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一种集成电路晶片包括一磁穿隧接合面作为一MRAM单元的一储存元件。该集成电路晶片包括位于该磁穿隧接合面上的一顶部电极。该集成电路晶片包括横向包围该顶部电极的一第一侧壁间隔件。该第一侧壁间隔件充当用于对该磁穿隧接合面进行图案化的一光罩。该集成...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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