芯片封装结构及其制作方法技术

本发明专利技术提供了一种芯片封装结构及其制作方法，封装结构包括：芯片、引脚框架、塑封层以及金属片；其中，芯片包括背电极与若干焊盘，背电极位于芯片的背面，焊盘位于芯片的正面；引脚框架包括第一引脚与第二引脚，第一引脚与焊盘直接连接；第二引脚包括引脚部与连接部，位于芯片的一侧；塑封层包覆芯片与引脚框架，塑封层的正面暴露芯片的背电极与第二引脚的连接部的顶端；塑封层的背面暴露引脚框架的第一引脚与第二引脚的引脚部；金属片位于芯片的背电极、第二引脚的连接部的顶端以及塑封层的正面上，用于将第二引脚与芯片的背电极电连接。根据本发明专利技术的实施例，可降低封装结构的高度以及实现封装结构的双面散热。

【技术实现步骤摘要】
芯片封装结构及其制作方法
本专利技术涉及芯片封装
，尤其涉及一种芯片封装结构及其制作方法。
技术介绍
近年来，随着电路集成技术的不断发展，电子产品越来越向小型化、智能化、高集成度、高性能以及高可靠性方向发展。封装技术不但影响产品的性能，而且还制约产品的小型化。现有芯片封装中，打线为一种常见的封装工艺，即利用金线将芯片上的焊盘电连接至引线框架上的引脚。然而，一方面金线大致呈抛物线型，最高处高于芯片的上表面，这造成封装高度较高，不利于降低芯片封装结构的厚度；另一方面，芯片被塑封层包覆，散热效果较差。有鉴于此，本专利技术提供一种新的芯片封装结构及芯片封装方法，以解决上述技术问题。
技术实现思路
本专利技术的专利技术目的是提供一种芯片封装结构及其制作方法，以降低封装结构的高度以及提高散热性能。为实现上述目的，本专利技术的第一方面提供一种芯片封装结构，包括：芯片，包括背电极与若干焊盘，所述背电极位于所述芯片的背面，所述焊盘位于所述芯片的正面；引脚框架，包括第一引脚与第二引脚，所述第一引脚与本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：/n芯片，包括背电极与若干焊盘，所述背电极位于所述芯片的背面，所述焊盘位于所述芯片的正面；/n引脚框架，包括第一引脚与第二引脚，所述第一引脚与所述焊盘直接连接；所述第二引脚包括引脚部与连接部，位于所述芯片的一侧；/n塑封层，包覆所述芯片与所述引脚框架，所述塑封层的正面暴露所述芯片的背电极与所述第二引脚的连接部的顶端；所述塑封层的背面暴露所述引脚框架的所述第一引脚与所述第二引脚的引脚部；/n金属片，位于所述芯片的背电极、所述第二引脚的连接部的顶端以及所述塑封层的正面上，用于将所述第二引脚与所述芯片的背电极电连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：
芯片，包括背电极与若干焊盘，所述背电极位于所述芯片的背面，所述焊盘位于所述芯片的正面；
引脚框架，包括第一引脚与第二引脚，所述第一引脚与所述焊盘直接连接；所述第二引脚包括引脚部与连接部，位于所述芯片的一侧；
塑封层，包覆所述芯片与所述引脚框架，所述塑封层的正面暴露所述芯片的背电极与所述第二引脚的连接部的顶端；所述塑封层的背面暴露所述引脚框架的所述第一引脚与所述第二引脚的引脚部；
金属片，位于所述芯片的背电极、所述第二引脚的连接部的顶端以及所述塑封层的正面上，用于将所述第二引脚与所述芯片的背电极电连接。


2.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第二引脚为一体结构。


3.根据权利要求2所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第二引脚的引脚部的厚度与所述第一引脚的厚度一致。


4.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述金属片采用导电胶固定于所述芯片的背电极、所述第二引脚的连接部的顶端以及所述塑封层的正面。


5.根据权利要求4所述的芯片封装结构，其特征在于，所述导电胶包括纳米铜/导电聚合物复合材料。


6.根据权利要求5所述的芯片封装结构，其特征在于，所述纳米铜/导电聚合物复合材料中，所述导电聚合物为：聚吡咯、聚噻吩、聚苯胺、聚苯硫醚中的至少一种，和/或所述纳米铜的粒径小于800nm。


7.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，位于所述塑封层正面的所述金属片上覆盖有第一抗氧化层；和/或暴露于所述塑封层背面的所述第二引脚的引脚部，和/或所述第一引脚上覆盖有第二抗氧化层。


8.根据权利要求1所述的芯片封装...

【专利技术属性】
技术研发人员：霍炎，涂旭峰，
申请(专利权)人：矽磐微电子重庆有限公司，
类型：发明
国别省市：重庆;50