引线框架、引线框架的形成方法及引线框架封装体技术

本申请公开了一种引线框架、引线框架的形成方法及引线框架封装体。所述引线框架包括：用于承载半导体元件的基岛和围绕所述基岛设置的至少两个引脚；所述引脚的一个表面具有用于连接引线的打线区，其中，所述打线区设有第一金属部，至少所述第一金属部的上表面的材质与待连接引线的材质相同。本申请通过在引脚的打线区设置至少上表面的材质与待连接引线的材质相同的第一金属部，使得引线与引脚之间的结构应力降低，有效提高了引线与框架之间的结合力，从而改善了引线的剥离强度，提高了功率半导体器件的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
引线框架、引线框架的形成方法及引线框架封装体
本申请一般涉及半导体
，具体涉及一种引线框架、引线框架的形成方法及引线框架封装体。
技术介绍
引线框架作为一种半导体集成电路的芯片载体，是一种借助于键合材料(金、铝、铜)实现芯片内部电路引出端与外引线电气连接的关键结构件，其材质一般为铜材或铁材。目前，功率半导体器件多采用铝线或铝带键合技术，由于铝对氧具有极高的亲和力，使得铝表面容易形成氧化膜；再加上铝及铝合金的膨胀系数与大多数镀层不一样，例如铝及铝合金的膨胀系数在常温时为23×10-6/K，而铜一般为17×10-6/K，由于两者的热膨胀系数相差较大，会引起足够大的结构应力，导致铝与铜的结合力较弱，使得铝线或铝带与引线框架之间容易发生剥离或脱落，连接可靠性有待提高。
技术实现思路
鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，本申请期望提供一种引线框架、引线框架的形成方法及引线框架封装体，以期提高引线(尤其是铝制引线)与引线框架的结合牢靠性。作为本申请的第一方面，本申请提供一种引线框架。作为优选，所述引线框架包括：用于承载半导体元件的基岛；和围绕所述基岛设置的至少两个引脚；所述引脚的一个表面具有用于连接引线的打线区，其中，所述打线区设有第一金属部，至少所述第一金属部的上表面的材质与待连接引线的材质相同。作为优选，所述引脚包括内引脚区和外引脚区，所述引脚与所述基岛相间隔，所述内引脚区靠近所述基岛，所述外引脚区远离所述基岛；所述第一金属部设置于所述内引脚区。<br>作为优选，所述第一金属部的厚度为1～10μm；其中，所述第一金属部的上表面与设置所述第一金属部的引脚的表面齐平或高于所述引脚的表面。作为优选，所述第一金属部的面积小于或等于所述打线区的面积。作为优选，至少所述第一金属部的上表面的材质为铝。作为本申请的第二方面，本申请提供一种如第一方面所述的引线框架的形成方法。作为优选，所述形成方法包括：形成包括基岛和至少两个引脚的第一金属层，所述引脚与所述基岛相间隔；暴露所述引脚用于连接引线的打线区，在所述打线区形成第一金属部，至少所述第一金属部的上表面的材质与待连接引线的材质相同。作为优选，暴露所述引脚用于连接引线的打线区，在所述打线区形成第一金属部，包括：在第一金属层的表面形成暴露所述打线区的掩膜；使用非水溶剂的电沉积金属液在所述打线区电镀形成所述第一金属部。作为本申请的第三方面，本申请提供一种引线框架封装体。作为优选，所述引线框架封装体包括：如第一方面所述的引线框架；承载于所述基岛上的至少一个半导体元件；以及以覆盖所述半导体元件及所述引线框架的至少一部分的方式设置的封装层；其中，还包括一端连接至所述半导体元件，另一端连接至所述第一金属部的引线，所述引线为铝线或铝带。作为优选，所述半导体元件用于连接所述引线的区域设有第二金属部，至少所述第二金属部的上表面的材质为铝。作为优选，所述半导体元件包括芯片。本申请的有益效果：本申请通过在引脚的打线区设置至少上表面的材质与待连接引线的材质相同的第一金属部，使得引线与引脚之间的结构应力降低，有效提高了引线与框架之间的结合力，从而改善了引线的剥离强度，提高了功率半导体器件的可靠性。附图说明通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：图1为本申请实施例的一种引线框架的结构示意图；图2为本申请实施例的一种引线框架的另一结构示意图；图3为本申请实施例的一种引线框架的形成方法的流程图；图4为本申请实施例的一种第一金属层形成方法的结构示意图；图5为本申请实施例的一种第二开口及第一金属部形成方法的结构示意图；图6为本申请实施例的一种引线框架封装体的截面图；图7为本申请实施例的一种引线与半导体元件及引线框架的连接示意图。附图标记：框架1，基岛11，侧部110，引脚12，打线区120，内引脚区121，外引脚区122，第一金属部13，上表面130，金属板14，光刻胶层15a，光掩膜16a，掩膜17a，光刻胶层15b，光掩膜16b，掩膜17b，第一金属层18，第一开口191，第二开口192，半导体元件2，封装层3，外边缘30，引线4，第二金属部5。具体实施方式下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关专利技术，而非对该专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与专利技术相关的部分。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。需要说明的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度、“厚度”、“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。需要说明的是，在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。根据本申请的第一方面，请参照图1和图2，示出了本申请一种优选的实施方式的引线框架1，包括基岛11和至少两个引脚12，所述基岛11用于承载半导体元件，所述引脚12围绕所述基岛11设置，所述引脚12的一个表面具有用于连接引线的打线区120，其中，所述打线区120设有第一金属部13，至少所述第一金属部13的上表面130的材质与待连接引线的材质相同。在本实施方式中，引脚12包括相对设置的第一表面和第二表面，打线区120可以设置于引脚12的第一表面，其中，打线区120是指用于焊接引线的区域，该区域被配置用来通过引线电连接至半导体元件的结合焊盘；其中，所述引线的一个端部连接于半导体元件的结合焊盘，在半导体元件上形成第一焊接点，另一个端部连接所述打线区120，在打线区120形成第二焊接点，其中，第一金属部13设置于打线区120的至少部分上，引线通过该第一金属部13焊接于引脚12的打线区120，具体是引本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种引线框架，其特征在于，包括：/n用于承载半导体元件的基岛；和/n围绕所述基岛设置的至少两个引脚；/n所述引脚的一个表面具有用于连接引线的打线区，其中，所述打线区设有第一金属部，至少所述第一金属部的上表面的材质与待连接引线的材质相同。/n

