半导体结构和形成半导体结构的方法技术

一些实施例涉及包括具有正面和背面的半导体衬底的半导体结构。互连结构设置在正面上方。互连结构包括可操作地将设置在半导体衬底的正面中或上的半导体晶体管器件彼此耦接的多个金属线和通孔。沟槽设置在半导体衬底的背面中。沟槽填充有内部电容器电极、位于内部电容器电极上面的电容器介电层和位于电容器介电层上面的外部电容器电极。本发明专利技术的实施例还涉及形成半导体结构的方法。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构和形成半导体结构的方法
本专利技术的实施例涉及半导体结构和形成半导体结构的方法。
技术介绍
移动电话和其它移动器件通常依靠陶瓷电容器和其它无源器件，这些电容器和其它无源器件离散地安装至移动器件的印刷电路板(PCB)并且通过PCB电耦接至移动器件的集成电路(IC)。然而，这占用了PCB上的大量表面积，并且因此限制了移动器件尺寸和/或移动器件功能。此外，离散地安装和电耦接无源器件增加了制造成本。因此，移动器件越来越多地转向集成无源器件(IPD)，以减小尺寸、降低成本并且增加功能性。IPD是一个或多个无源器件的集合，这些器件嵌入在单片器件中并且封装为集成电路(IC)。
技术实现思路
本专利技术的一些实施例提供了一种半导体结构，包括：半导体衬底，具有正面和背面；前侧互连结构，设置在所述正面上方，所述前侧互连结构包括可操作地将设置在所述半导体衬底的正面中或上的半导体器件彼此耦接的多个金属线和通孔；以及沟槽，设置在所述半导体衬底的所述背面中，所述沟槽在所述沟槽中填充有内部电容器电极、位于所述沟槽中和所述内部电容器电极上面的电容器介电层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构，包括：/n半导体衬底，具有正面和背面；/n前侧互连结构，设置在所述正面上方，所述前侧互连结构包括可操作地将设置在所述半导体衬底的正面中或上的半导体器件彼此耦接的多个金属线和通孔；以及/n沟槽，设置在所述半导体衬底的所述背面中，所述沟槽在所述沟槽中填充有内部电容器电极、位于所述沟槽中和所述内部电容器电极上面的电容器介电层以及位于所述沟槽中和所述电容器介电层上面的外部电容器电极。/n

【技术特征摘要】
20190628 US 62/868,289;20200421 US 16/853,9271.一种半导体结构，包括：
半导体衬底，具有正面和背面；
前侧互连结构，设置在所述正面上方，所述前侧互连结构包括可操作地将设置在所述半导体衬底的正面中或上的半导体器件彼此耦接的多个金属线和通孔；以及
沟槽，设置在所述半导体衬底的所述背面中，所述沟槽在所述沟槽中填充有内部电容器电极、位于所述沟槽中和所述内部电容器电极上面的电容器介电层以及位于所述沟槽中和所述电容器介电层上面的外部电容器电极。


2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述沟槽的底面与所述半导体衬底中的半导体晶体管器件的阱区域的底部范围间隔开并且位于所述半导体晶体管器件的阱区域的底部范围正下方。


3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述沟槽的底面从所述半导体衬底中的半导体晶体管器件的阱区域横向偏移并且与所述半导体晶体管器件的阱区域垂直重叠。


4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述电容器介电层密封所述内部电容器电极的上表面、下表面和侧壁，并且所述外部电容器电极具有与所述沟槽中的所述电容器介电层直接接触的底面和外部侧壁。


5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述内部电容器电极延伸出所述沟槽，因此所述内部电容器电极的最外表面与所述电容器介电层的最外表面齐平和/或共面。


6.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：
掺杂区域，内衬所述沟槽的侧壁和所述沟槽的底面，所述掺杂区域与所述外部电容器电极并联电耦接。


7.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：高敏峰，杨敦年，林杏芝，刘人诚，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71