多孔区域结构及其制造方法技术

公开了多孔区域结构及其制造方法。多孔区域结构的特征在于使具有不均匀的孔的硬掩模边界区域密封，由此从该结构排除功能。硬掩模边界区域的密封通过使用在用于限定结构的多孔区域的阳极氧化硬掩模的顶部上沉积的硬掩模来完成。通过排除硬掩模边界区域，可以以更高的精确度控制或量化多孔区域结构的孔隙比和等效比表面。通过密封硬掩模边界区域，还可以显著地减少由于结构的下面的金属层露出而引起的腐蚀。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】多孔区域结构及其制造方法
本专利技术涉及集成领域，并且更特别地，涉及电子产品、有关的半导体产品及其制造方法。
技术介绍
如今，硅无源集成技术可用于工业设计。例如，由村田集成无源解决方案(MurataIntegratedPassiveSolutions)开发的PICS技术允许将高密度电容性部件集成至硅基板中。根据该技术，数十个甚至数百个无源部件可以有效地集成至硅管芯中。在P.Banerjee等人的题为“Nanotubularmetal-insulator-metalcapacitorarraysforenergystorage(用于能量存储的纳米管金属-绝缘体-金属电容器阵列)”(2009年5月在Naturaltechnology中发表)的工作中，描述了在多孔阳极材料诸如例如多孔阳极氧化铝(porousanodicalumina，PAA)中形成的金属-绝缘体-金属(metal-insulator-metal，MIM)结构。金属、绝缘体然后金属的相继的层遵循多孔材料的轮廓，使得MIM结构被嵌入在多孔材料的孔的内部。然而，由于可以通过原子层沉本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多孔区域结构，包括：/n基板；/n在所述基板上方的第一金属层；/n由所述第一金属层的阳极氧化部分构成的多孔区域，所述多孔区域包括阳极氧化物，所述阳极氧化物具有从所述多孔区域的顶表面朝向所述基板延伸的多个孔；以及/n在所述第一金属层和所述多孔区域上方的硬掩模，所述硬掩模具有在所述多孔区域的限定区域的上方的开口，被构造成使得所述硬掩模覆盖所述多孔区域的所述多个孔中的横向孔。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180511 EP 1830558211.一种多孔区域结构，包括：
基板；
在所述基板上方的第一金属层；
由所述第一金属层的阳极氧化部分构成的多孔区域，所述多孔区域包括阳极氧化物，所述阳极氧化物具有从所述多孔区域的顶表面朝向所述基板延伸的多个孔；以及
在所述第一金属层和所述多孔区域上方的硬掩模，所述硬掩模具有在所述多孔区域的限定区域的上方的开口，被构造成使得所述硬掩模覆盖所述多孔区域的所述多个孔中的横向孔。


2.根据权利要求1所述的多孔区域结构，还包括：
在所述第一金属层的顶部上的阳极氧化硬掩模，所述阳极氧化硬掩模具有在所述多孔区域的阳极氧化区域上方的开口，
其中，所述阳极氧化区域的边缘与所述限定区域的对应边缘之间的距离与所述第一金属层的被阳极氧化以形成所述多孔区域的部分的厚度有关。


3.根据权利要求2所述的多孔区域结构，其中，所述距离的范围为100纳米至50微米。


4.根据权利要求2至3中任一项所述的多孔区域结构，其中，所述横向孔落在所述阳极氧化区域内，但在所述多孔区域的所述限定区域外部。


5.根据权利要求1至4所述的多孔区域结构，还包括：
在所述第一金属层下方的第二金属层，其中，所述多个孔中的非横向孔延伸穿过所述多孔区域，以开口到所述第二金属层上。


6.根据权利要求5所述的多孔区域结构，其中，所述第二金属层由钨或钛制成。


7.根据权利要求5至6中任一项所述的多孔区域结构，还包括：
电子部件，其形成在所述基板上，电连接至所述第二金属层。


8.根据权利要求5至7中任一项所述的多孔区域结构，还包括：<...

【专利技术属性】
技术研发人员：弗雷德里克·瓦龙，朱利安·埃尔萨巴希，久伊·帕拉特，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，原子能与替代能源委员会，
类型：发明
国别省市：日本;JP