半导体器件制造技术

本发明专利技术提供一种半导体器件(A1)，其包括：基板(3)；形成于基板(3)上的由导电性材料构成的导电部(5)；配置于基板(3)上的引线(1A)；配置于引线(1A)上的半导体芯片(4A)；与导电部(5)和半导体芯片(4A)电连接且配置于基板(3)上的控制半导体芯片(4A)的驱动的控制芯片(4G)；覆盖基板(3)的至少一部分和引线(1A)的一部分的树脂(7)。根据这样的结构，能够促进半导体器件的高集成化。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体器件
本专利技术涉及半导体器件。
技术介绍
公知有一种半导体器件，其包括：半导体芯片；流通用于对半导体芯片的动作电流进行控制的控制电流的控制芯片；和密封半导体芯片和控制芯片的树脂(参照专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2015-220429号公报。
技术实现思路
专利技术要解决的问题在控制芯片中存在多种控制信号的输入输出。控制信号的数量越增加，就越需要增加去往控制芯片的导通路径的数量，当将这些导通路径如现有技术那样用金属制的多个引线构成时，半导体器件的进一步的高集成化可能变得困难。本专利技术是基于上述的状况而想出的专利技术，其目的在于提供一种能够实现更加高集成化的半导体器件。用于解决问题的技术手段本专利技术提供一种半导体器件，其包括：基板；形成于所述基板上的由导电性材料构成的导电部；配置于所述基板上的散热性比所述基板高的第1引线；配置于所述第1引线上的半导体芯片；控制所述半导体芯片的驱动的控制芯片，该控制芯片与所述导电部和所述半导体芯片电连接，并且在俯视时与所述半导体芯片和所述第1引线隔开间隔地配置于所述基板上；和覆盖所述半导体芯片、所述控制芯片、所述基板的至少一部分和所述引线的一部分的树脂。专利技术效果依据本专利技术，能够提供抑制散热特性的降低并且实现高集成化的半导体器件。本专利技术的其它的特征和优点通过参照附图在以下进行详细的说明，从而能够明白。附图说明图1是表示本专利技术的第1实施方式的半导体器件的立体图。图2是表示本专利技术的第1实施方式的半导体器件的平面图。图3是表示本专利技术的第1实施方式的半导体器件的底面图。图4是表示本专利技术的第1实施方式的半导体器件的主要部分平面图。图5是沿着图4的V-V线的截面图。图6是表示本专利技术的第1实施方式的半导体器件的主要部分放大截面图。图7是表示本专利技术的第1实施方式的半导体器件的主要部分放大截面图。图8是表示本专利技术的第1实施方式的半导体器件的主要部分放大截面图。图9是沿着图4的IX-IX线的截面图。图10是表示本专利技术的第1实施方式的半导体器件的主要部分放大平面图。图11是表示第1导线91A的端部的主要部分放大平面图。图12是沿着图11的XII-XII线的主要部分放大截面图。图13是沿着图11的XIII-XIII线的主要部分放大截面图。图14是表示本专利技术的第1实施方式的半导体器件的主要部分放大平面图。图15是表示本专利技术的第1实施方式的半导体器件的主要部分放大平面图。图16是表示本专利技术的第1实施方式的半导体器件的基板的主要部分放大平面图。图17是表示本专利技术的第1实施方式的半导体器件的半导体芯片的主要部分放大截面图。图18是示意性地表示本专利技术的第1实施方式的半导体器件的电结构的电路图。图19是表示本专利技术的第1实施方式的半导体器件的电路结构的一部分的电路图。图20是表示本专利技术的第1实施方式的半导体器件的制造方法的一例的流程图。图21是表示本专利技术的第1实施方式的半导体器件的制造方法的一例的平面图。图22是表示图21的下一个工序的平面图。图23是表示图22的下一个工序的平面图。图24是表示图23的下一个工序的平面图。图25是表示图24的下一个工序的平面图。图26是表示图25的下一个工序的平面图。图27是表示图26的下一个工序的平面图。图28是表示图27的下一个工序的平面图。图29是表示图28的下一个工序的平面图。图30是表示图29的下一个工序的平面图。图31是表示本专利技术的第1实施方式的半导体器件的第1变形例的主要部分平面图。图32是表示本专利技术的第1实施方式的半导体器件的第1变形例的半导体芯片的主要部分放大截面图。图33是表示本专利技术的第1实施方式的半导体器件的第1变形例的二极管的主要部分放大立体图。图34是表示本专利技术的第1实施方式的半导体器件的第1变形例的二极管的主要部分放大截面图。图35是表示本专利技术的第2实施方式的半导体器件的立体图。图36是表示本专利技术的第2实施方式的半导体器件的平面图。图37是表示本专利技术的第2实施方式的半导体器件的底面图。图38是表示本专利技术的第2实施方式的半导体器件的侧面图。图39是表示本专利技术的第2实施方式的半导体器件的主要部分平面图。图40是沿着图39的XL-XL线的截面图。图41是沿着图39的XLI-XLI线的截面图。图42是表示本专利技术的第2实施方式的半导体器件的主要部分平面图。图43是表示本专利技术的第2实施方式的半导体器件的主要部分平面图。图44是示意性地表示本专利技术的第2实施方式的半导体器件的电结构的电路图。图45是表示本专利技术的第2实施方式的半导体器件的主要部分平面图。图46是表示本专利技术的第2实施方式的半导体器件的主要部分放大平面图。图47是表示本专利技术的第2实施方式的半导体器件的主要部分放大平面图。图48是表示本专利技术的第2实施方式的半导体器件的基板的主要部分放大平面图。图49是示意性地表示本专利技术的第2实施方式的半导体器件的电结构的电路图。图50是示意性地表示安装有本专利技术的第2实施方式的半导体器件的电路基板的电结构的电路图。图51是示意性地表示本专利技术的第2实施方式的半导体器件的第1传递电路芯片、1次侧电路芯片和控制芯片的立体图。图52是表示第1传递电路芯片的主要部分平面图。图53是表示第1传递电路芯片的主要部分底面图。图54是表示第1传递电路芯片的主要部分平面图。图55是沿着图52的LV-LV线的截面图。图56是表示第1传递电路芯片的主要部分放大截面图。图57是表示第1传递电路芯片的层间膜的厚度与击穿电压的关系的图。图58是表示本专利技术的第3实施方式的半导体器件的平面图。图59是表示本专利技术的第3实施方式的半导体器件的主要部分放大平面图。图60是表示本专利技术的第3实施方式的半导体器件的第1变形例的平面图。图61是表示本专利技术的第4实施方式的半导体器件的平面图。图62是表示本专利技术的第4实施方式的半导体器件的主要部分放大平面图。图63是表示本专利技术的第4实施方式的半导体器件的信号传递元件的平面图。图64是表示本专利技术的第4实施方式的半导体器件的第1变形例的主要部分放大平面图。图65是表示本专利技术的第4实施方式的半导体器件的第2变形例的主要部分放大平面图。图66是表示本专利技术的第5实施方式的半导体器件的平面图。图67是表示本专利技术的第5实施方式的半导体器件的主要部分放大平面图。图68是表示本专利技术的第6实施方式的半导体器件的平面图。图69是表示本专利技术的第6实施方式的半导体器件的主要部分放大平面图本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：/n基板；/n形成于所述基板上的由导电性材料构成的导电部；/n配置于所述基板上的散热性比所述基板高的第1引线；/n配置于所述第1引线上的半导体芯片；/n控制所述半导体芯片的驱动的控制芯片，该控制芯片与所述导电部和所述半导体芯片电连接，并且在俯视时与所述半导体芯片和所述第1引线隔开间隔地配置于所述基板上；和/n树脂，其覆盖所述半导体芯片和所述控制芯片、以及所述基板的至少一部分和所述引线的一部分。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180620 JP 2018-116658;20180625 JP 2018-1202901.一种半导体器件，其特征在于，包括：
基板；
形成于所述基板上的由导电性材料构成的导电部；
配置于所述基板上的散热性比所述基板高的第1引线；
配置于所述第1引线上的半导体芯片；
控制所述半导体芯片的驱动的控制芯片，该控制芯片与所述导电部和所述半导体芯片电连接，并且在俯视时与所述半导体芯片和所述第1引线隔开间隔地配置于所述基板上；和
树脂，其覆盖所述半导体芯片和所述控制芯片、以及所述基板的至少一部分和所述引线的一部分。


