用于液晶显示器的薄膜晶体管面板制造技术

本发明专利技术提供了关于各数据线彼此相对的两个亚像素。提供一对栅极线用于像素的各行。多个辅助信号线设置在像素的邻接列之间。该数据线和辅助信号线交替地排列在像素的邻接列之间。存储布线设置在像素的邻接列之间。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板。
技术介绍
液晶显示器(“LCD”)是目前使用最广泛的平板显示器之一，其包括具备电极的两张面板和充填在其间的液晶层，通过给电极施加电压使液晶层的液晶分子重新排列来调整所透过光的透射比。在液晶显示器中，目前主要使用的是在两面板上分别形成电极，具有控制施加到电极像素电压的薄膜晶体管(“TFTs”)液晶显示器。一般，薄膜晶体管分别形成在矩阵形式排列的数个像素之上，而每个像素包括根据薄膜晶体管控制传送图像信号的像素电极。此外，在薄膜晶体管阵列面板上以矩阵形式形成分别与栅极驱动集成电路输出端连接并提供控制像素扫描信号的栅极线和分别与数据驱动集成电路(“ICs”)输出端连接提供像素信号并与栅极线交叉限定矩阵像素的数据线，这些栅极线和数据线通过像素的像素电极和薄膜晶体管分别连接。液晶显示器为VGA(video graphics array)级别时，栅极线数为480、数据线数为1920，是栅极线数的4倍。此外，为WVGA(wide video graphics array)级别时，栅极线数为480，数据线数为2400，是栅极线数的5倍。这意味着组成液晶显示器使用栅极驱动集成电路4-5倍的数据驱动集成电路。然而，在制造这种液晶显示器时，为了在市场竞争中占优势，需要将制造成本降到最低。数据驱动集成电路的价格比栅极驱动集成电路的价格贵，因此需要将数据驱动集成电路数降到最低。同时，为了提高显示器可见度，尤其在具有光源的透射型和半透射型中如何阻挡相邻接像素电极之间光泄露是重要的。此外，在透反射型中，需要使反射膜的反射率对每个像素是均匀的。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种具有最低制造成本的用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板。本专利技术另一目的是提供一种可以阻挡像素电极之间光泄露的用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板。本专利技术再一目的是在液晶显示器中得到均匀反射率。为了实现上述目的，一条数据线与它相邻的两侧两个像素电极电连接并传送图像信号，每个像素与不同栅极线连接。在相邻的像素区域之间纵向交替形成数据线和辅助信号线、横向形成存储电极线，它们与分布在相应像素中的像素电极边缘部分相重叠具有阻挡光泄露的功能。此外，在包括反射膜的液晶显示器制造方法中，使用用于在钝化层的表面形成相同的凹凸形态的一部分掩膜，以便与其它部分相比，对应数据布线的该掩膜的透明部分具有减小的宽度，从而减少光的透射量。提供一种用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板，其包括栅极布线，包括基本横向延伸并传送扫描信号的多对栅极线以及分别连接栅极线对、分布于像素行的各对栅极线的多个第一和第二薄膜晶体管的栅极；数据布线，包括与栅极线绝缘基本纵向延伸且分别分布于两个相邻像素列的多条数据线、连接相应数据线的第一及第二薄膜晶体管的多个源极、以及与源极分离并位于关于栅极与源极相对的第一及第二薄膜晶体管的漏极；多条辅助信号线，与栅极线绝缘并且与数据线、分布于一个像素列的各辅助信号线进行交替排列；以及多个像素电极，通过第一及第二薄膜晶体管连接栅极线对和数据线，像素电极的边缘重叠数据线和辅助信号线。该薄膜晶体管阵列面板可以进一步包括与像素电极重叠以形成存储电容器的存储布线。优选该存储布线包括基本横向延伸的多条存储电极线和连接存储电极的多个存储电极，各存储电极与漏极重叠。提供另一种用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板，其包括栅极布线，包括位于相应像素的上部及下部基本横向延伸并传送扫描信号的多个栅极线对和分别与栅极线对连接的第一及第二薄膜晶体管的多个栅极；数据布线，包括与栅极线绝缘基本纵向延伸以限定像素并且分别分布于两个相邻像素的多条数据线、分别与数据线连接的第一及第二薄膜晶体管的多个源极、以及与源极分离且关于栅极与源极相对的第一及第二薄膜晶体管的漏极；以及多个像素电极，通过第一及第二薄膜晶体管连接栅极和数据线对。优选地，该数据布线设置在两个像素中央。该薄膜晶体管阵列面板可进一步包括与像素电极重叠以形成存储电容器的存储布线。