薄膜晶体管阵列面板和液晶显示器制造技术

提供了一种薄膜晶体管阵列面板，该面板包括：绝缘基板、在缘基板上形成的栅极线、覆盖栅极线的栅极绝缘层、在栅极绝缘层上形成的数据线；覆盖数据线的下钝化层、在下钝化层上形成的由有机绝缘材料制成的上钝化层、在上钝化层上形成的像素电极。栅极绝缘层、下钝化层和像素电极的厚度分别表示为ｄ↓［Ｇ］，ｄ↓［Ｐ］，ｄ↓［Ｉ］；栅极绝缘层、下钝化层和像素电极的折射率分别表示为ｎ↓［Ｇ］，ｎ↓［Ｐ］，ｎ↓［Ｉ］，并且根据：４（ｄ↓［Ｇ］ｎ↓［Ｇ］＋ｄ↓［Ｐ］ｎ↓［Ｐ］）＝，这是波长的偶数倍；４ｄ↓［Ｉ］ｎ↓［Ｉ］＝，这是波长的奇数倍，满足条件方程。

【技术实现步骤摘要】

本申请要求2004年12月17日提交的第10-2004-0108172号韩国专利申请的优先权和利益，该文献通过各种目的的引用而被包含于此，就好像被完整地在此提出一样。
技术介绍
本专利技术涉及一种薄膜晶体管阵列面板和液晶显示器。平板显示器，如液晶显示器(LCD)和有机发光显示器(OLED)，包括薄膜晶体管(TFT)阵列面板以单独地控制多个像素。薄膜晶体管阵列面板具有排列成矩阵的多个像素和驱动像素的多个信号线，如用于传送扫描信号的栅极线和用于传送数据信号的数据线。每个像素具有像素电极和与栅极线和数据线连接以控制数据信号的TFT。在栅极线、数据线和薄膜晶体管之间形成栅极绝缘层和钝化层，以使其间绝缘。薄膜晶体管具有栅电极，与栅极线连接；源电极，与数据线连接；漏电极，与像素电极连接；半导体，在其中形成薄膜晶体管的通道；和栅极绝缘层，在栅电极和半导体之间。在液晶显示器中，用低介电的有机绝缘层作为钝化层，通过将像素电极和信号线之间的寄生电容最小化来提高开口率。因此，与采用无机绝缘层相比，像素电极和信号线之间的间隔减小到大约3～4微米，或者像素电极和信号线彼此重叠以提高开口率。由于有机绝缘层的透光率低，或者根据通过不同的层间折射率产生的多反射的干涉现象，而使得LCD的透光率降低。
技术实现思路
本专利技术提供了一种薄膜晶体管阵列面板和液晶显示器。将在下面的描述中阐明本专利技术的其它特点，部分特点从描述中显而易见，或者可由本专利技术的实施得知。本专利技术公开了一种薄膜晶体管阵列面板，具有绝缘基板、在绝缘基板上形成的栅极线、覆盖栅极线的栅极绝缘层、在栅极绝缘层上形成的数据线、覆盖数据线的下钝化层、在下钝化层上形成的包含有机绝缘材料的上钝化层、和在上钝化层上形成的像素电极，其中，栅极绝缘层、下钝化层和像素电极满足下面的条件方程4(dGnG+dPnP)＝，是波长的偶倍数，4dInI＝，是波长的偶倍数，其中，栅极绝缘层、下钝化层和像素电极的厚度分别表示为dG、dP和dI，栅极绝缘层、钝化层和像素电极的折射率分别表示为nG、nP和nI。本专利技术还公开了一种液晶显示器，具有第一基板、在第一基板上形成的栅极绝缘层、在栅极绝缘层上形成的下钝化层、在下钝化层上形成的并包含有机绝缘材料的上钝化层、在上钝化层上形成的像素电极、面对向第一基板的第二基板、在第一基板与第二基板之间形成的液晶层，其中，栅极绝缘层、下钝化层和像素电极满足下面的条件方程4(dGnG+dPnP)＝，是波长的偶倍数，4dInI＝，是波长的偶倍数，其中，栅极绝缘层、下钝化层和像素电极的厚度分别表示为dG、dP和dI，栅极绝缘层、钝化层和像素电极的折射率分别表示为nG、nP和nI。应该清楚，前面的概括性描述和下面的详细描述是示例性和解释性的，意在进一步提供本专利技术的解释，如要求的一样。附图说明为进一步理解本专利技术，结合附图并将附图作为本说明的一部分，对本专利技术的实施例进行说明，同时为解释本专利技术的原理进行描述。图1为根据本专利技术实施例的LCD的TFT阵列面板的布局视图。图2为沿图1中线II-II截取的TFT阵列面板的剖视图。图3为TFT阵列面板中显示区域的沉积结构的剖视图。图4为具有不同折射率和不同厚度的多层沉积结构的剖视图。图5显示了根据多反射的干扰现象。图6为显示了根据像素电极的厚度的波长的透光率曲线图。图7为显示了根据氮化硅层的厚度的波长的透光率曲线图。图8为显示了根据有机绝缘层的厚度的波长的透光率曲线图。图9为显示了根据多层的最佳厚度的波长的透光率曲线图。图10为显示根据在具有多层的最佳厚度的显示装置中的有机层的厚度的波长的透光率曲线图。具体实施例方式以下将参照附图来更充分地描述本专利技术，在所述附图中示出了本专利技术的优选实施例。尽管本专利技术有许多不同形式的实施例，但是本专利技术不应该限于所提出的实施例而被构建。在附图中，为清晰起见，夸大了层、薄膜和区域的厚度。