半导体器件及其形成方法技术

提供了器件和方法，其中通过磁屏蔽层使诸如磁阻随机存取存储器(MRAM)芯片的磁敏半导体芯片被屏蔽以免受磁干扰。器件包括限定外表面的壳体。半导体芯片设置在壳体内，并且半导体芯片与壳体的外表面间隔开。磁屏蔽层与半导体芯片间隔开小于5mm的距离。本发明专利技术的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其形成方法
本专利技术的实施例涉及半导体器件及其形成方法。
技术介绍
在存在诸如可以由磁体等生成的磁场的情况下，一些电子器件可能经历操作问题，并且有时出现故障。例如，外部磁场可能导致操作窗口偏移或磁敏芯片或器件中的存储数据错误，这会导致读取或写入故障。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供了一种半导体器件，包括：壳体，限定外表面；半导体芯片，位于所述壳体内，并且所述半导体芯片与所述壳体的所述外表面间隔开；以及磁屏蔽层，所述磁屏蔽层与所述半导体芯片间隔开小于5mm的距离。本专利技术的另一实施例提供了一种半导体器件，包括：衬底；半导体器件封装件，位于所述衬底上，所述半导体器件封装件包括至少部分地由密封剂围绕的磁阻随机存取存储器(MRAM)芯片；以及磁屏蔽层，位于所述半导体器件封装件上。本专利技术的又一实施例提供了一种形成半导体器件的方法，包括：将半导体器件封装件电和机械地耦合至印刷电路板(PCB)，所述半导体器件封装件包括至少部分地由密封剂围绕的半导体芯片；将所述半导体器件封装件固定在电子器件的壳体内；以及将本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：/n壳体，限定外表面；/n半导体芯片，位于所述壳体内，并且所述半导体芯片与所述壳体的所述外表面间隔开；以及/n磁屏蔽层，所述磁屏蔽层与所述半导体芯片间隔开小于5mm的距离。/n

【技术特征摘要】
20190628 US 62/868,634;20191211 US 16/711,1521.一种半导体器件，包括：
壳体，限定外表面；
半导体芯片，位于所述壳体内，并且所述半导体芯片与所述壳体的所述外表面间隔开；以及
磁屏蔽层，所述磁屏蔽层与所述半导体芯片间隔开小于5mm的距离。


2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括半导体封装件，所述半导体芯片设置在所述半导体封装件内，所述半导体封装件至少部分地位于所述壳体内。


3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述磁屏蔽层至少部分地嵌入在所述半导体封装件中。


4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述磁屏蔽层设置在所述半导体封装件的外表面与所述壳体的所述外表面之间。


5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述磁屏蔽层设置在所述半导体封装件的所述外表...

【专利技术属性】
技术研发人员：庄学理，江典蔚，陈家庠，施孟君，王清煌，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71