半导体装置和制造半导体装置的方法制造方法及图纸

半导体装置和制造半导体装置的方法。在一个实例中，一种半导体装置包括：衬底和在所述衬底的顶侧上的电子装置；在所述衬底的所述顶侧上的引线框架，其在所述电子装置上方，其中所述引线框架包括连接杆和引线；在所述引线框架的顶侧上的组件，其安装到所述连接杆和所述引线；以及在所述衬底的所述顶侧上的囊封物，其中所述囊封物接触所述电子装置的一侧和所述组件的一侧。本文中还公开其它实例和相关方法。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置和制造半导体装置的方法
本公开大体上涉及电子装置，且更明确地说，涉及半导体装置和制造半导体装置的方法。
技术介绍
先前的半导体封装和形成半导体封装的方法是不适当的，例如，导致成本过量、可靠性降低、性能相对低或封装大小过大。通过比较此类方法与本公开并参考图式，所属领域的技术人员将显而易见常规和传统方法的其它限制和缺点。
技术实现思路
本揭露的各种态样提供一种半导体装置，其包括衬底和在所述衬底的顶侧上的电子装置；在所述衬底的所述顶侧上的引线框架，其在所述电子装置上方，其中所述引线框架包括连接杆和引线；在所述引线框架的顶侧上的组件，其安装到所述连接杆和所述引线；以及在所述衬底的所述顶侧上的囊封物，其中所述囊封物接触所述电子装置的一侧和所述组件的一侧。在所述半导体装置中，所述引线框架包括焊盘和从所述焊盘到所述连接杆的向下设置部，其中所述组件在低于所述焊盘的顶侧的层级处安装到所述连接杆和所述引线。所述半导体装置进一步包括在所述焊盘下方的所述衬底的所述顶侧上的额外组件。在所述半导体装置中，所述额外组件与所述焊盘热耦合。在所述半导体装置中，所述电子装置在所述组件下方。在所述半导体装置中，所述囊封物的顶侧与所述引线框架的顶侧共面。在所述半导体装置中，所述连接杆与所述引线之间具有间隙，且所述组件安装为横跨所述间隙。在所述半导体装置中，所述衬底包括预制衬底。在所述半导体装置中，所述衬底包括重布层(RDL)衬底。在所述半导体装置中，所述引线包括与所述衬底的导电路径电耦合的连接区。本揭露的各种态样提供一种制造半导体装置的方法，其包括：提供具有顶侧的衬底；在所述衬底的所述顶侧上提供电子装置；将组件安装在引线框架的顶侧上，其中所述组件安装于所述引线框架的连接杆与引线之间；将所述引线框架连接到所述衬底的所述顶侧；以及在所述衬底的所述顶侧上提供囊封物，其接触所述电子装置的一侧和所述组件的一侧。在所述方法中，所述安装包括在所述连接杆和所述引线上提供互连件以及在所述互连件处将所述组件电连接到所述引线框架。所述方法进一步包括提供额外组件到所述衬底的所述顶侧上。在所述方法中，所述额外组件在所述引线框架的焊盘下方。所述方法进一步包括将所述额外组件热耦合到所述引线框架。本揭露的各种态样提供一种半导体结构，其包括：衬底，其具有顶侧和导电路径；引线框架，其包括散热件、连接杆、在所述散热件与所述连接杆之间的向下设置部以及与所述导电路径电耦合的引线，其中所述连接杆低于所述散热件；第一组件，其在所述衬底的所述顶侧上且耦合到所述散热件；第二组件，其在介于所述连接杆与所述引线之间的所述引线框架的顶侧上；以及囊封物，其在所述衬底的所述顶侧上、接触所述第二组件的一侧。所述半导体结构进一步包括在所述第一组件的顶侧与所述散热件的底侧之间的界面组件。在所述半导体结构中，所述界面组件包括热界面材料。在所述半导体结构中，所述引线包括安装区、连接区以及在所述安装区与所述连接区之间的额外向下设置部，其中所述引线在所述连接区处电耦合到所述导电路径，且所述半导体结构进一步包括在所述衬底的所述顶侧上、在所述安装区下方、在所述第二装置下方的电子装置。在所述半导体结构中，所述电子装置热耦合到所述引线框架。附图说明图1展示实例半导体装置的横截面图。图2展示实例组件安装在其上的引线框架的平面图。图3A到3G展示制造实例半导体装置的实例方法的横截面图。图4A到4C展示用于将组件安装在实例引线框架上的实例方法的平面图和横截面图。图5A和5B展示用于将组件安装在实例引线框架上的实例方法的横截面图。图6展示实例半导体装置的横截面图。图7展示实例半导体装置的横截面图。具体实施方式以下论述提供半导体装置和制造半导体装置的方法的各种实例。此类实例是非限制性的，且所附权利要求书的范围不应限于公开的特定实例。在下文论述中，术语“实例”和“例如”是非限制性的。诸图说明一般构造方式，且可能省略熟知特征和技术的描述和细节以免不必要地混淆本公开。另外，图式中的元件未必按比例绘制。例如，诸图中的一些元件的尺寸可能相对于其它元件放大，以有助于改进对本公开中论述的实例的理解。不同诸图中的相同附图标记表示相同元件。术语“或”表示由“或”连接的列表中的项目中的任何一个或多个项目。作为实例，“x或y”表示三元素集合{(x),(y),(x,y)}中的任何元素。作为另一实例，“x、y或z”意指七元素集合{(x),(y),(z),(x,y),(x,z),(y,z),(x,y,z)}中的任一元素。术语“包括”和/或“包含”为“开放”术语，并且指定所陈述特征的存在，但并不排除一个或多个其它特征的存在或添加。在本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，并且这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用以将一个元件与另一元件区分开来。因此，例如，在不脱离本公开的教示的情况下，可以将本公开中论述的第一元件称为第二元件。除非另外指定，否则术语“耦合”可以用于描述彼此直接接触的两个元件或描述由一个或多个其它元件间接连接的两个元件。例如，如果元件A耦合到元件B，则元件A可以直接接触元件B或由介入元件C间接连接到元件B。类似地，术语“在……上方”或“在……上”可以用于描述彼此直接接触的两个元件或描述通过一个或多个其它元件间接连接的两个元件。在一个实例中，一种半导体装置包括：衬底和在所述衬底的顶侧上的电子装置；在所述衬底的所述顶侧上的引线框架，其在所述电子装置上方，其中所述引线框架包括连接杆和引线；在所述引线框架的顶侧上的组件，其安装到所述连接杆和所述引线；以及在所述衬底的所述顶侧上的囊封物，其中所述囊封物接触所述电子装置的一侧和所述组件的一侧。在另一实例中，一种制造半导体装置的方法包括：提供具有顶侧的衬底；在所述衬底的所述顶侧上提供电子装置；将组件安装在引线框架的顶侧上，其中所述组件安装于所述引线框架的连接杆与引线之间；将所述引线框架连接到所述衬底的所述顶侧；以及在所述衬底的所述顶侧上提供囊封物，其接触所述电子装置的一侧和所述组件的一侧。在又一实例中，一种半导体结构包括：衬底，其具有顶侧和导电路径；引线框架，其包括散热件、连接杆、在所述散热件与所述连接杆之间的向下设置部(downset)以及与所述导电路径电耦合的引线，其中所述连接杆低于所述散热件；第一组件，其在所述衬底的所述顶侧上且耦合到所述散热件；第二组件，其在所述引线框架的顶侧上、介于所述连接杆与所述引线之间；以及囊封物，其在所述衬底的所述顶侧上、接触所述第二组件的一侧。其它实例包含于本公开中。在诸图、权利要求书和/或本公开的描述中可以找到此类实例。图1展示实例半导体装置100的横截面图。在图1中所展示的实例中，半导体装置100可包含衬底110、电子装置120A和120B、组件130A、130B、140A和140B、引线框架150、囊封物160和外部互连件170。衬底110可包含介电结构111，其包括一个或多个介电层、布线图本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其包括：/n衬底和在所述衬底的顶侧上的电子装置；/n在所述衬底的所述顶侧上的引线框架，其在所述电子装置上方，其中所述引线框架包括连接杆和引线；/n在所述引线框架的顶侧上的组件，其安装到所述连接杆和所述引线；以及/n在所述衬底的所述顶侧上的囊封物，其中所述囊封物接触所述电子装置的一侧和所述组件的一侧。/n

