006]于一些实施例中，发光组件包括堆叠结构及覆盖该堆叠结构的至少多个侧面的第一绝缘层。堆叠结构包括P型半导体层、位于P型半导体层上的N型半导体层、位于P型半导体层与N型半导体层之间的发光层、位于N型半导体层上的N型电极、位于N型半导体层与N型电极之间的N型接触层、位于P型半导体层上的P型电极、位于N型电极上的N型接触垫、位于P型电极上的P型接触垫、以及位于发光层及N型接触层之间的半导体反射器。半导体反射器包括多个周期，各周期包括至少一第一层及至少一第二层，第一层的折射率不同于第二层的折射率。
[0007]于一些实施例中，上述的P型半导体层具有背对半导体反射器的顶面，且顶面为粗糙面。
[0008]于一些实施例中，上述的第一绝缘层的折射率小于P型半导体层的折射率。
[0009]于一些实施例中，上述的第一绝缘层延伸至P型半导体层的顶面。
[0010]于一些实施例中，上述的第一绝缘层覆盖堆叠结构的底面，且露出N型接触垫的底部及P型接触垫的底部。
[0011]于一些实施例中，上述的N型半导体层具有第一部分及第二部分，第二部分通过半导体反射器与第一部分分开。
[0012]于一些实施例中，上述的第一绝缘层延伸至覆盖粗糙面。
[0013]于一些实施例中，上述的第一绝缘层的背对P型半导体层的顶面的形状相似于粗糙面的形状。
[0014]于一些实施例中，上述的半导体反射器的第一层与第二层包括铝，且第一层的铝的原子百分比实质上不同于第二层的铝的原子百分比。
[0015]于一些实施例中，上述的半导体反射器的第一层包括Al
x
Ga
1-x
As，其中0<x<1。
[0016]于一些实施例中，上述的半导体反射器的第二层包括Al
y
Ga
1-y
As，其中0<y<1。
[0017]于一些实施例中，上述的发光组件还包括第二绝缘层，第二绝缘层覆盖第一绝缘层，第二绝缘层的折射率不同于第一绝缘层的折射率。
[0018]于一些实施例中，上述的第二绝缘层的折射率小于第一绝缘层的折射率。
[0019]于一些实施例中，上述的第二绝缘层的背对P型半导体层的顶面的形状相似于第一绝缘层的顶面的形状。
附图说明
[0020]阅读以下详细叙述并搭配对应的附图，可了解本揭露的多个样态。需留意的是，附图中的多个特征并未依照该业界领域的标准作法绘制实际比例。事实上，所述的特征的尺寸可以任意的增加或减少以利于讨论的清晰性。
[0021]图1至图4是依照一些实施例的发光组件的剖面示意图。
[0022]【符号说明】
[0023]100、100a、100b、100c 发光组件
[0024]102 堆叠结构
[0025]104 第一绝缘层
[0026]104a 顶面
[0027]106 P型半导体层
[0028]106a 顶面
[0029]108 发光层
[0030]110 N型半导体层
[0031]110A 第一部分
[0032]110B 第二部分
[0033]112 N型接触层
[0034]114 N型电极
[0035]116 N型接触垫
[0036]118 P型电极
[0037]120 P型接触垫
[0038]122 半导体反射器
[0039]124 第一层
[0040]126 第二层
[0041]128 第二绝缘层
[0042]128a 顶面
具体实施方式
[0043]以下将以附图揭露本专利技术的多个实施例，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本专利技术。也就是说，在本专利技术部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化附图起见，一些已知惯用的结构与元件在附图中将以简单示意的方式绘示。
[0044]图1是依照一些实施例的发光组件100的剖面示意图。请参照图1，发光组件100具有堆叠结构102及覆盖堆叠结构102的至少多个侧面的第一绝缘层104。堆叠结构102包括P型半导体层106、N型半导体层110及发光层108。N型半导体层110位于P型半导体层106上方。发光层108位于P型半导体层106及N型半导体层110之间。于一些实施例中，P型半导体层106是P型磷化镓(GaP)层，N型半导体层110是N型磷化铝镓铟(AlGaInP)层。
[0045]堆叠结构102还包括N型电极114、N型接触层112、P型电极118、N型接触垫116及P型接触垫120。N型电极114位于N型半导体层110上方，N型接触层112位于N型半导体层110及N型电极114之间。N型接触垫116位于N型电极114上方。P型电极118位于P型半导体层106上方，P型接触垫120位于P型电极118上方。于一些实施例中，N型接触层112是N型砷化镓(GaAs)层。
[0046]于一些实施例中，发光层108是多重量子井层(multiple quantum well active layer)。于一实施例中，多重量子井层是由井层(well layer)及阻障层(barrier layer)的交本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光组件，其特征在于，包含：一堆叠结构，包含：一P型半导体层；一N型半导体层，位于该P型半导体层上；一发光层，位于该P型半导体层与该N型半导体层之间；一N型电极，位于该N型半导体层上；一N型接触层，位于该N型半导体层与该N型电极之间；一P型电极，位于该P型半导体层上；一N型接触垫，位于该N型电极上；一P型接触垫，位于该P型电极上；以及一半导体反射器，位于该发光层及该N型接触层之间，该半导体反射器包括多个周期，各该周期包含至少一第一层及至少一第二层，该第一层的折射率不同于该第二层的折射率；以及一第一绝缘层，覆盖该堆叠结构的至少多个侧壁。2.根据权利要求1所述的发光组件，其特征在于，该P型半导体层具有背对该半导体反射器的一顶面，且该顶面为一粗糙面。3.根据权利要求1所述的发光组件，其特征在于，该第一绝缘层的折射率小于该P型半导体层的折射率。4.根据权利要求1所述的发光组件，其特征在于，该第一绝缘层延伸至该P型半导体层的一顶面。5.根据权利要求1所述的发光组件，其特征在于，该第一绝缘层覆盖该堆叠结构的一底面，且露出该N型接触垫的一底部及该P型接触垫的一底部。6.根据权利要求1所述的发光组件，其特征在于，该N型半导体层具有一第一部分及一第二部分，该第二部分通过该半导体反射器与该第一部分分开。7.根据权利要求2所述的发光组件，其特征在于，该第一绝缘层延伸至覆盖该粗糙面。8.根据权利要求7所述的发光组件，其特征在于，该第一绝缘层的背对该P型半导体层的一顶面的形状相似于该粗糙面的形状。9.根据权利要求1所述的发光组件，其特征在于，该半导体反射器的该第一层与该第二层包含铝，且该第一层的铝的原子百分比不同于该第二层的铝的原子百分比。10.根据权利要求1所述的发光组件，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭修邑，
申请(专利权)人：隆达电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：