一种用于芯片封装的引线框架制造技术

本实用新型专利技术公开了一种用于芯片封装的引线框架，包括基板、基岛和多个围绕基岛外周布置的引脚，基岛包括布置在基板上方的上基岛、布置在基板下方的下基岛和穿透基板、连接上基岛与下基岛的金属岛，引脚包括布置在基板上方的上引脚、布置在基板下方的下引脚和穿透基板、连接上引脚与下引脚的金属柱。本实用新型专利技术引线框架的基岛和引脚由基板固定，基板将基岛和引脚分隔成上下两部分，可以阻隔封装时封装胶向下渗漏，避免产生芯片封装的溢胶缺陷；而且，封装完成后，引线框架的表面不需要后续处理。

【技术实现步骤摘要】
一种用于芯片封装的引线框架[
]本技术涉及芯片封装，尤其涉及一种用于芯片封装的引线框架。[
技术介绍
]引线框架的主要功能是为芯片提供机械支撑的载体，并作为导电介质内外连接芯片电路而形成电信号通路，以及与封装外壳一同向外散发芯片工作时产生热量的散热通路。随着封装密度提高，封装体积减小，引线密度(单位封装面积上的引线数)的快速增长，引线框架正向短，轻，薄，高精细度多引脚，小节距方向发展。传统的引线框架的生产主要包括两种方法：第一种是冲压，将一整块金属板材通过冲压工艺形成，比如我国第201210564926.4号专利申请，该专利技术先取铜合金片材冲压，通过高速冲床，借助冲裁模具的凹凸模进行冲压形成引线框架；第二种是蚀刻，将一整块金属板材通过化学蚀刻的方式，得到最终的金属引线框。这些加工方法得到的引线框，无法实现独立焊盘，引线框架的各个部分需要连接筋连接，如果要得到独立焊盘，就需要在完成封装后进行二次蚀刻，去除连接筋之后才能断开连接得到真正的独立焊盘。申请号为201410138222.X的公开了一种用于芯片封装的引线框架的制备方法，包括以下步骤：在一整块金属铜箔基体的上下表面各贴附一层干膜；通过曝光和显影去除所述金属铜箔基体上表面的部分干膜，以露出引线框架中需要蚀刻去除的金属铜箔部分；通过化学药水蚀刻去除上一步骤中露出的金属铜箔部分；再在金属铜箔基体上表面的干膜之上粘接一层基底材料；退去金属铜箔基体下表面贴附的干膜以露出引线框架。通过本专利技术方法可以获得精度更高和具有独立焊盘的引线框架，满足BGA类产品对于高精细度、多引脚、小节距等方面的需求。该专利技术的引线框架贴附在基板上，封装时易产生溢胶缺陷；封装完成后，基底材料所贴的干膜还要需要褪掉，还需要再次做表面处理，这都增加了后续处理工序。该专利技术在褪去金属铜箔基体下表面贴附的干膜以露出引线框架的时候，上层干膜也会被褪膜液损害，导致上层干膜的粘贴不稳定，该专利技术电极完全蚀刻后彼此间并不能导通，表面处理只能采用化学镀，通常化学镀镍金等工艺都要达到80℃的高温，高温会严重损伤干膜，导致干膜的粘贴不稳定。[
技术实现思路
]本技术要解决的技术问题是提供一种芯片封装时不易产生溢胶缺陷的引线框架。为了解决上述技术问题，本技术采用的技术方案是，一种用于芯片封装的引线框架，包括基板、基岛和多个围绕基岛外周布置的引脚，基岛包括布置在基板上方的上基岛、布置在基板下方的下基岛和穿透基板、连接上基岛与下基岛的金属岛，引脚包括布置在基板上方的上引脚、布置在基板下方的下引脚和穿透基板、连接上引脚与下引脚的金属柱。以上所述的引线框架，包括承载膜，下引脚的底面贴附在承载膜上；上基岛的顶面、上引脚的顶面分别包括可焊金属层，金属岛的底面包括可焊金属层，金属岛底面的可焊金属层为所述的下基岛；金属柱的底面包括可焊金属层，金属柱底面的可焊金属层为所述的下引脚。以上所述的引线框架，上基岛顶面的可焊金属层的横向尺寸大于上基岛主体的横向尺寸，形成蘑菇头，上引脚顶面的可焊金属层的横向尺寸大于上引脚主体的横向尺寸，形成蘑菇头。以上所述的引线框架，上基岛的侧面和上引脚侧面分别包括棕化层、黑化层或可焊金属层。以上所述的引线框架，上基岛主体的形状与下基岛的形状不同；上引脚主体的形状与下引脚的形状不同。以上所述的引线框架，所述的基板为电泳树脂基板，基岛和引脚的主体材料为铜或钢，可焊金属层为金、银、镍、铜、锡或锡合金其中一种的单一层或复数种的复合层。本技术引线框架的基岛和引脚由基板固定，基板将基岛和引脚分隔成各自的上下两部分，可以阻隔封装时封装胶向下渗漏，避免芯片产生封装的溢胶缺陷；而且，封装完成后，引线框架的表面不需要后续处理。[附图说明]下面结合附图和具体实施方式对本技术作进一步详细的说明。图1是本技术实施例1引线框架的主视图。