【技术特征摘要】
20190708 US 16/504,9171.一种半导体装置，其包括：
衬底和在所述衬底的顶侧上的电子装置；
在所述衬底的所述顶侧上的引线框架，其在所述电子装置上方，其中所述引线框架包括连接杆和引线；
在所述引线框架的顶侧上的组件，其安装到所述连接杆和所述引线；以及
在所述衬底的所述顶侧上的囊封物，其中所述囊封物接触所述电子装置的一侧和所述组件的一侧。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述引线框架包括焊盘和从所述焊盘到所述连接杆的向下设置部，其中所述组件在低于所述焊盘的顶侧的层级处安装到所述连接杆和所述引线。


3.根据权利要求2所述的半导体装置，其进一步包括在所述焊盘下方的所述衬底的所述顶侧上的额外组件。


4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中所述额外组件与所述焊盘热耦合。


5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述电子装置在所述组件下方。


6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述囊封物的顶侧与所述引线框架的顶侧共面。


7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述连接杆与所述引线之间具有间隙，且所述组件安装为横跨所述间隙。


8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述衬底包括预制衬底。


9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述衬底包括重布层(RDL)衬底。


10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述引线包括与所述衬底的导电路径电耦合的连接区。


11.一种制造半导体装置的方法，其包括：
提供具有顶侧的衬底；
在所述衬底的所述顶侧上提供电子装置；
将组件安装在引线框架的顶侧上，其中所述组件安装于所述引线框架的连接杆与引...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱黄俊，李琼延，李泰勇，贝俊明，
申请(专利权)人：安靠科技新加坡控股私人有限公司，
类型：发明
国别省市：新加坡;SG