【技术实现步骤摘要】
磁性存储器装置及其制作方法
本专利技术涉及半导体元件
，特别是涉及一种自旋转移力矩式磁阻随机存取存储器(spin-transfertorquemagnetoresistiverandomaccessmemory，STT-MRAM)结构及其制作方法。
技术介绍
如本领域中已知，自旋转移力矩式磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)等磁性存储器装置是最近在存储器
中十分受到关注的非挥发性存储器，其具有优于传统磁阻随机存取存储器的若干优点，例如，包括更高的耐用性、更低的功耗和更快的操作速度。在两个铁磁层(ferromagneticlayer)间具有薄绝缘层的磁隧道结(magnetotunneljunction，MTJ)中，隧穿阻值(tunnelresistanceTMR)会根据两个铁磁层的相对磁化方向而变化。磁阻随机存取存储器具有利用隧穿磁阻(tunnelmagnetoresistance，TMR)效应的磁隧道结结构的半导体元件，能以矩阵排列成存储器单元。
技术实现思路
本专利技术提供了一种改...
【技术保护点】
1.一种磁性存储器装置，包含：/n基底，其上具有存储器区和逻辑区；/n第一介电层，设于该基底上，其中该第一介电层覆盖该存储器区和该逻辑区；/n第一介层插塞，设于该第一介电层中；/n第一柱状存储器堆叠，设于该第一介层插塞上，其中该第一柱状存储器堆叠包含第一磁隧道结；/n第二介层插塞，设于该第一介电层中且邻近该第一介层插塞；/n第二柱状存储器堆叠，设于该第二介层插塞上，其中该第二柱状存储器堆叠包含第二磁隧道结；以及/n绝缘盖层，共形的设置在该第一介电层的表面上和该第一柱状存储器堆叠及该第二柱状存储器堆叠的侧壁上，其中在该逻辑区内和该第一柱状存储器堆叠及该第二柱状存储器堆叠之间的...
【技术特征摘要】
1.一种磁性存储器装置，包含：
基底，其上具有存储器区和逻辑区；
第一介电层，设于该基底上，其中该第一介电层覆盖该存储器区和该逻辑区；
第一介层插塞，设于该第一介电层中；
第一柱状存储器堆叠，设于该第一介层插塞上，其中该第一柱状存储器堆叠包含第一磁隧道结；
第二介层插塞，设于该第一介电层中且邻近该第一介层插塞；
第二柱状存储器堆叠，设于该第二介层插塞上，其中该第二柱状存储器堆叠包含第二磁隧道结；以及
绝缘盖层，共形的设置在该第一介电层的表面上和该第一柱状存储器堆叠及该第二柱状存储器堆叠的侧壁上，其中在该逻辑区内和该第一柱状存储器堆叠及该第二柱状存储器堆叠之间的一介层通孔形成区内未设置有该绝缘盖层。
2.如权利要求1所述的磁性存储器装置，其中该第一介电层于该存储器区内具有第一最小厚度，在该第一柱状存储器堆叠及该第二柱状存储器堆叠之间的该介层通孔形成区内具有第二最小厚度，在该逻辑区内具有第三最小厚度，其中该第二最小厚度约略等于该第三最小厚度，又其中该第二最小厚度和该第三最小厚度均小于该第一最小厚度。
3.如权利要求1所述的磁性存储器装置，其中另包含：
第二介电层，设于该基底上且在该第一介电层下方；以及
蚀刻停止层，设于该第一介电层和该第二介电层之间。
4.如权利要求1所述的磁性存储器装置，其中另包含：
第一间隙壁，设于该绝缘盖层上并且位于该第一柱状存储器堆叠的周围，但该第一间隙壁不设置在该介层通孔形成区；以及
第二间隙壁，设于该绝缘盖层上并且位于该第二柱状存储器堆叠的周围，但该第二间隙壁不设置在该介层通孔形成区。
5.如权利要求4所述的磁性存储器装置，其中该蚀刻停止层为掺杂氮碳化硅层，该第一介电层和该第二介电层包含超低介电常数材料，该绝缘盖层为氮化硅层，且该第一间隙壁和该第二间隙壁为氧化硅间隙壁。
6.如权利要求5所述的磁性存储器装置，其中另包含第三介电层，填入该第一柱状存储器堆叠及该第二柱状存储器堆叠之间的该介层通孔形成区内，其中该第三介电层覆盖该逻辑区，其中该第三介电层于该逻辑区内直接接触该第一介电层，于该介层通孔形成区内直接接触该第一介电层。
7.如权利要求6所述的磁性存储器装置，其中另包含一下金属内连接层，设于该第二介电层中，其中该下金属内连接层包含第一金属垫，直接接触该第一介层插塞、第二金属垫，直接接触该第二介层插塞，以及第一金属线，介于该第一金属垫和该第二金属垫之间。
8.如权利要求7所述的磁性存储器装置，其中另包含第一介层通孔，设于该第三介电层、该第一介电层和该蚀刻停止层中，其中该第一介层通孔直接接触该第一金属线。
9.如权利要求8所述的磁性存储器装置，其中另包含第二金属线，设于该逻辑区内的该第二介电层中，以及第二介层通孔，设于该第三介电层、该第一介电层...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭致玮，赖育聪，廖俊雄，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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