液晶显示器及其面板制造技术

本发明专利技术提供了一种液晶显示器，包括：第一和第二基板；形成在第一基板上的公共电极；连接到公共电极并与公共电极成钝角的公共电极线；形成在第一基板上并与公共电极交替设置的像素电极；连接到像素电极并与像素电极成钝角的像素电极线；以及介于第一和第二基板之间的液晶层，其中公共电极线的第一边缘相对于初始分子方向成钝角，像素电极线的第一边缘相对于初始分子方向成钝角。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种液晶显示器及其面板。
技术介绍
液晶显示器(LCD)是一种应用最广泛的平板显示器。LCD包括设置有场发生电极的两个面板和介于其间的液晶(LC)层。LCD通过向场发生电极施加电压以在液晶层中产生电场来显示图像，该电场决定了在液晶层中液晶分子的取向，从而调节入射光的偏振。在相应的面板上包括场发生电极的LCD中，一种称为面内转换(IPS)型LCD的LCD在一块面板上提供多个像素电极和多个公共电极。像素电极和公共电极交替设置并产生基本上与面板表面平行的电场。已知IPS LCD比扭曲向列(TN)型LCD具有更优秀的视角。公共电极和像素电极分别通过彼此重叠的公共电极线和像素电极线连接。然而，在公共电极和公共电极线之间以及像素电极和像素电极线之间的连接点附近产生纹理，从而降低了光的透过率。
技术实现思路
本专利技术的目的是解决现有技术中的问题。本专利技术提供了一种液晶显示器，包括第一和第二基板；形成在第一基板上的公共电极；连接到公共电极并与公共电极成钝角的公共电极线；形成在第一基板上并和公共电极交替设置的像素电极；连接到像素电极并与像素电极成钝角的像素电极线；以及插入在第一和第二基板之间的液晶层，其中公共电极线的第一边缘相对于初始分子方向成钝角，而像素电极线的第一边缘相对于初始分子方向成钝角。当初始分子方向相对于公共电极和像素电极成顺时针锐角时，它优选地与公共电极线和像素电极线的边缘成逆时针钝角。当初始分子方向相对于公共电极和像素电极成反时针锐角时，它优选地与公共电极线和像素电极线的边缘成顺时针钝角。公共电极线的第二边缘可以基本上垂直于公共电极延伸，而像素电极线的第二边缘可以基本上垂直于像素电极延伸。像素电极和公共电极可以弯曲。公共电极线的第二边缘可以相对于公共电极倾斜，像素电极线的第二边缘可以相对于像素电极倾斜。像素电极和公共电极的弯曲的节距(pitch of the curve)可以大于约50微米。提供了一种用于液晶显示器的面板，该面板包括基板；形成在基板上的公共电极；连接到公共电极并与公共电极成钝角的公共电极线；形成在基板上并与公共电极交替设置的像素电极；连接到像素电极并与像素电极成钝角的像素电极线；以及形成在基板上并在一个方向上摩擦(rubbed)的对准层，其中公共电极线的第一边缘相对于摩擦方向成钝角，而像素电极线的第一边缘相对于摩擦方向成钝角。当摩擦方向相对于公共电极和像素电极成顺时针锐角时，它与公共电极线和像素电极线的边缘成逆时针钝角。当摩擦方向相对于公共电极和像素电极成逆时针锐角时，它与公共电极线和像素电极线的边缘成顺时针钝角。附图说明通过结合附图详细描述本专利技术的实施例，本专利技术将更加清楚，其中图1是根据本专利技术实施例的LCD的布局图；图2是沿I-I′和II-II′线截取的图1所示的LCD的剖面图；图3是在根据本专利技术实施例的LCD中的公共电极线和像素电极线以及与其连接的公共电极和像素电极的放大图；图4和5是在根据本专利技术比较例的LCD中的公共电极线和像素电极线以及与其连接的公共电极和像素电极的放大图；图6是根据本专利技术另一个实施例的LCD的布局图；以及图7是图6所示的LCD中的公共电极线和像素电极线以及与其连接的公共电极和像素电极的放大图； 具体实施例方式下面参考示出本专利技术优选实施例的附图更加全面地描述本专利技术。然而，本专利技术可以以许多不同的形式实施，不应该解释为限定于在此提出的在图中，为了清楚而夸大了层、膜和区的厚度。在全部内容中相同的附图标记代表相同的元件。可以理解的是，当一个元件，如层、膜、区或基板称为在另一个元件“上”时，它可以直接在另一个元件上或者还可以存在介于其间的元件。相反，当一个元件称为“直接”在另一个元件“上”时，则不存在介于其间的元件。