存储器元件的制作方法技术

本发明专利技术公开一种存储器元件的制作方法，其包含：首先，提供一介电层，然后在该介电层中同时形成一接触窗以及一对准标记(alignment mark)凹槽，其中，该接触窗曝露一下层金属线，接下来在该介电层表面、该接触窗以及该对准标记凹槽内形成一导电层，对该导电层进行一平坦化步骤，并留下一残留物位于该对准标记凹槽内，后续对该介电层进行一氮气等离子体步骤(N

【技术实现步骤摘要】
存储器元件的制作方法
本专利技术涉及一种形成存储器元件的方法，更具体地说，涉及一种形成包括对准标记沟槽的存储器元件的方法。
技术介绍
随着相关技术的进步，集成电路的制造不断改进。可以在单个芯片上集成并形成多种电路。用于形成包括半导体元件和/或存储器元件的集成电路的半导体步骤可以包括许多步骤，例如用于形成薄膜的沉积步骤、光致抗蚀剂涂覆步骤、曝光步骤和用于形成图案化光致抗蚀剂的显影步骤，以及用于图案化薄膜的蚀刻步骤。在曝光步骤中，具有待形成图案的光掩模必须与基板上的基层图案对准，以将图案转移到基板上的特定位置。对准标记可用于辅助曝光过程中的对准并监测重叠结果，以减少过程变化对产量的影响。然而，随着半导体步骤变得更加复杂，相应地产生关于对准标记的制造和测量的问题并且必须解决。
技术实现思路
本专利技术公开一种存储器元件的制作方法，包含：首先，提供一介电层，然后在该介电层中同时形成一接触窗以及一对准标记(alignmentmark)凹槽，其中，该接触窗曝露一下层金属线，接下来在该介电层表面、该接触窗以及该对准标记凹槽内形成一导电层，对该导电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器元件的制作方法，包含：/n提供介电层；/n在该介电层中同时形成接触窗以及一对准标记(alignment mark)凹槽，该接触窗曝露一下层金属线:/n在该介电层表面、该接触窗以及该对准标记凹槽内形成导电层；/n对该导电层进行平坦化步骤，并留下残留物位于该对准标记凹槽内；/n对该介电层进行氮气等离子体步骤(N

【技术特征摘要】
1.一种存储器元件的制作方法，包含：
提供介电层；
在该介电层中同时形成接触窗以及一对准标记(alignmentmark)凹槽，该接触窗曝露一下层金属线:
在该介电层表面、该接触窗以及该对准标记凹槽内形成导电层；
对该导电层进行平坦化步骤，并留下残留物位于该对准标记凹槽内；
对该介电层进行氮气等离子体步骤(N2plasma)；
进行清洗步骤，以移除该对准标记凹槽内的该残留物；以及
形成图案化的磁隧穿结(magnetictunnelingjunction,MTJ)膜叠层于该接触窗上。


2.如权利要求1所述的制作方法，其中该残留物的材质包含有氧化硅。


3.如权利要求1所述的制作方法，其中该导电层的材质包含钨。


4.如权利要求1所述的制作方法，其中该导电层并未填满该对准标记凹槽。


5.如权利要求4所述的制作方法，其中该残留物位于该对准标记凹槽内的该导电层上。

【专利技术属性】
技术研发人员：刘昕融，李昆儒，詹昂，侯朝钟，施宇隆，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71