集成电路中的薄膜电阻器及制造方法技术

一种制造薄膜电阻器(TFR)模块的方法包括：在衬底上形成TFR元件；使所述TFR元件退火以减小所述TFR元件的电阻温度系数(TCR)；以及在形成该TFR元件并将其退火之后，形成与该TFR元件的相对侧接触的一对导电TFR头。通过在该TFR头之前形成该TFR元件，该TFR元件可以在不影响该TFR头的情况下进行退火，并且因此可以由具有不同退火特性的各种材料(例如SiCCr和SiCr)形成。因此，该TFR元件可以进行退火以实现接近0ppm的TCR，而不影响稍后形成的TFR头。可以使用镶嵌CMP方法并且仅使用单个添加的掩模层来形成该TFR模块。此外，可以去除或消除在该TFR元件边缘处竖直延伸的“脊”，以进一步改善该TCR性能。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】集成电路中的薄膜电阻器及制造方法相关专利申请本申请要求2018年5月14日提交的共同拥有的美国临时专利申请号62/670,880的优先权，出于所有目的，该申请的全部内容据此以引用方式并入。
本公开涉及薄膜电阻器(TFR)，特别地涉及具有在相应的TFR头/触点下方形成的TFR元件的TFR模块以及用于制造此类TFR模块的方法。
技术介绍
半导体集成电路(IC)通常包括用于连接IC的各种组件(称为互连件)或线路后端(BEOL)元件的金属化层。铜由于它的低电阻率且高抗电迁移性而通常比铝更优选。然而，铜互连件通常难以通过用于铝互连件的传统光致抗蚀剂掩蔽和等离子体蚀刻来制造。在IC上形成铜互连件的一种已知技术称为增材图案化，有时称为镶嵌工艺，其涉及传统的金属嵌补技术。所谓的镶嵌工艺可包括图案化电介质材料，诸如二氧化硅，或氟代硅酸盐玻璃(FSG)，或具有开口沟槽的有机硅酸盐玻璃(OSG)，其中铜或其他金属导体应该在其中。沉积铜扩散阻挡层(通常为Ta，TaN或两者的双层)，然后沉积铜晶种层，然后例如使用电化学镀覆工艺进行批量铜填充。然后本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于在集成电路(IC)结构中制造薄膜电阻器(TFR)模块的方法，所述方法包括：/n在衬底上形成TFR元件；/n使所述TFR元件退火以减小所述TFR元件的电阻温度系数(TCR)；以及/n在形成所述TFR元件并将其退火之后，形成与所述TFR元件的相对侧接触的一对导电TFR头。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180514 US 62/670,880;20180713 US 16/034,3941.一种用于在集成电路(IC)结构中制造薄膜电阻器(TFR)模块的方法，所述方法包括：
在衬底上形成TFR元件；
使所述TFR元件退火以减小所述TFR元件的电阻温度系数(TCR)；以及
在形成所述TFR元件并将其退火之后，形成与所述TFR元件的相对侧接触的一对导电TFR头。


2.根据权利要求1所述的方法，其中所述TFR元件包括SiCr或SiCCr。


3.根据权利要求1所述的方法，包括使所述TFR元件退火直到获得TCR为0±700ppm/℃的所述TFR材料的TCR。


4.根据权利要求1所述的方法，包括使所述TFR元件退火直到获得TCR为0±300ppm/℃的所述TFR材料的TCR。


5.根据权利要求1所述的方法，包括使所述TFR元件退火直到获得TCR为0±100ppm/℃的所述TFR材料的TCR。


6.根据权利要求1所述的方法，包括使所述TFR元件退火直到获得TCR为40±20ppm/℃的所述TFR材料的TCR。


7.根据权利要求1所述的方法，包括在450℃至550℃的范围内的温度下对所述结构进行退火。


8.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述一对导电TFR头包括形成金属1层。


9.根据权利要求1所述的方法，其中所述TFR元件包括从所述TFR元件的横向延伸区域向上延伸的至少一个TFR脊；并且所述方法还包括执行脊去除工艺以去除所述至少一个TFR脊。


10.根据权利要求9所述的方法，其中所述脊去除工艺包括湿蚀刻以至少部分地去除所述至少一个TF...

【专利技术属性】
技术研发人员：Y·冷，B·哈姆林，A·泰勒，J·范德丽特，J·萨托，
申请(专利权)人：微芯片技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US