【技术实现步骤摘要】
晶体管封装结构
本技术为晶体管封装结构领域，具体涉及一种晶体管封装结构。
技术介绍
IGBT的运动温度是非常重要的参数，关乎设备的正常运行，现在普遍采取热敏电阻对IGBT进行温度检测，但是现有采用零散的电子元器件组装呈模块进行IGBT的温度检测，不但占用了大量连接空间，还增加了组装的时间，因此获得一种能够克服上述缺点的爽晶体管封装结构十分重要。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本技术提供一种晶体管封装结构，包括基座，基座上固定有第一三极管、第二三极管，第一三极管的集电极与第二三极管的发射极电性连接，第一三极管的发射极和集电极之间连接有第一二极管芯片，第二三极管的发射极和集电极之间连接有第二二极管芯片，第一三极管和第二三极管分别电性连接外接引脚，还包括连接在基座上的热感应器，热感应器靠近第一三极管的发射极。基座上电性连接有两个温度引脚，温度传感器两端分别连接在两个温度引脚上，温度引脚靠近第一IGBT的发射极。热感应器为热敏电阻。第一三极管、第二三极管、第一二极管芯片和第二二极管芯片集成在基座上。基座为铜基座。基座上芯片外封装有树脂。外接引脚一端固定在基座上，另一端延伸至基座外。温度引脚和外接引脚上均一体成型有凸出，能够增加引脚使用寿命，不易断裂。与现有技术相比，本技术的优点在于：本技术将第一三极管、第二三极管、第一二极管芯片和第二二极管芯片集成在基座上，能够节省使用时单独锡接这些芯片的时间，将上述芯片集成焊接到一个基座上，不但节省了时间，还节省了空间，热敏电阻可以将热变化为电信...
【技术保护点】
1.一种晶体管封装结构，包括基座(8)，基座(8)上固定有第一三极管(1)、第二三极管(2)，第一三极管(1)的集电极与第二三极管(2)的发射极电性连接，其特征在于：所述第一三极管(1)的发射极和集电极之间连接有第一二极管芯片(3)，第二三极管(2)的发射极和集电极之间连接有第二二极管芯片(4)，第一三极管(1)和第二三极管(2)分别电性连接外接引脚(5)，还包括连接在基座(8)上的热感应器，热感应器靠近第一三极管(1)的发射极。/n
【技术特征摘要】
1.一种晶体管封装结构，包括基座(8)，基座(8)上固定有第一三极管(1)、第二三极管(2)，第一三极管(1)的集电极与第二三极管(2)的发射极电性连接，其特征在于：所述第一三极管(1)的发射极和集电极之间连接有第一二极管芯片(3)，第二三极管(2)的发射极和集电极之间连接有第二二极管芯片(4)，第一三极管(1)和第二三极管(2)分别电性连接外接引脚(5)，还包括连接在基座(8)上的热感应器，热感应器靠近第一三极管(1)的发射极。
2.根据权利要求1所述的晶体管封装结构，其特征在于：所述基座(8)上电性连接有两个温度引脚(6)，温度传感器两端分别连接在两个温度引脚(6)上，温度引脚(6)靠近第一IGBT的发射极。
3.根据权利要求1所述的晶体管封装结构，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：严邦杰，冯驰，林远，陆乐，
申请(专利权)人：宁波力源科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33
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