相同的标号始终表示相同的元件。可以理解，当如层、薄膜、区域或基板的元件被称为位于另一个元件“上”时，它可以直接在另一个元件上或也可存在中间元件。相反，当元件被称为“直接”位于另一个元件“上”时，不存在中间元件。下面参照附图来描述根据本专利技术的实施例的TFT阵列面板和具有该面板的LCD。下面参照图1和图2来描述LCD的TFT阵列面板。TFT阵列面板可具有显示区域和外围区域，在该显示区域中设置了多个信号线、多个薄膜晶体管和多个像素电极，在该外围区域中设置了所述信号线的多个端部。图1是LCD的TFT阵列面板的布局视图，图2是沿图1中的线II-II的TFT阵列面板的剖视图。多个栅极线121形成在如透明玻璃的绝缘基板110上。栅极线121可基本上在横向方向上延伸，相互分离并传送栅极信号。每个栅极线121具有多个形成多个栅电极124的部分，和具有用于与另一层或外部驱动电路充分接触的区域的端部129。栅极线121可与驱动电路相连接，该驱动电路可与绝缘基板110是一体的或者形成在绝缘基板110上。大多数栅极线121设置在显示区域中，端部129设置在外围区域中。如图2所示，栅极线121可包括两个具有不用物理性质的膜，下膜121p和上膜121q。为了减少栅极线121中的信号延迟或压降，上膜121q可由具有含Al的金属如Al和Al合金的低电阻率的金属制成。下膜121p可由诸如Cr、Ti、Ta、Mo和Mo合金的材料制成，该材料具有良好的物理、化学性质和与如氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)的其它材料的良好的电接触的性质。例如，栅极线121可包括Cr材料的下膜和Al-Nd合金材料的上膜。在图2中，栅电极124的下膜和上膜分别由标号124p和124q来表示，端部129的下膜和上膜分别由标号129p和129q来表示。可去除栅极线121的端部129的部份上膜129q以暴露下膜129p的底部。上膜121q、124q和129q与下膜121p、124p和129p的侧面可是楔形，并且这些侧面关于基板110的表面的倾斜角可在大约30度至80度范围内。在栅极线121上可形成优选地由氮化硅(SiNx)制备的栅极绝缘层140。在栅极绝缘层140上形成可由氢化非晶硅(“α-Si”)制备的多个半导体岛150。每个半导体岛150设置在栅电极124上，并且在栅电极124附近每个半导体岛150变宽，从而在栅电极124附近，每个半导体岛150覆盖较大的区域。在半导体岛150上形成可由大量掺杂了n-型杂质的硅化物或n+氢化的α-Si制备的多个欧姆接触岛163和165。每个欧姆接触岛163和165成对地位于半导体岛150上。半导体岛150和欧姆接触岛163和165的侧面可是楔形的，并且它们的倾斜角可在大约30度至80度的范围内。在欧姆接触岛163和165以及栅极绝缘层140上形成了多个数据线171和多个漏电极175。数据线171传送数据电压并沿基本纵向方向延伸并与栅极线121交叉。每个数据线171包括伸缩物(expansion)179，该伸缩物具有与另一层或外部装置充分接触的区域。向漏电极175延伸的各个数据线171的多个分支形成了多个源电极173。源电极173和漏电极175的每对相互分离并关于栅电极124彼此相对。栅电极124、源电极173、漏电极175和半导体150形成TFT，该TFT具有在置于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管阵列面板，包括：绝缘基板；在所述绝缘基板上形成的栅极线；覆盖所述栅极线的栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成的数据线；覆盖所述数据线的下钝化层；在所述钝化层上形成的包含有机绝缘材料的上钝化层；在所述上钝化层上形成的像素电极，其中，所述栅极绝缘层、所述下钝化层和所述像素电极满足下面的条件方程：４（ｄ↓［Ｇ］ｎ↓［Ｇ］＋ｄ↓［Ｐ］ｎ↓［Ｐ］）＝，这是波长的偶数倍；４ｄ↓［Ｉ］ｎ↓［Ｉ］＝，这是波长的奇数倍，其中，所述栅极绝缘层、所述下钝化层和所述像素电极的厚度分别表示为ｄ↓［Ｇ］，ｄ↓［Ｐ］，ｄ↓［Ｉ］；所述栅极绝缘层、所述下钝化层和所述像素电极的折射率分别表示为ｎ↓［Ｇ］，ｎ↓［Ｐ］，ｎ↓［Ｉ］。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：梁英喆，宋根圭，金保成，洪雯杓，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]