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本发明公开一种存储器元件的制作方法，其包含：首先，提供一介电层，然后在该介电层中同时形成一接触窗以及一对准标记(alignment mark)凹槽，其中，该接触窗曝露一下层金属线，接下来在该介电层表面、该接触窗以及该对准标记凹槽内形成一导电...
该专利属于联华电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司授权不得商用。

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