液晶显示器制造技术

一种液晶显示器，包括：第一绝缘基板；导体，形成在第一绝缘基板上，并且包括栅极线和数据线；和像素电极，电连接到栅极线和数据线，并且包括在数据线的延伸方向上彼此相邻的第一像素电极和第二像素电极及部分面对第一像素电极和第二像素电极的第三像素电极。因此，本发明专利技术提供一种改进开口率和改进光透射率的ＬＣＤ。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示器。
技术介绍
液晶显示器(LCD)典型地包括LCD板和背光单元。LCD板包括形成 有薄膜晶体管(TFT)的TFT基板；形成有滤色器的滤色器基板；以及设置 在二者之间的液晶层。LCD板自身不发光。因此，在LCD板后面设置背光 单元，以提供透射光从而显示图像。近来，LCD已经用在各种显示装置中，如电视、移动电话等。尽管与阴 极射线管(CRT)、等离子显示板(PDP)等相比，LCD已经在视角、色彩 再现、亮度等方面进行了改进，但是LCD仍然需要改进其响应速度。构图垂直取向(patterned vertically aligned: PVA )模式的LCD意味着 提供一种改进的视角，并且包括像素电极和公共电极，其分别具有所谓的切 割图案(cutting pattern )。在PVA模式的LCD中，利用由上述的切割图案产 生的边缘场(fringe field),通过调整在液晶层中的液晶分子取向来改善视角。然而，包括PVA模式LCD的传统LCD具有低开口率(aperture ratio)和 低光透射率。
技术实现思路
本专利技术的示范性实施例提供一种改善开口率和改善光透射率的LCD。 根据本专利技术的示范性实施例， 一种液晶显示器包括第一绝缘基板；导 体，形成在该第一绝缘基板上，并且包括栅极线和数据线；以及像素电极， 电连接到栅极线和数据线，并且包括在数据线的延伸方向上彼此相邻的第一 像素电极和第二像素电极，以及部分面对第 一像素电极和第二像素电极的第 三像素电极。在本专利技术的示范性实施例中，第一像素电极、第二像素电极和第三像素 电极连接到各自不同的栅极线。在本专利技术的示范性实施例中，连接到第三像素电极的栅极线沿着第一像 素电极和第二像素电极的边界通过。在本专利技术的示范性实施例中，第一像素电极、第二像素电极和第三像素 电极连接到相同的数据线。根据本专利技术的示范性实施例，连接到数据线的第一、第二和第三像素电 极沿着数据线的延伸方向相对于数据线左右交替设置。根据本专利技术的示范性实施例，液晶显示器还包括连接到栅极线以给栅极 线施加驱动信号的移位寄存器。该移位寄存器形成在第一绝缘基板上。在本专利技术的示范性实施例中，在数据线的延伸方向上像素电极的侧面为 锯齿形。根据本专利技术的示范性实施例，数据线沿着像素电极的侧面延伸。根据本专利技术的示范性实施例，像素电极的侧面相对于栅极线的延伸方向形成40度至50度的角。在本专利技术的示范性实施例中，像素电极切割图案沿着栅极线的延伸方向 形成在像素电极上。在本专利技术的示范性实施例中，液晶显示器还包括面对像素电极的第二绝 缘基板和垂直取向(VA)模式的液晶层，该液晶层形成在像素电极和第二 绝缘基板之间。根据本专利技术的示范性实施例，液晶显示器还包括形成在第二绝缘基板上 的公共电极，其中公共电极切割图案形成在公共电极上，并且与像素电极的 侧面平4亍。在本专利技术的示范性实施例中，依次驱动第一像素电极、第二像素电极和 第三像素电极。在本专利技术的示范性实施例中，液晶显示器还包括多个V形像素电极，并 且该像素电极包括在第 一 方向上彼此相邻设置的第 一像素电极和第二电极， 以及在垂直于第一方向的第二方向上部分面对第一像素电极和第二电极的 第三像素电极。在本专利技术的示范性实施例中，每个像素电极包括上部和从上部弯曲的下 部，第三像素电极的上部面对第一像素电极的下部，而第三像素电极的下部 面对第二像素电极的上部。根据本专利技术的示范性实施例，依次驱动第一像素电极、第二像素电极和第三像素电极。根据本专利技术的示范性实施例， 一种液晶显示器包括绝缘基板；导体， 形成在绝缘基板上，并且包括栅极线和数据线；和像素电极，连接到栅极线 和数据线，并且包括设置在数据线左侧的第一像素电极和设置在数据线右侧 的第二像素电极，第 一像素电极和第二像素电极在栅极线的延伸方向上部分 面对，像素电极为V形，数据线沿着像素电极的周围形成。