具有石墨烯结构的电容器、包括其的半导体器件及其形成方法技术

本发明专利技术提供了具有石墨烯结构的电容器、包括其的半导体器件及其形成方法。电容器包括具有多个第一石墨烯层的第一石墨烯结构。电容器还包括位于第一石墨烯结构上方的介电层。电容器还包括位于介电层上方的第二石墨烯结构，其中，第二石墨烯结构具有多个第二石墨烯层。

【技术实现步骤摘要】
具有石墨烯结构的电容器、包括其的半导体器件及其形成方法本申请是分案申请，其母案申请的申请号为201410657766.7、申请日为2014年11月17日、专利技术名称为“具有石墨烯结构的电容器、包括其的半导体器件及其形成方法”。
本专利技术一般地涉及半导体
，更具体地涉及半导体器件。
技术介绍
包括金属电极的电容器，诸如金属氧化物金属(MOM)或金属绝缘体金属(MIM)电容器，使用诸如铝或铜的金属组分以形成电容器。MOM电容器的存储能力为小于10毫微微法拉每平方微米(又称飞法每平方微米，fF/μm2)。MIM电容器的存储能力为约30fF/μm2至约100fF/μm2。在某些情况下，使用具有高介电常数的介电材料(即，高k介电材料)提高每单位面积的存储能力。在某些情况下，使用通过原子层沉积(ALD)所形成的薄电极来提高每单位面积的存储能力。
技术实现思路
为了解决现有技术中所存在的缺陷，根据本专利技术的一方面，提供了一种电容器，包括：第一石墨烯结构，具有多个第一石墨烯层；介电层，位于所述第一石墨烯结构上方；本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电容器，包括：/n第一石墨烯结构，具有多个第一石墨烯层；/n介电层，位于所述第一石墨烯结构上方；/n第二石墨烯结构，位于所述介电层上方，其中，所述第二石墨烯结构具有多个第二石墨烯层；/n第一接触结构，其中，所述第一石墨烯结构横向延伸并超过所述介电层的侧壁，所述介电层横向延伸并超过所述第二石墨烯结构的侧壁，所述第一接触结构延伸穿过所述介电层并且延伸到所述第一石墨烯结构内；/n所述电容器直接位于互连结构的一个导电部件上方，所述互连结构位于衬底上方，所述导电部件连接于衬底中的器件，所述导电部件横向延伸并覆盖所述第一石墨烯结构的底面。/n

【技术特征摘要】
20140820 US 14/464,4971.一种电容器，包括：
第一石墨烯结构，具有多个第一石墨烯层；
介电层，位于所述第一石墨烯结构上方；
第二石墨烯结构，位于所述介电层上方，其中，所述第二石墨烯结构具有多个第二石墨烯层；
第一接触结构，其中，所述第一石墨烯结构横向延伸并超过所述介电层的侧壁，所述介电层横向延伸并超过所述第二石墨烯结构的侧壁，所述第一接触结构延伸穿过所述介电层并且延伸到所述第一石墨烯结构内；
所述电容器直接位于互连结构的一个导电部件上方，所述互连结构位于衬底上方，所述导电部件连接于衬底中的器件，所述导电部件横向延伸并覆盖所述第一石墨烯结构的底面。


2.根据权利要求1所述的电容器，其中，所述多个第一石墨烯层中的石墨烯层数在2层至20层的范围内。


3.根据权利要求2所述的电容器，其中，所述多个第二石墨烯层中的石墨烯层数等于所述多个第一石墨烯层中的石墨烯层数。


4.根据权利要求2所述的电容器，其中，所述多个第二石墨烯层中的石墨烯层数不同于所述多个第一石墨烯层中的石墨烯层数。


5.根据权利要求1所述的电容器，其中，所述第一接触结构被配置为将电荷载流子传递到所述第一石墨烯结构中以及将电荷载流子从所述第一石墨烯结构中传递出来。


6.根据权利要求5所述的电容器，其中，所述第一接触结构延伸到所述第一石墨烯结构内，以接触所述多个第一石墨烯层的多个石墨烯层。


7.根据权利要求5所述的电容器，其中，所述第一接触结构包括：
导电材料；以及
阻挡层，将所述导电材料和所述第一石墨烯结构分隔开。


8.根据权利要求1所述的电容器，还包括第二接触结...

【专利技术属性】
技术研发人员：周淳朴，柯志欣，邱博文，郑兆钦，吕俊颉，黄崎峰，陈焕能，薛福隆，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71