集成电路晶片制造技术

一种集成电路晶片包括一磁穿隧接合面作为一MRAM单元的一储存元件。该集成电路晶片包括位于该磁穿隧接合面上的一顶部电极。该集成电路晶片包括横向包围该顶部电极的一第一侧壁间隔件。该第一侧壁间隔件充当用于对该磁穿隧接合面进行图案化的一光罩。该集成电路晶片包括位于该磁穿隧接合面的一侧表面上的一第二侧壁间隔件。

【技术实现步骤摘要】
集成电路晶片
本揭露是关于集成电路领域。更特定而言，本揭露是关于包括磁性随机存取记忆体(magnetoresistiverandomaccessmemory；MRAM)单元的集成电路。
技术介绍
MRAM单元包括磁式数据储存元件。一般而言，MRAM单元包括磁穿隧接合面作为数据储存装置。磁穿隧接合面包括由薄阻障层分隔开的第一磁板及第二磁板。第一磁板是具有固定磁化方向的永久磁铁。第二磁板具有可通过使电流邻近第二磁板流过而选择性改变的磁化方向。两个磁板之间的电阻部分地基于第一板及第二板的磁化方向一致性。因此，通过调整第二板的磁化方向而将数据写入MRAM单元。通过量测第一板与第二板之间的电阻而自MRAM单元读取数据。MRAM单元具有许多优于传统随机存取记忆体单元的优点。MRAM单元需要比SRAM单元少得多的表面积及功率消耗，同时维持与SRAM单元差不多的存取速度。MRAM单元比DRAM单元快得多，同时功率消耗少得多。不同于SRAM及DRAM单元，MRAM单元是非依电性的，且可在电源断开时维持数据。不同于SRAM及DRAM单元，MRAM单元不易受本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成电路晶片，其特征在于，包含：/n一磁穿隧接合面；/n一顶部电极，该顶部电极位于该磁穿隧接合面上；/n一第一侧壁间隔件，该第一侧壁间隔件位于该顶部电极的一侧表面上；以及/n一第二侧壁间隔件，该第二侧壁间隔件位于该磁穿隧接合面的一侧表面上。/n

【技术特征摘要】
20190628 US 62/868,637;20191101 US 16/672,1101.一种集成电路晶片，其特征在于，包含：<...

【专利技术属性】
技术研发人员：庄学理，陈俊尧，王宏烵，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71