【技术特征摘要】
1.一种引线框架，其特征在于，包括：
用于承载半导体元件的基岛；和
围绕所述基岛设置的至少两个引脚；
所述引脚的一个表面具有用于连接引线的打线区，其中，所述打线区设有第一金属部，至少所述第一金属部的上表面的材质与待连接引线的材质相同。


2.根据权利要求1所述的引线框架，其特征在于，所述引脚包括内引脚区和外引脚区，所述引脚与所述基岛相间隔，所述内引脚区靠近所述基岛，所述外引脚区远离所述基岛；
所述第一金属部设置于所述内引脚区。


3.根据权利要求1所述的引线框架，其特征在于，所述第一金属部的厚度为1～10μm；其中，所述第一金属部的上表面与设置所述第一金属部的引脚的表面齐平或高于所述引脚的表面。


4.根据权利要求1所述的引线框架，其特征在于，所述第一金属部的面积小于或等于所述打线区的面积。


5.根据权利要求1所述的引线框架，其特征在于，至少所述第一金属部的上表面的材质为铝。


6.一种如权利要求1～5任一项所述的引线框架的形成方法，其特征在于，包括：
形成包括基岛和至少两个引脚的第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄金鑫，石海忠，黄晓梦，
申请(专利权)人：通富微电子股份有限公司技术研发分公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32