图2是本技术实施例1引线框架的俯视图。图3是图2中的A向剖视图。图4是本技术实施例1引线框架的仰视图。图5是本技术实施例2引线框架的剖视图。图6是本技术实施例3引线框架的剖视图。图7是本技术实施例4中基板、下基岛和下引脚制备流程示意图。图8是本技术实施例4中酸性蚀刻法形成上基岛和上引脚的流程示意图。图9是本技术实施例4中碱性蚀刻法形成上基岛和上引脚的流程示意图。[具体实施方式]本技术实施例1引线框架的结构如图1至图4所示，包括电泳树脂制作的基板10、基岛20和多个围绕基岛20外周布置的引脚30，基岛20主体和引脚30主体的材料为铜、钢或其它金属。基岛20包括布置在基板10上方的上基岛21、布置在基板10下方的下基岛23和穿透基板10、连接上基岛21与下基岛23的金属岛22。引脚30包括布置在基板10上方的上引脚31、布置在基板10下方的下引脚33和穿透基板10、连接上引脚31与下引脚33的金属柱32。上基岛21的顶面镀有可焊金属层24、上引脚31的顶面镀有可焊金属层34，可焊金属层可以是金、银、镍、铜、锡或锡合金其中一种的单一层或多种的复合层。金属岛22的底面与基板10的底面11平齐，金属岛22的底面镀有一层可焊金属层25，金属岛22底面的可焊金属层25向下凸出于基板10的底面构成本实施例的下基岛23。金属柱32的底面与基板10的底面11平齐，金属柱32的底面镀有可焊金属层35，金属柱32底面的可焊金属层35向下凸出于基板10的底面11构成本实施例的下引脚33。上基岛21顶面的可焊金属层24的横向尺寸大于上基岛21主体的横向尺寸，形成蘑菇头、上引脚31顶面的可焊金属层34的横向尺寸大于上引脚31主体的横向尺寸，也形成蘑菇头。本技术实施例2引线框架的结构如图5所示，实施例2的引线框架与实施例1引线框架的区别仅在于，1)包括一层承载膜40，下引脚33的底面贴附在承载膜40上，承载膜40用于提高工件的物理刚性，避免整片的工件发生褶皱，承载膜40可以是覆胶塑料膜片或覆胶金属膜片。2)上基岛21的侧面有一层可焊金属层(或棕化层、黑化层)26，上引脚31侧面有一层可焊金属层(或棕化层、黑化层)36，棕化层或黑化层用以改善封装时灌封胶与基岛或引脚的结合力，提高封装体的气密性。本技术实施例3引线框架的结构如图6所示，实施例3的引线框架与实施例1引线框架的区别仅在于，上基岛21主体的形状与下基岛23(25)的形状不同。上引脚31主体的形状与下引脚33(35)的形状不同。本技术实施例4引线框架的制作方法，包括以下步骤：一、基板、下基岛和下引脚的制备过程如图7所示：101)铜箔01的顶面贴遮挡膜09，铜箔01的底面覆盖感光膜02，感光膜02按下基岛和下引脚以外的区域制作出镂空的图形021。102)铜箔01底面蚀刻至相当于基板厚度的深度，在铜箔01底面形成凹槽011，在凹槽011中填充电泳树脂03作为基板，填充电泳树脂03与铜箔0本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于芯片封装的引线框架，包括基板、基岛和多个围绕基岛外周布置的引脚，其特征在于，基岛包括布置在基板上方的上基岛、布置在基板下方的下基岛和穿透基板、连接上基岛与下基岛的金属岛，引脚包括布置在基板上方的上引脚、布置在基板下方的下引脚和穿透基板、连接上引脚与下引脚的金属柱。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于芯片封装的引线框架，包括基板、基岛和多个围绕基岛外周布置的引脚，其特征在于，基岛包括布置在基板上方的上基岛、布置在基板下方的下基岛和穿透基板、连接上基岛与下基岛的金属岛，引脚包括布置在基板上方的上引脚、布置在基板下方的下引脚和穿透基板、连接上引脚与下引脚的金属柱。


2.根据权利要求1所述的引线框架，其特征在于，包括承载膜，下引脚的底面贴附在承载膜上；上基岛的顶面、上引脚的顶面分别包括可焊金属层；金属柱的底面和金属岛的底面分别包括可焊金属层。


3.根据权利要求2所述的引线框架，其特征在于，上基岛顶面的可焊金属层的横向尺寸大于上基岛主体的横向尺寸，形成蘑菇头，上引脚顶面的可焊金属层的...

【专利技术属性】
技术研发人员：何忠亮，丁华，王成，沈洁，
申请(专利权)人：深圳市鼎华芯泰科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44