现在将参考附图描述根据本专利技术实施例的液晶显示器和用于LCD的TFT阵列面板。图1是根据本专利技术实施例的LCD的布局图，图2是沿I-I′和II-II′线的图1所示的LCD的剖面图。参考图1和2，根据本专利技术实施例的液晶显示器包括下面板、与下面板面对的上面板、和介于其间的液晶层3。详细描述下面板。传输栅极信号的多个栅极线121和传输公共电压的多对公共电极线131形成在绝缘基板110上。每个栅极线121基本上沿横向方向延伸，每个栅极线121的多个部分形成多个栅极123。每对公共电极线131基本上沿横向延伸，并包括多组基本上沿纵向延伸以在该对公共电极线131之间连接的公共电极133。公共电极线131被提供称作公共电压的预定电压，公共电极线131的内边缘相对于公共电极133的内边缘倾斜。栅极线121和公共电极线131优选由铝和铝合金、包含银的金属如银和银合金、包含铜的金属如铜或铜合金、铬、钼、钼合金、铊或钛制成。它们可以具有多层结构。另外，栅极线121和公共电极线131的侧面相对于基板110的表面倾斜，其倾斜角大约在30-80度的范围。优选由氮化硅(SiNx)制成的栅极绝缘层140形成在栅极线121和公共电极线131上。优选由氢化无定形硅(缩写为“a-Si”)或多晶硅制成的多个半导体岛150形成在栅极绝缘层140上。优选由硅或重搀杂n型杂质的n+氢化a-Si形成的多个欧姆接触岛163和165形成在半导体岛154上。欧姆接触岛163和165成对位于半导体岛154上。半导体岛150和欧姆接触部163和165的侧面相对于基板110的表面倾斜，其倾斜角优选在30-80度之间的范围。彼此分开的多个数据线171和多对像素电极线191形成在欧姆接触部163和165与栅极绝缘层140上。用于传输数据电压的数据线171基本上沿纵向延伸并与栅极线121和公共电极线131相交。每对像素电极线191基本上沿横向延伸并包括多个像素电极190。像素电极190平行于公共电极133延伸，且它们设置在公共电极133之间。像素电极线191和公共电极线131重叠，且像素电极线191的内边缘相对于像素电极190的内边缘倾斜。每个数据线171包括多个向栅极线123凸出的分支以形成多个源极173，而每个像素电极线191还包括向源极173凸出的延伸部175以形成漏极175。每对源极173和漏极175彼此相对于栅极123相对设置。栅极123、源极173和漏极175与半导体岛150一起形成具有沟道的TFT，该沟道形成在源极173和漏极175之间设置的半导体岛150中。像素电极190从漏极175接收数据电压并与公共电极133配合产生电场，该电场使在设置其间的液晶层中的液晶分子重新定向。像素电极190和公共电极133形成液晶电容器，该电容器在TFT截止后存储所施加的电压。提供了称为“储存电容器”的附加电容器，它与液晶电容器并联，用于提高电压存储容量。储存电容器通过像素电极线191与公共电极线131重叠而形成。数据线171和像素电极线191优选由难熔金属如Cr、Mo、Ti等制成。它们可以包括优选由Mo、Mo合金或Cr制成的下膜(未示出)和位于其上并优选由含金属的Al制成的上膜(未示出)。如栅极线121和公共电极线131那样，数据线171和像素电极线191具有倾斜的侧面，其倾斜角在约30-80度的范围内。欧姆接触部163和165只介于下面的半导体岛150和上覆的源极173与覆盖其上的漏极175之间并降低其间的接本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种液晶显示器，包括：第一和第二基板；形成在第一基板上的公共电极；连接到公共电极上并与公共电极成钝角的公共电极线；形成在第一基板上并与公共电极交替设置的像素电极；连接到像素电极上并与像素电极成钝角的像 素电极线；以及介于第一和第二基板之间的液晶层，其中，公共电极线的第一边缘相对于初始分子方向成钝角，像素电极线的第一边缘相对于初始分子方向成钝角。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：李昶勋，韩银姬，仓学璇，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]