优选该存储布线包括基本横向延伸的存储电极线和连接在存储电极线基本纵向延伸且与像素电极边缘重叠的多个存储电极。各数据线可以具有双线结构并且优选地该数据线的双线通过多个连接器相互连接。该存储布线还可以只包括横向延伸并与像素电极重叠的存储电极线，而该薄膜晶体管阵列面板可进一步包括与漏极和像素电极连接并与存储电极线相重叠的存储电容器导体。附图说明本专利技术更全面的评价及其许多附带优点，通过参考附图详细地进行描述，将会变得更加明显并且更好地理解，且相同附图标记表示相同或相似的元件，其中图1是根据本专利技术第一实施例的用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板的配置图；图2是图1所示的薄膜晶体管阵列面板沿着II-II′线的截面图；图3是根据本专利技术实施例的用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板的等效电路图；图4是根据本专利技术第二实施例的用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板的配置图；图5是根据本专利技术实施例的用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板等效电路图；图6是根据本专利技术第三实施例的用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板的配置图；图7是图6所示的薄膜晶体管阵列面板沿着VII-VII′线的截面图； 图8A是说明根据本专利技术第三实施例制造的第一步骤的薄膜晶体管阵列面板的配置图；图8B是图8A所示的薄膜晶体管阵列面板沿着VIIIB-VIIIB′线的截面图；图9A是显示图8A所示步骤的下一步骤的配置图；图9B是图9A所示的薄膜晶体管阵列面板沿着IXB-IXB′线的截面图；图10A是显示图9A所示步骤的下一步骤的配置图；图10B是图10A所示的薄膜晶体管阵列面板沿着XB-XB′线的截面图；图11是图10A所示步骤的下一步骤的配置图；图12A是图11所示步骤的下一步骤的配置图；图12B是图12A所示的薄膜晶体管阵列面板沿着XIIB-XIIB′线的截面图；图13是根据本专利技术第四实施例的用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板的配置图；图14是图13所示的薄膜晶体管阵列面板沿着XIV-XIV′线的截面图；图15A是根据本专利技术第四实施例制造的第一步骤的薄膜晶体管阵列面板的配置图； 图15B是图15A所示的薄膜晶体管阵列面板沿着XVB-XVB′线的截面图；图16A是15A所示步骤的下一步骤的配置图；图16B是图16A所示的薄膜晶体管阵列面板沿着XVIB-XVIB′线的截面图；图17A是16A所示步骤的下一步骤的配置图；图17B是图17A所示的薄膜晶体管阵列面板沿着XVIIB-XVIIB′线的截面图；图18是17B所示步骤的下一步骤的配置图；图19A是图18所示步骤的下一步骤的配置图；以及图19B是图19A所示的薄膜晶体管阵列面板沿着XIXB-XIXB′线的截面图。具体实施例方式为了使本领域技术人员能够实施本专利技术，现参照附图详细说明本专利技术的优选实施例。但是，本专利技术可表现为不同形式，它不局限于在此说明的实施例。在附图中，为了清楚起见夸大了各层的厚度及区域。在全篇说明书中对相同元件附上相同的符号，应当理解的是当提到层、区域、或基片等元件在别的部分“之上”时，指其直接位于别的元件之上，或者也可能有别的元件介于其间。相反，当某个元件被提到“直接”位于别的部分之上时，指并无别的元件介于其间。参照附图详细本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板，包括：栅极布线，包括基本横向延伸并传送扫描信号的多对栅极线以及分别连接所述栅极线对、分布于像素行的各对栅极线的多个第一和第二薄膜晶体管的栅极；数据布线，包括与所述栅极线绝缘基本纵向延伸 且分别分布于两个相邻像素列的多条数据线、连接相应数据线的所述第一及所述第二薄膜晶体管的多个源极、以及与所述源极分离并位于关于所述栅极与所述源极相对的所述第一及所述第二薄膜晶体管的漏极；多条辅助信号线，与所述栅极线绝缘并且与所述数据线 、分布于一个像素列的各辅助信号线进行交替排列；以及多个像素电极，通过所述第一及第二薄膜晶体管连接所述栅极线对和所述数据线，所述像素电极的边缘与所述数据线和所述辅助信号线重叠。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：金东奎，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]