附图说明结合附图，通过下面的描述将更详细地理解本专利技术的示范性实施例，其中图1是根据本专利技术示范性实施例的LCD的布置图； 图2是沿着图1中的II-II线剖取的截面图； 图3是沿着图1中的ni-m线剖取的截面图4图解了图1所示根据本专利技术示范性实施例的LCD中像素电极和线 的连接；图5图解了图1所示根据本专利技术示范性实施例的LCD的驱动方法； 图6是根据本专利技术示范性实施例的LCD中的像素电极的布置图；和 图7是根据本专利技术示范性实施例的LCD中的像素电极的布置图。具体实施例方式下面将参照附图详细地描述本专利技术的示范性实施例。然而，本专利技术可以以多种不同方式予以实施，并且不应解释成限于在此阐述的示范性实施例。 参照图1至3，来详细描述根据本专利技术示范性实施例的LCD。 LCD 1包括TFT基板100、面对TFT基板100的滤色器基板200和设置在基板100和200之间的液晶层300。关于TFT基板100，栅极线121和122形成在第一绝缘基板111上。栅极线121和122可以是单层或多层。栅极线121和122包括横向延伸的栅极线121和连接到栅极线121的栅极电极122。栅极线121和122还可以包括与像素电极161交叠的存储电极线(未示出)，以形成存储电容。栅绝缘层131由氮化硅(SiNx)或类似物制成，并且形成在第一绝缘基板111上，以覆盖栅极线121和122。半导体层132由非晶硅或类似物制成，并且形成在栅极电极122的栅绝 缘层131上。欧姆接触层133由高掺杂以n型杂质的n+型氢化非晶硅或硅 化物制成，并且形成在半导体层132上。欧姆接触层133分成两部分。由部分141、 142和143形成的数据线形成在欧姆接触层133上和栅绝 缘层131上。数据线141、 142和143可以是金属单层或金属多层。数据线 141、 142和143包括竖直延伸以交叉栅极线121的数据线141、从数据线141 分出来并且在欧姆接触层133之上延伸的源极电极142和与源极电极142分 隔开并且形成在欧姆接触层133的一部分上的漏极电极143。数据线141全部上下延伸，但是沿着像素电极161的侧面以锯齿形弯曲。 源极电极142从数据线141上交替地分支到右侧和左侧。钝化层151包括氮化硅(SiNx)、通过等离子体增强化学气相沉积 (PECVD )沉积的a-Si:C:O层和a-Si:O:F层、丙烯酸有机绝缘层等，并且形 成在数据线141、 142和143上以及在没有净皮数据线141、 142和143覆盖的 半导体层132的一部分上。接触孔152形成在钝化层151中，以暴露漏极电 极143。像素电极161形成在钝化层151上。像素电极161由透明导电材料制成， 如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)。像素电极切割图案162形成在像素电极161上。形成像素电极切割图案 162，以与公共电极切割图案252(稍后描述)一起将液晶层300分成多个域。 像素电极切割图案162与栅极线121平ff延伸。在下文，将详细描述前述的栅极线121、数据线141和像素电极161之 间布置的连接方式。像素电极161是V字形的，并且包括三个子像素电极161a、161b和161c。 一个像素包括对应于子像素电极161a、 161b和161c的三个子像素。子像素 电极161本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种液晶显示器，包括：第一绝缘基板；导体，形成在所述第一绝缘基板上，并且包括栅极线和数据线；和像素电极，电连接到所述栅极线和所述数据线，并且包括在所述数据线的延伸方向上彼此相邻的第一像素电极和第二像素电极，以及部分面对所述第一像素电极和所述第二像素电极的第三像素电极。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：赵善儿，严允成，孙智媛，朴振远，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]