温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一些实施例涉及包括具有正面和背面的半导体衬底的半导体结构。互连结构设置在正面上方。互连结构包括可操作地将设置在半导体衬底的正面中或上的半导体晶体管器件彼此耦接的多个金属线和通孔。沟槽设置在半导体衬底的背面中。沟槽填充有内部电容器电极、位于内...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。