2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：
所述基板具有第1面，
所述导电部形成于所述第1面。


3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于：
所述基板具有朝向与所述基板相反一侧的第2面，
所述第2面从所述树脂露出。


4.如权利要求2或3所述的半导体器件，其特征在于：
所述第1引线配置于所述第1面上。


5.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于：
所述第1引线经由第1接合件与所述基板接合。


6.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于：
具有形成于所述基板的所述第1面的接合部，
所述第1引线经由所述第1接合件与所述接合部连接。


7.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于：
所述接合部包含构成所述导电部的导电性材料。


8.如权利要求4～7中任一项所述的半导体器件，其特征在于：
所述第1引线中的一部分被所述树脂覆盖，一部分从所述树脂露出。


9.如权利要求2～8中任一项所述的半导体器件，其特征在于：
具有第2引线，其与所述第1引线隔开间隔，并且与所述导电部电连接地配置于所述导电部上。


10.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于：
所述第2引线中的一部分被所述树脂覆盖，一部从所述树脂露出。


11.如权利要求9或10所述的半导体器件，其特征在于：
所述第2引线与所述导电部经由第1导电性接合件接合。


12.如权利要求9～11中任一项所述的半导体器件，其特征在于：
在与所述基板的所述第1面的法线方向成直角的第1方向观察时，所述控制芯片配置于所述半导体芯片与所述第2引线之间。


13.如权利要求9～12中任一项所述的半导体器件，其特征在于：
所述半导体芯片经由第2导电性接合件与所述第1引线接合。


14.如权利要求13所述的半导体器件，其特征在于：
所述半导体芯片经由第1导电部件与所述第1引线连接。


15.如权利要求9～14中任一项所述的半导体器件，其特征在于：
所述控制芯片经由第3导电性接合件与所述导电部接合。


16.如权利要求9～15中任一项所述的半导体器件，其特征在于：
所述控制芯片经由第2导电部件与所述导电部连接。


17.如权利要求9～16中任一项所述的半导体器件，其特征在于：
施加于所述第2引线的电信号的第1电压电平比用于驱动所述控制芯片的第2电压电平低。


18.如权利要求9～17中任一项所述的半导体器件，其特征在于：
包括传递电信号的第1传递电路，该第1传递电路具有至少2个彼此隔开间隔的线圈相对地配置而成的变压器构造，
所述第1传递电路传递所述控制芯片与所述第2引线之间的电信号。


19....

【专利技术属性】
技术研发人员：石松祐司，古谷龙一，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP